一种新型离子源——LY-3型离子源

本文介绍了LY—3型——永磁冷阴极电子振荡型离子源(以下简称LY—3型离子源)的结构设计和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar等作放电物质。在放电功率小于50瓦的情况下,引出总束流强度可达4毫安。用于LC—2B中能离子注入机靶上(11)~B~+和的束流强度大于200微安,(40)~Ar~+的束流强度(当主高压为零时)大于600微安,同时具有较高成份的多电荷态离子。     

离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究多种Ａｒ￣＋离子抛光参数Ｓｉ（ｌｌｌ）表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征，发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度，抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用４００ｅＶ离子能量、１００ｍＡ束流强度、６０°入射角离子束照射２小时后再改用３５０ｅＶ、８０ｍＡ束流强度以同样入射角照射２小时的样品，在１μｍ×１μｍ范围表面微观粗糙度（ＲＭＳ）值可达到０．３ｎｍ左右。而当小入射角（＜２０°）照射时抛光效果很差，其表面明显地呈现出直径约几十到几百ｎｍ凹坑的蜂巢状形貌特征。     

束流强度分布与膜厚的关系

为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。实验测试的膜厚的最厚点为8.1582 μm,最薄点为5.9362 μm,比例为72.76%,与计算结果基本相符。因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响。但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关。由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠。     

晶体摆动场与周期弯晶作为γ-速调管的可能性

 寻找新光源,特别是短波长相干光源一直是人们努力追求的目标.将晶体摆动场同速调管技术相结合可望获得短波长相干光源,特别是相干的γ-光源.文章通过晶体摆动场莱塞效应分析,讨论了周期弯晶作为γ-速调管的可能性.在经典力学框架内和小增益近似下,把晶体摆动场中的粒子纵向运动方程化为经典的摆方程,并用摄动法导出了系统的能量增益.结果表明,当弯晶作为放大器模式工作时,要求的束流强度比较高,在级联速调管工作模式下束流强度要求可降低3-4个量级,完全位于当今加速器技术能力范围内.     

自由电子激光器虚火花电子束源的阻抗匹配研究

分析了自由电子激光器的小型虚火花电子束源在去掉脉冲传输线的情况下的阻抗匹配问题 ,并对此进行放电实验。得到了虚火花放电过程中的放电室阻抗曲线 ;并利用小型放电装置在 2 5 5kV的放电电压下得到了束流强度为 4 3kA的电子束输出。     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

MgAl2O4透明陶瓷电子辐照及退火效应

用能量1.7MeV，束流强度0.7μA     

采用扫描电镜的ECP技术分析人工合成金刚石晶体中的晶体缺陷

本文应用扫描电镜的ＥＣＰ技术对人造金刚石晶体表面的位错密度，进行了实验分析，并同位错蚀坑分析技术的测量结果进行了比较，结果表明，如采用临界束流强度作为描述ＥＣＰ本征衬度的参数，则它同位错密度间存在明显定量的数学关系，因此上述临界束流强度可用来评价晶体中位错密度的相对变化。     

液体氟里昂(F113)冷却装置在注入机上的应用

<正> 问题的提出 随着半导体工艺水平的不断发展,集成度的提高以及图形尺寸的缩小,对离子注入机也提出了更高的要求,特别是对束流强度、扫描面积、注人剂量、均匀性、重复性等方面更有新的要求。     

用于注入机的新型大束流ECR离子源

前面已经介绍过一种大束流ECR离子源,它能产生O~+的含量达80％的200mA氧束流。最近,又研制出能产生束流密度大于100mA/cm~2的两种更先进的ECR离子源,其中一种既能提供高束流密度,又克服了以前离子源中所存在的微波传送窗口易于损伤的毛病,高速回流电子轰击传送窗口产生的这种损伤限制了离子源的使用寿命。通过采用多个微波入口结构引导微波进入等离体室,既满足了产生ECR的条件,同时又可以产生没有回流电子轰击窗口的高密度等离子体;另一种是消耗功率很小,产生束流很大的小型离子源,它的这两个特点是通过将等离子体室的内径减小到5cm而获得的,其直径比2.45千兆赫微波的传播临界尺寸还要小,在250瓦的低微波功率下已得到1×10~(13)/cm~3的大等离子体密度。     

