液晶面板PI层电荷累积和释放过程分析

液晶显示器的聚酰亚胺配向层(Polyimide,PI)电荷累积过程属于凝聚态物理的电介质理论范畴,由于电介质物理理论还不够完整,造成液晶显示器PI层电荷累积和释放过程机理不甚清晰。文章应用麦克斯韦方程组分析液晶PI层表面电荷累积过程,应用可将快慢效应分开的时域谱学理论分析慢电荷的释放过程,得出液晶面板PI层和液晶层接触面电荷累积与两者的介电常数和电导率的关系,以及累积慢电荷的释放时间常数与PI层厚度的关系。     

双开关电荷采样放大器

电荷放大器是高阻抗电荷源器件普遍采用的前置电路,电荷采样放大器保持了电荷放大器功能,同时可以消除电荷放大器直流漂移导致的输出饱和,但是单开关的电荷采样放大器是不稳定电路。文中分析了电荷采样放大器的工作原理,提出了双开关电荷采样放大器,该电路不自激振荡,无输出饱和,其输出可以直接作为Ａ／Ｄ转换电路的输入。     

高阻抗电荷输出传感器

压电传感器、水中听音器和某些加速计属于高阻抗传感器,需要能将电荷转移转换成电压变化的放大器。这些器件因为直流输出阻抗高,所以需要适当的缓冲。一种电荷敏感倒相放大器的基本电路如图1所示。电荷传感器有两个基本类型:电容型和电荷发射型。在电容传感器中,电容器两端电压(V_c)保持恒定。电容的改变△C引起电荷变化△Q=△CV_c。这个电荷变化以电压形式传递到运算放大器的输出端,△V_(OUT)=-△Q/C_2=-△CV_c/C_2。     

二氧化硅薄膜驻极体的电荷特性

对二氧化硅薄膜驻极体中几种主要电荷的基本特性－固定氧化物电荷的特性特性、氧化物陷阱电荷的特性及硅－二氧二硅界面陷阱电荷的特性进行了分析。     

电子倍增CCD中电荷载流子倍增寄存器的分布式等效电路模型

为了研究电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)中电荷载流子倍增寄存器(CCM)内部电荷的倍增及转移特性,提出了一种适用于CCM的电荷传输机制仿真的分布式等效电路模型.利用泊松方程求解了均匀掺杂条件下CCM单元的电势分布,通过基尔霍夫电压定律(KVL)得到了该单元的最大电势表达式,从而得到了其分布式等效电路.同时,结合该单元...     

CCD图像传感器输出节点电荷容量设计

从电荷耦合器件(CCD)的满阱电荷容量和片上放大器的工作电压范围两个方面对器件的节点电荷容量进行了设计,并推导出输出节点电荷容量设计的优化公式。从公式中可以看出,输出节点的电荷容量设计除了需要满足CCD信号电荷转移本身所需的容量值以外,还必须保证节点处的电压变化范围在输出放大器线性工作区域内,才能使信号电荷能够完整线性地被放大器输出,从而保证CCD器件整体的非线性和满阱容量性能。因此,输出节点电荷容量的设计除了需要考虑节点自身的电容外,还应综合考虑输出放大器相关MOS管的宽长比、阈值电压、工作电压等因素。     

用于12位250 MS/s电荷域ADC的2.5位子级电路

提出了一种用于12位250 MS/s电荷域流水线模数转换器(ADC)的2.5位子级电路。采用增强型电荷传输电路,实现电荷传输和余量电荷计算,省去了传统流水线ADC中的高性能运放,大幅降低了ADC的功耗。该2.5位子级电路被应用于一种12位250 MS/s电荷域流水线ADC中,并采用0.18 μm CMOS工艺实现。测试结果表明,在250 MS/s采样率、20.1 MHz输入频率下,该ADC的SNR为65.3 dBFS。     

开关电容网络Z域分析的回路电荷法

本文导出一般开关电容支路的Ｚ域电荷耦合模型，提出一种适用于多相开关电容网络Ｚ域分析的回路电葆法。     

一种新型锁相环电荷泵的分析与设计

在分析传统电荷泵的一些不理想因素的基础上,提出一种新型的电路结构,以解决电荷泵的电流失配、电荷共享、电荷注入现象。本设计电路结构简单,电流匹配好,输出电压稳定。基于65nm CMOS工艺仿真结果表明:电荷泵充放电电流大小基本相等,环路稳定后输出电压Vc最大起伏为20μV。