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最近报导了在原子蒸气中,工作在三能级双光子近共振情形的光学双稳实验。由于在F-P腔内形成对双光子跃迁消除Doppler效应的结构,所有原子都对光学双稳的形成具有贡献,因此会形成较好的双稳特性。本文试图对双光子共振介质中的双稳特性进行一般性的理论分析,包括稳态双光子离共振情形,稳态双光子近共振情形以及瞬态双光子近共振情形。 对于双光子离共振情形,本文不需引入通常采用的平均场近似,便可得到一般非线性标准具的双稳特性方程组。 相似文献
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ZnS/ZnSe迭层光栅的光学双稳 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道了室温下,在脉冲Ar^+激光作用下,具有ZnS/ZnSe迭层光栅结构的光学双稳,双稳开关时间约为100ps,其非线性机理可能是由材料非线性吸收引起的“带填充”效应和迭层光栅内部层间反射共同作用的结果。 相似文献
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王海 《激光与光电子学进展》2005,42(12):9-9,8
在光学腔与四能级原子组成的非线性光学双稳系统中,利用调谐于不同能级附近的控制信号光脉冲使光学腔模产生“正”或“负”的非线性相移,实现了光学双稳迟滞曲线的受控移动及双稳“高态”与“低态”之间的可控跃变。基于上述效应,我们完成了光学信号的全光存储。 相似文献
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制备了有机染料Eosin掺杂PVA聚合物薄膜,并实验研究了它的光谱特性和非线性光学特性,从理论上分析了这种掺杂薄膜的双稳产生机理。用Ar~+激光514.5nm线、实验测得其开关阈值功率约40mW,开关时间约200μs。 相似文献
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以光纤马赫曾德尔干涉仪作为光强度调制器件,通过光纤耦合器构造光电反馈回路搭建了一种新型电光混合型光学双稳装置。对光学双稳原理进行了研究分析,用图解法形象地解释了双稳工作原理,并且通过在实验中改变该器件的输入光强实现了光学双稳态,得到的光学双稳现象显著,双稳工作状态稳定。该器件有诸多重要应用,如工作在稳态区域时可用做光纤激光功率稳定器,工作在开关区域时可用作光开光、光路由器。 相似文献
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我们首次从实验上证实了平面胆甾相液晶元件的光学双稳性和自脉动现象。 利用小功率(5mW)He-Ne激光(6328A)详细研究了光场感应分子再取向动力学、相移相位光栅的形成和液晶元件的制作方法。当光强约为10W/cm~2时,我们成功地观察到双稳鱼形衍射花样和自脉动现象,脉动周期约为1s。液晶元件厚度约50μm。 相似文献
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一般文献认为在非线性介质中,观察到增加吸收无镜光学双稳的条件是α_0L≤0.18。但是我们用不同厚度的高吸收ZnSe多晶所作的实验表明,样品的吸收从1.13至13之间均有类似的双稳曲线出现,只是开关阈值随样品厚度的增加而增加。而且无论在什么情况下,只要入射光功率超过一定极限,总是介质的入射表面层被摧毁。由此,我们认为,在高吸收介质中,增加吸收光学双稳仅运转于样品中α_0L_0≤0.18的前表层,后层可被看作线性吸收体和纵向散热器。从这一双层模型出发,解介质中的三维热传导方程,我们计算了双稳的阈值功率。理论计算与实验结果基本符合。 相似文献
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大多数关于光学双稳的研究都基于平面波近似,即不考虑入射激光的高斯线型。但当入射光光斑尺寸同双稳器件相比很小时,其线型必须考虑。光斑对双稳器件的作用沿横向有所不同,导致双稳特性沿横向具有一定分布,此即横向效应。 相似文献
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目前,利用光子特性形成大容量和超平行运算的光子计算机研究引起人们广泛的兴趣。无论是模仿电子计算机的二进制数值光计算机结构,还是用符号代换进行光计算以及光信息的存储,都离不开具有光学双稳特性的阈值器件,非线性干涉滤光片光学双稳器件,具有开启阈值功率低、开关速度快,可室温工作于可见波段等优点,因此在探索逻辑开关功能,研究全光学数字计算和体系结构方而受到人们的重视。本文报导利用其透射、反射双稳特性,获得多种逻辑功能;并报告双稳器件对冲开关特性的研究,用于构成光学关联存储、干涉滤光片型空间光调制器的阈值器件。 相似文献
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光学三稳性临界点的二级相变特征 总被引:4,自引:0,他引:4
本文中我们唯象地提出了一个光学非一性系统的动力学模型,阐明了光学三稳系统的临界现象同样可以纳入朗道相变理论的模式,将相变的朗道理论由原来的双稳系统推广到三稳系统,揭示了不同光学非线性系统在临界点附近的共性。 相似文献
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孙懋琮 《激光与光电子学进展》1987,24(3):10
光学双稳性的研究是一个较新的领域。尽管双稳二极管激光器早在1964年就出现了,但对这一课题的广泛兴趣却产生在七十年代后期。现在光学双稳性研究的进展如何?它的前景究竟怎样?这些都是人们所关心的。“激光集锦”杂志的编者为此邀请世界上从事光学双稳装置研究的六位主要专家做了书面讨论。 相似文献
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报导了输出反馈泵浦型双稳半导体激光器双稳物性随器件参量变化的实验结果,双稳实验曲线和理论计算曲线的对比分析表明,双稳特性随各参量变化规律安全相同,实验和理论之间的微小差别来源于光探测器的实测饱和曲线和理论模型之间的差异,以及实际的半导体激光器存在自发辐射。 相似文献
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