C波段高稳定陶瓷谐振振荡器的设计

介绍了利用陶瓷谐振器（CR）来提高振荡器频率稳定度的方法,并利用专用微波电路设计软件（AWR）对该方法进行了分析,同时还对压控支路进行了温度补偿设计。根据分析结果制作的C波段高稳定陶瓷振荡器取得了令人满意的指标：在全温范围测试结果为温漂≤50 ppm/℃,带内线性≤1.1,频率稳定度≤±15 MHz,相噪≤-108 d...     

100.450 MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器

应用新的温度补偿方法研制了100.450MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器,该振荡器由450kHz陶瓷振荡器,100MHz五次泛音晶体振荡器,混频器,晶体滤波器组成。450kHz陶瓷振荡器的输出频率与100MHz晶体振荡器的输出频率混频,滤波,取其和频。直接利用450kHz陶瓷振荡器输出频率对100MHz晶体振荡器进行温度补偿。实验结果表明,在0~70℃该振荡器的频率-温度稳定度<±7×10-7,初步测量相位噪声为-119dBc@1kHz。     

一种新的高频泛音晶体振荡器温度补偿方法

提出了一种新的高频泛音晶体振荡器温度补偿的方法,它能克服了目前泛音晶振温补中均采用加电感和倍频的方法带来的稳定度下降和相噪恶化的缺点。该系统利用低频陶瓷振荡器的输出频率通过混频对高次泛音石英晶振进行温度补偿。系统采用微机控制开关电容阵,有利于集成。初步补偿结果表明,利用本文提出的补偿方法进行补偿的100MHz五次泛音石英晶体振荡器在0～70℃温度范围内频率-温度稳定性≤±2×10-6。     

压控振荡器噪声及其测量

一、概述频率稳定度是振荡器(包括压控振荡器)的一个非常重要的指标。在用途日益广泛的窄带锁相环中,对压控振荡器的频率稳定度提出更为苛刻的要求。因此,人们对压控振荡器频率稳定度的研究及测量越来越关心和重视。一提起频率稳定度,就会马上想到既有联系又有区别的长期频率稳定度和短期频率稳定度这两个概念。本文只对决定压控振荡器(VCO)短期频率稳定度的内部噪声功率谱密度进行分析和测量,并换算成秒频率稳定度。测量VCO噪声功率谱密度的方法很多,在文献中有详细论述。我们这里不是把     

低噪声微波压控振荡器

利用振荡器的相位噪声模型,详细论述了低噪声微波压控振荡器的设计方法,并给出了实验结果。该振荡器具有嗓声低、频率稳定度高、电调线性好等特点。     

改善了短期频率稳定度的两级自限幅串联谐振石英晶体振荡噐

提出了普通石英晶体振荡器中采用的晶体管主振级的简化模型。考察这种模型和相应的噪声源,可解释几种广泛应用的自限幅石英晶体振荡器的输出频谱中所观察到的差别。介绍了一种特殊设计的自限幅石英晶体振荡器电路,这种电路同时具有改善振荡器短期频率稳定度和相位稳定度所需的三个重要电路特性:大的振荡器的谐振器有载 Q 值,1/f 相应起伏噪声的适当抑制,以及振荡器信噪比的改善。已制造了利用高质量三次泛音5兆赫 AT 和 BT 切割石英谐振器的几种振荡器样机。利用普通的锁相法和取样法测量振荡器的短期频率稳定度,结果证明此振荡器的短期频率稳定度比通常的自限幅振荡器显著改善。     

LC振荡器短时间频率稳定度测试方法

本文较详细的探讨了一种ＬＣ振荡器的短时间频率稳定度的测试方法、测试原理及电路组成，产以测试２００μｓ时的频率稳定度为例进行了分析，能达到１０￣（＿６）级的测试精度要求。     

基于Leeson模型的晶体振荡器相位噪声研究

实际中常希望通过模型分析或仿真来预测晶体振荡器的相位噪声（短期频率稳定度），以便为实际振荡器的分析设计提供指导方向。本文从Robins模型和Leeson模型出发，以100MHz变形皮尔斯晶体振荡电路为例，对晶体振荡器的相位噪声进行了估算、仿真和实测。对估算、仿真和实测数据经过分析后发现Leeson模型和Serenade仿真对预测振荡器的短期频率稳定度是有效的，但Serenade仿真的内部模型还不完善，并在此基础上进行了相关讨论。     

用非线性理论阐述正弦反馈振荡器的频率和幅度稳定度

首先,本文对用于近似正弦反馈振荡器频率稳定度分析的线性理论作了简要的回顾然后应用描述函数法和判决方程法导出了非线性近似正弦反馈振荡器的振荡频率和振荡幅度稳定度的新的表达式。最后对导致用描述函数法和判决方程法导出的振荡频率稳定度不同的内在原因进行了详细的论述。     

