发展VOCVD技术制造LED芯片

本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业，由高等院校与工厂联手合作是正确的有效的道路。     

台湾光电所拟引进高亮度蓝色发光二极管制造工艺

台湾光电所拟引进高亮度蓝色发光二极管制造工艺工研院光电所拟引进发光二极管进入全彩化的关键技术，高亮度蓝色发光二极管的外延和制造工艺技术，预计１０月份完成外延和制造工艺的技术引进消化工作。１９９３年台湾发光二极管产值约７１亿元，再加上发光二极管室外显示...     

外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.     

使用发光二极管的平板电视

日本三洋电机公司最近研制了一种发光二极管平板电视显示屏。这是一种在160×120mm~2面积上容纳不少于38400个发光二极管的黑白显示板,约相当于9时黑白电视。该装置使用了高效率的 GaP 绿色发光二极管。发光二极管是采用液相外延技术制作的。成品率为每片7000至10000。     

外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。     

发光二极管外延片质量控制的新方法

介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法.通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意见.最终实现了提高GaP外延片质量的目的.     

发光二极管外延片质量控制的新方法

介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法.通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意见.最终实现了提高GaP外延片质量的目的.     

MOCVD技术

金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简称 MOCVD)自 20 世纪 60 年代首次提出以来,经过 70 年代至 80 年代的发展,90 年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。到目前为止,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看还没有其它方法能与之相比。MOCVD技术     

同一芯片内的光输出功率误差只有±6%的发光二极管

士通在尺寸为23×13mm的GaAs芯片内制出1170支发光二极管,其中80%的光输出功率误差不超过±6%。这种发光二极管是用n~ —GaAs衬底,分子束外延生长n—GaAs、n—GaAlAs、发光区扩散P型杂质Zn制成的。这些发光二极管的光输出功率误差如此低的主要原因,是由于采用了分子束外延方法生长各层(分子束外延炉是美国瓦里安公司制造的GEN—Ⅱ型);若采用一般的液相外     

半导体发光二极管气相外延材料的制备

为解决我国发光二极管管芯的大量进口问题,我们自行设计并制造了氢化物立式外延炉.采用微机程序控制系统来控制外延生长.在较短的时间内摸索出了生长较好外延片的工艺条件.所生长GaAs_(0.6)P_(0.4)/GaAs外延片可达到进口外延片水平.通过反复的工艺试验,基本摸索出了生长红、橙两种发光二极管外延片的工艺条件.所制成的CaAs_(0.6)P_(0.4)/GaAs外延片可达到进口商品外延片水平.我们的系统每炉可投入φ50衬底片三片;同一炉各片之间外延层的     

半导体发光器件有了“中国芯”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,4月 2 0日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。据中国科学院院士蒋民华教授介绍 ,“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,国家和山东省先后投资 730 0万元 ,历经 3年多时间才使高亮度红、橙、黄、黄绿发光二极管外延材料及管芯达到了产业化水平。目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二…     

AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响

采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能.     

重庆光电技术研究所新产品介绍

一、GF9410U 型 GaAs 发光二极管1.器件结构及简要工作原理该 GaAs 发光二极管是在 n 型 GaAs 衬底上,通过液相外延技术形成一层 n 型 GaAs 和一层型 GaAs 同质 In 结,再用树脂封装而成。在正向偏咒下,注入到确源区的电子和空穴复合     

双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析

对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结（DCPBH）结构超辐射发光二极管（SLD）双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。     

蓬勃发展的固体发光照明市场

据相关报道，高亮度发光二极管(LED)今年的增长率将达到50％。目前，全球所有主要工业公司都在扩充其生产能力，中国大陆和台湾、韩国正在不断扩大外延晶片和芯片的加工生产能力。此外，与LED开发有关的方法和技术也不断取得新进展。     

采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管

对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻。此外,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心,从而提高850nm红外发光二极管的亮度和寿命。     

InP绿色发光二极管

本文扼要介绍绿色发光二极管的作用及其基本原理。报导制管所需要的外延生长结材料的选取依据,制备绿色发光二极管的主要工艺要求与步骤,制成的绿色发光二极管的光学特性和电学特性。 测量结果是:死区电压为1.9～2.0伏,反向耐压在漏电流为50微安下均大于5伏,工作电流30毫安下,其压降小于2伏;发光光谱峰     

晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

(AlxGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的，它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率。本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述。     

一种新的半导体晶体生长方法——气相悬浮外延

美国贝尔研究所的H. Cox和S. Hummel发明了气相外延技术的一种变型技术，即如图所示的气相悬浮外延法。目的是研制光通信用长波长光源(半导体激光器和发光二极管等)，可制作光纤传输损耗最低的1.55 μm波长用光学元件。该方法中,将一个圆片悬浮在啧气咀上，在两个晶体生长位置处往来，制作多层超薄膜晶体。     

白光LED风头正盛UV LED工艺技术大有可为

发光二极管从发明到现在已经有三十多年的历史,从早期仅能应用于低亮度的红、黄、绿指示灯到由于外延片与工艺技术大幅进步,红、琥珀、绿与蓝色高亮度发光二极管(LED)相继问世,而1996年日亚化学所将蓝光LED与黄色荧光粉相结合成功制作出白光LED,更为照明光源带来新希望.