准单色亚稳态氦原子束源系统研究

研究设计了一种亚稳氦原子束源系统。采用电子激发方法产生亚稳态氦原子，利用喷嘴经等熵澎胀形成原子束，通过该原子束的纵向速度进行选择，以及利用激光冷却来实现横向准直，制备出准单色亚稳态氦原子束。     

Magnetic Field Measurement System in Superconducting Combined Function Magnets for the J-PARC Neutrino Beam Line

Magnetic field measurements have been performed for the first full-scale magnet system assembled with the cryostat for the J-PARC proton beam line of neutrino experiment. In the measurement system, the probe position with respect to magnet central axis is measured by a Helium Neon laser and a position sensitive detector, PSD, in order to obtain an exact dipole field strength. Errors associated with the PSD misalignment and influences on the PSD signals by the magnetic field were evaluated. The measured dipole components approached to the design values by compensating those with the probe position. The latest beam simulation indicated that the measured values of magnetic field were good enough for the primary proton beam transport.     

亚稳态氖原子光刻的实验研究

用亚稳态氖原子束进行了原子光刻实验。用栅网作掩膜 ,以扩散泵油的有机分子在高能亚稳态氖原子作用下所生成的碳膜作抗蚀剂 ,在硅片上刻蚀出分辨率为 2 μm的微结构 ,为进一步的纳米级原子光刻技术的研究打下了基础。     

Low temperature thermal annealing of arsenic implanted silicon

The annealing of heavily arsenic implanted (100) silicon using low temperature furnace techniques to obtain metastable concentrations of the dopant is described and the activations obtained are compared with those found after laser and electron beam annealing.     

利用空心阴极灯中的诱导荧光直接标定染料激光波长

本文提供了一种简单方便且精度较高的染料激光波长定标方法，给出了轴和氖原子的诱导光谱图，并且对ＦＩＺＦＡＵ－－Ⅱ波长计进行了定标，获得了满意的结果。     

快速凝固Al-8.8 Fe-3Ti中亚稳相空间群的会聚束(CBED)确定

用会聚束电子衍射(CBED)对快速凝固(RS)Al-8.8wt％Fe-3wt％Ti合金中成分为85.6Ti-11.5Al-2.9Fe(wt％)的块状亚稳相的分析表明:它属于面心立方晶系,空间群为Fm3m,点阵常数α=0.426nm。作者认为这种块状相是在快凝合金中产生的一种新的三元亚稳相。     

He-Ne绿色激光最佳增益条件的研究

获得了He-Ne543nm激光线小信号增益系数随放电管中氦氖气体的配比、总气压及放电电流的变化关系。找出上述三参数的最佳值,并做了最佳激光输出验证。     

The Mg atomic frequency standard

Recent advances towards the realization of an absolute frequency standard in the submillimeter region are reported. The³p1-³P_{0} Delta m_{j} = 0fine structure transition in the metastable triplet of²⁴Mg has been observed in an atomic beam with both Rabi and Ramsey interrogation techniques. Experimental results and theoretical predictions are compared and discussed in view of an Mg frequency standard.     

A study of the transition from high to low resistivity in As-grown GaAs MBE material

This work discusses the transition from high resistivity as-grown GaAs layers to thermally metastable low resistivity as-grown layers by molecular beam epitaxy. This transition occurs at about 430°C and coincides with a reflective high energy electron diffraction reconstruction change from a 2 × 1 to 2 × 4 pattern for an As₄/Ga beam equivalent pressure ratio of 20. For growth temperatures in the range 350 to 430°C, room temperature Hall-effect measurements have shown resistivities of <10₇ ohm-cm and photoluminescence has shown new peaks at 0.747 eV and a band from 0.708 to 0.716 eV at 4.2K, in unannealed material.     

He-Ne激光633nm腔内倍频紫外激光器

利用碘酸锂晶体对Ｈｅ－Ｎｅ激光器６３２．８ｎｍ谱线进行腔内倍频，得到了３１６．４ｎｍ的连续紫外输出。对光学元件进行优化后，采用的三镜折叠谐振腔给出了１．５ｍＷ的紫外光输出