利用精密单点定位技术评估晶振频率稳定度

在评估晶振频率稳定度时，目前常用一个频率稳定度比待测晶振高3倍以上的时钟作为参考，造成测试成本高昂。在分析精密单点定位（Precise Point Positioning,PPP）技术原理的基础上，提出了一种基于PPP技术的频率稳定度评估方法，并利用该方法对一款秒稳达到10-12的高稳定度恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，OCXO）进行了评估，评估结果与利用氢原子钟为参考的传统频率稳定度评估方法基本吻合。最后给出了该方法对不同等级晶振的评估能力。该方法结构简单，测试方便且成本低廉，能满足常用时频设备（如通信设备、卫星导航接收机）的晶振评估需求。     

一种宽温高精度温补晶振的研制

介绍了一种新型宽温微机补偿晶体振荡器。文中使用微处理器对专用集成电路芯片设计了温补晶振,分别在高低温区段对输出频率进行分段补偿;增加了噪声处理电路,滤除补偿电压跳变引入的噪声,避免相噪恶化;用二次分段补偿的方法,将补偿温度范围拓展到-55~+105 ℃。试验结果表明,使用该方法研制的10 MHz温补晶振,其频率温度稳定性在-55~+105 ℃范围内,优于±1.0×10^-6,相位噪声优于-140 dBc/Hz@1 kHz。     

X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

K波段高稳光电振荡器

介绍了一种具有高稳定性、高谱纯度、低相位噪声的双环路光电振荡器(OEO)。理论上分析了光电振荡器的基本原理,采用光域双环路的方案有效地实现了边模抑制,通过检测输出信号频率的变化来控制光纤环路的长度,从而得到了高质量的20GHz微波信号,其频谱纯度高,线宽小于1Hz,相位噪声在10kHz时为-112dBc/Hz,而且在4h观测时间内,频率的稳定性小于10-10。     

一款新型高频率稳定度ATCXO芯片的设计

基于0.35 μm CMOS工艺,采用全模拟电路设计实现了温度补偿晶体振荡器芯片(ATCXO).设计了新型三次函数发生器补偿电路,并利用E2 PROM记忆系统温度参数实现自动修调;为进一步提高输出频率稳定度,设计了振荡器电压稳定电路,消除电源电压的影响.仿真结果表明,在-40℃～+100℃宽温度范围内,工作电压为3.3...     

高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计

基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103～105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。     

Ku波段固态倍频源

采用晶振 倍频链的方式研制生产了１３ Ｇ Ｈｚ 的微波固态频率源。在－ ５５～＋ ８５℃温度范围内, 输出功率优于２５０ｍ Ｗ, 相位噪声为－ １０２ｄ Ｂ／１ｋ、－ １１０ｄ Ｂ／１０ｋ。     

X波段低相噪频率综合器设计

介绍了一种X波段低相噪频率综合器的实现方法。采用混频环与模拟高次倍频相结合的技术,实现X波段跳频信号的产生。采用该技术实现的频率综合器杂散抑制可达-68 d Bc,相噪优于-99 d Bc/Hz@1 k Hz,-104 d Bc/Hz@10 k Hz,-106 d Bc/Hz@100 k Hz。重点论述了所采用的低相噪阶跃倍频的关键技术,详细分析了重要指标及其实现方法,实测结果证明采用该方法可实现给定指标下的X波段低相噪频率综合器。     

用步进锁相扫描技术改进VCO线性及调频带宽稳定性

选用HMC703LP4E小数频率综合器与专门设计的有源环路滤波器和商用VCO构成了步进扫描数字锁相环,改进了调频连续波的调频带宽稳定性和调频线性度。对设计的电路进行了制作和测试,实验结果表明在-30^+70℃温度范围内,调频信号的稳定度达到了1×10^-6,调频线性度接近于1.0,相位噪声为-90 dBc/Hz/10 kHz。     

1.25厘米单调谐体效应振荡器

本文报导了一种单调谐体效应振荡器.该振荡器结构类似于Kurkoawa电路.但谐振腔采用H_(011)高Q圆柱腔.该振荡器电路负载变化对振荡频率影响较小,能够避免通常反射腔稳频振荡器受到负载变化可能出现跳频的缺点.而且噪声电平比其它振荡源要小.对电路参数经过适当选择后,振荡器的输出效率能达到40～60%,输出功率30～100mW.机械牵引带宽大于600MHz.该振荡器的主腔和调谐活塞采用线胀系数不同的材料进行温度补偿.当温度循环在-40℃至+70℃的范围内,频率温度系数一般优于0.08MHz/℃,功率稳定度优于0.022dB/℃.