基于AD8302的幅相测量模块

文章对AD8302的基本工作原理、功能和特点做了简单介绍,着重研究了AD8302用于幅相测量的模式,最后给出了此芯片在实际工作中的一种典型测量应用电路。     

用AD8302实现幅相测量系统

本文介绍了用于RF/IF幅度和相位测量的新型芯片AD8302的功能及特点,并给出了此芯片在实际工作中的两种典型应用。     

基于AD8302芯片的新的幅相测量系统

介绍了利用美国AD I公司AD8302芯片测量RF/IF幅度和相位差的一种幅相测量系统。由于该芯片将精密匹配的两个对数检波器集成在一块芯片上,因而可将误差源及相关温度漂移减小到最低限度,可用于GSM(全球移动通信系统)、电力系统的阻波器、结合滤波器等领域。给出了该芯片的工作原理、模式及典型应用;介绍了该芯片在电力阻波器测试仪中的应用以及测量幅度、相位差、阻抗计算的方法。     

AD8302在幅相检测系统中的应用

本文介绍了RF／lF幅度和相位测量芯片AD8302的功能及特点。并给出了此芯片和89C51单片机组成的幅相检测系统的设计方案。[编者按]     

计算机控制的宽带频率特性测试系统

介绍了计算机控制的宽带频率特性测试系统的设计.主控计算机通过RS-232C口向基于单片机的频率特性测量电路输出频率控制字,并控制AD9854 DDS芯片产生宽带的扫频信号.利用AD8302的增益/相位测量功能实现了幅频特性与相频特性的测试,并结合A98854的正交输出解决了AD8302不能区分相位超前与滞后的问题.系统用户界面良好,具有较高的性价比.     

小型化数字测频接收机

本文介绍了AD公司的RF/IF相位和幅度测量芯片AD8302,并以此芯片为核心,组合功分器、延迟线和FPGA芯片设计了瞬时测频接收机,改进了传统的设计方案.依照设计制作了测频系统,并对系统整体性能进行了测试,测试结果表明本系统可以准确测量1.4～2.0 GHz范围内的信号,测频精度为10 MHz.     

高达2.5GHz射频段增益与相位的准确测量

该文阐述射频段增益与相位准确测量的原理与方法,介绍了美国模拟器件公司AD8302产品在高达2.5GHz射频频率范围内增益与相位测量中的应用方法以及该芯片的其他使用方法。     

多路射频信号相位差现场测量系统设计与实现

设计并实现了四路射频信号相位差测量系统,采用模拟乘法器芯片AD8302测量二路射频信号的相位差。设计了特殊的电路,将基于AD8302的相位差测量系统的测量范围从180°扩展到360°。采用基于CAN总线的数据采集系统实现相位差的现场测量。该系统的相位差测量范围为0°～360°,相位差测量精度为0．1°,误差约为±1°。该系统工作频带宽、电路简单、易于实现,可用于需要实现远距离测量多路射频信号间的相位差的场合。     

宽频带幅度比和相位差测量系统的设计

AD8302是一款集测量幅度和相位于一体的单款集成电路,且测量精度高,测量频带范围宽。适用于移动通信及接收系统。介绍AD8302结构原理及工作模式,并结合C8051F单片机对AD8302测得的2路信号的幅度比和相位差值进行模数转换,构建一个基于C8051F单片机的片上数据采集系统,并利用VB语言编写单片机与PC机的串口通信,可将实时采集到的数据送到PC机中。     

基于DSP的低频频率特性测试仪

传统的频率特性测试仪不仅价格昂贵,且得不到相频特性,更不能保存频率特性图和打印频率特性图,也不能与计算机接口,给使用者带来了诸多不便.而本文采用DDS技术作为扫频信号源;同时采用了集成模拟芯片AD8302对幅度和相位进行检测,用DSP芯片TMS320VC5409和CPLD芯片EPM7128进行测量控制和数据处理,人机接...     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices