添加MnO2对ZnO-B2O3-P2O5-RnOm玻璃性能的影响

在ZnO-B<,2>O<,3>-P<,2>O<,5>-R<,n>O<,m>(R=Na、Al、Li)系玻璃中掺杂摩尔分数1%～5%的MnO<,2>,分析了MnO<,2>掺杂对玻璃的耐水性和流散性的影响,通过XRD分析了晶相的变化,通过摄像照片观察了玻璃试样受水侵蚀后表面形貌的变化.结果表明:当x(MnO<,2>)=3%时...     

MnO2掺杂对ZnO-B2O3-P2O5-RnOm玻璃性能的影响

在ZnO-B<,2>O<,3>-P<,2>O<,5>-R<,n>O<,m>玻璃中掺杂摩尔分数0～5%的MnO<,2>,分析了MnO<,2>掺杂对该玻璃线膨胀系数a1,密度ρ、电阻率R<,v>,的影响,通过DTA、红外、拉曼光谱和XRD分析了玻璃的结构.结果表明:x(MnO<,2>)>3%时,随着x(MnO<,2>)的增...     

Si掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Mn<,1.05-x>Co<,0.92>Ni<0.03,>Si<,x>O<,4>(O≤x≤<,0.05>)系列NTC热敏电阻样品,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Si掺杂量对样品相结构和电性能的影响.结果表明:当0≤x≤0.03时,样品为尖晶石立方相和四方相的固溶体,室温电阻率р<,2...     

MoO3掺杂Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电性能研究

采用固相反应法制备了Ba<,0.98>Bi<,0.02>(Ti<,0.9>Zr<,0.1>)<,1-x>Mo<,x>O<,3>(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了MoO<,3>掺杂对Ba<,0.98>Bi<,0.02>(Ti<,0.9>Zr<,0.1>)O<,3>陶瓷的相结构、表面形貌和介电性能的影响....     

Sm2O3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响

为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm<,2>O<,3>掺杂的PMN陶瓷(PSMN).研究了Sm<,2>O<,3>掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值...     

Nd2O3掺杂K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷压电性能的研究

采用传统固相反应法制备了K<,0.5>Na<,0.5>NbO<,3-x>Nd<,2>O<,3>(简称KNN-<,x>Nd)系列无铅压电陶瓷,研究了不同Nd<,2>O<,3>含量(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.50,0.60,1.00)样品的物相组成、显微结构及压电性能.结果表明:A位的Nd<'3+...     

电子束沉积In2O3基W-Mo共掺薄膜的特性研究

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率I2O3基W-Mo共掺(IMWO,I<,2>O<,3>:WO<,3>/MoO<,3>)薄膜,研究了不同等量WO<,3>-MoO<,3>掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响.IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型.随着WO<,3>-MoO<,3>共掺量的增加,IMWO薄...     

稀土锰氧化物Sm1-xBaxMnO3的结构、红外及电性能研究

采用传统固相反应法,制备了一系列钙钛矿结构的稀土锰氧化物Sm<,1-x>Ba<,x>MnO<,3>(x=0～0.5)样品,借助XRD和FTIR对样品的相结构和组成进行了研究,用四端子法测量了样品在室温下的电导率.结果表明,当x<0.4时,样品为单一的钙钛矿结构;当0.4≤x≤0.5时,样品为Sm<,1-x>Ba<,x....     

Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究

利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O₂)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O₂铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达31.7 μC/cm²,矫顽电压约为1.6 V,电学性能明显提高。在150 ℃高温下,Hf0.5Zr0.5O₂基铁电电容器的电学性能仍然良好,证明了退火工艺和机械夹持工艺对电学性能的优化作用。     

掺CeO_2纳米MnO_2非对称超级电容器的研究

采用化学共沉淀法制备出超级电容器用掺CeO2的MnO2电极材料,通过XRD、SEM对样品进行了表征,研究了掺杂量对MnO2电极稳定性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50～100nm;在6mol/L的KOH电解液中,该掺杂MnO2电极材料具有优良的电容行为和循环稳定性能。当掺CeO2量为10%(与MnO2的质量比)时,在电流密度为250mA/g时,比电容量达257.68F/g;循环500次,容量仅衰减1.18%。     

A12O3掺杂对MnCONi系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统固相法制备了Co1.5-xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明：随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,...     

ZnO-CuO掺杂对Mn-Co-O系NTC热敏电阻微观结构与电性能的影响

以Mn3O4和Co3O4为原料,ZnO和CuO为掺杂剂,采用固相反应法制备了Mn2.3Co3.7-x-yZnxCuyO4(x=0,0.03和0.06:y=0,0.05,0.08,0.10和0.20)单层片式NTC热敏电阻材料.研究了该材料的微观结构和电性能.结果表明:通过掺杂ZnO和CuO,可以制备低阻高B型Mn-Co...     

Zr与稀土Nd复合掺杂对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响

在1 270℃的烧结温度下,采用固相反应法对BaTiO3粉体进行Nd2O3和ZrO2双施主复合掺杂,合成(Ba0.98Nd0.02)(Ti1–xZrx)O3(BTNZ)陶瓷,研究了Zr掺杂量对BTNZ陶瓷的显微结构及介电性能的影响。结果表明:随着Zr掺杂量的增加,BTNZ陶瓷的介电峰移向室温;加入适量的Zr离子替代BaTiO3中的Ti离子能很好地改善BTNZ陶瓷的介电性能,当Zr掺杂量为x=0.01时,BTNZ陶瓷的相对介电常数可达7 200。     

铅锰锑系压电陶瓷介电性研究

采用预合成及掺杂适量MnO2等工艺制备了钙钛矿结构为主的压电陶瓷材料Pb（Mn1/3Sb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y(Zr0.535Ti0.465)1-x-yO3,此材料具有机电耦合系数高、介质损耗小、介电常数与机械品质因数适中的特点。引入MnO3使其成为单一的钙态矿结构,并且提高了材料的介电与压电性能。     

PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能

采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1–x)O3(x=0.50~0.55,PNiTa-PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266pC/N,tC为394℃,tanδ为0.0055,ε3T3/ε0为1297。其中tC比目前文献报道的PZT基压电材料高30~50℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用。     

Bi_2O_3-MgO掺杂对Z型六方铁氧体电磁性能的影响

采用固相反应法,制备了Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O4Z型六方铁氧体。研究了Bi2O3-MgO复合掺杂对低温烧结Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O4Z型六方铁氧体的显微结构和电磁性能的影响。结果表明:在固定w(Bi2O3)为3.0%的基础上,当掺入的w(MgO)为0.6%时,此Z型六方铁氧体可在900℃下低温烧结,高频电磁性能得到了显著的提高,材料在300MHz时的磁品质因数Q值从7.1提高到14.5,εr和tanδ分别从16.0和0.04100降低到10.8和0.00355,有望成为高频片式电感用材料。     

Cu、Zn掺杂对Co2Y软磁铁氧体性能的影响

介绍了通过掺杂Cu、Zn离子对Co2Y(Ba2Co2Fe12O22)型平面六角结构软磁铁氧体的成相及其性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品，Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22(x=0-1.2)的合成温度低，成相温度范围比较宽，易于成相。在甚高频段，对Ba2Co1.2-xZnxCu0.8Fe12O22的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

La_2O_3掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Mn1.6Co0.8Ni0.6O4–xLa2O3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)系列NTC热敏电阻样品,运用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了La2O3掺杂对样品相结构和电性能的影响。结果表明:所制掺杂样品均由尖晶石相和钙钛矿相组成,其中钙钛矿相的名义组成可用化学式La(Mn-Co-Ni)O3表示,随着La2O3掺杂量x由0增加到0.07,Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料的电阻率由643.cm增加到912.cm,相反地材料常数B值却由3 464 K减小到3 393 K。     

铜掺杂量对钴酸钙热电性能的影响研究

采用sol-gel法制备了掺Cu的钴酸钙(Ca3Co4O9)热电材料,研究了Cu掺杂量对其物相、电导率σ、Seebeck系数S和功率因子P的影响。结果表明:随着Cu掺杂量的增加,试样中Ca3Co4O9的含量下降,但试样的电导率增加;试样的Seebeck系数和功率因子先增加后下降。试样(Ca0.90Cu0.10)3Co4O9在973 K时的功率因子最大,为15.3×10–4 W.m–1.K–2。