ITO区黑化法修复亮点理论模型及工艺参数分析

本文基于飞秒激光烧蚀机制建立并通过实验验证了ITO区黑化法修复亮点的理论模型,分析了各个工艺参数对修复效果的影响,为亮点不良修复成功率的提升奠定基础。首先通过一系列实验点灯检测、显微镜图片和聚焦离子束(FIB)图片分析结果验证了所创建的修复理论模型;然后利用对比试验分别探究了单脉冲激光单位面积的能量密度e、扫描速度v、激光频率f和光斑大小a等工艺参数对ITO区黑化效果的影响;最后为了深入分析ITO区黑化法的烧蚀机理,提出并验证了囊括所有工艺参数的变量"w",成功地为亮点不良修复成功率的提升提供了理论依据。实验结果表明,a在4.0～10.0μm,e在1.0mJ/mm2以上,w在4 250～12 500mJ/mm2时,ITO烧蚀后的黑化效果均达到了暗点标准(≥95%),且在点灯条件下未产生其他不良。根据实验结果,将该理论模型和工艺参数分析应用到量产,亮点不良修复成功率达到了95.5%。     

黑矩阵遮挡法修复液晶显示屏亮点成功率的研究

液晶显示屏由于其生产工艺复杂,在制作过程中会出现点缺陷,最常见的是亮点。一般的维修方法是通过激光破坏控制该像素电路的方法使之成为暗点。最近发展了一种使用激光将亮点周围的黑矩阵进行颗粒化然后推入像素上进行遮挡的修复方式,但成功率不是很高。通过研究不同颜色对光波能量吸收的理论,并通过一系列实验,将原来红、绿、蓝像素使用同一激光能量更改为使用不同的激光能量,找到各自相应合适的激光能量,使得维修成功率大大提高至接近100%。     

AMOLED亮点不良修复方法

为了提高有源矩阵有机发光二极管面板(AMOLED)亮点不良修复成功率,优化设备性能,本文研究一种AMOLED亮点修复方法,实现阴极隔离原理。由装置激光调形机构(Slit)的激光修复设备构造一束固定形状和频率的脉冲激光束。该激光束透过AMOLED面板封装层,照射目标亚像素上方阴极膜层,使目标亚像素发光层与面板整体阴极隔断,阴极电子无法迁移至目标亚像素发光层,目标亚像素由亮点变为暗点,达到亮点修复目的。提出并比较了矩形修复法与线修复法,结果表明:矩形修复方法成功率为33.5%,容易出现封装层损伤,信赖性风险高;线修复方法成功率为100%,无封装层损伤风险,信赖性风险低。将线修复方法导入量产后,亮点不良修复良率由96.9%提升至100%。     

小尺寸TFT-LCD GOA显示屏不良横纹的研究

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,在小尺寸TFT-LCD窄边框显示屏上的应用也越来越频繁,但是由于GOA电路的复杂性和TFT器件自身的稳定性,以及外界温度、湿度的影响,显示屏还存在显示不稳定的问题。本文针对小尺寸TFT-LCD GOA显示屏在高温高湿环境下产生的异常显示横纹,进行了深入分析与改善研究。通过对GOA区域ITO过孔电阻测试、显微镜检查以及修复实验验证,找出了不良产生的直接原因为ITO发生腐蚀,过孔电阻增大,导致GOA驱动信号无法上下导通。接着进一步研究ITO腐蚀发生的条件、ITO腐蚀情况、驱动信号对应关系以及腐蚀成分,证明了ITO发生腐蚀原因为产品长期工作(200h左右)在高温高湿环境下,由于水汽的不断渗入,使GOA区域ITO发生了电化学腐蚀效应。最后根据电化学腐蚀原理,通过采用隔水性强的封框胶、增加ITO膜厚以及降低ITO电位差等措施对工艺进行了改善,结果表明改善后的显示屏超过1 000h,未发生ITO腐蚀。     

一种具有多层ITO结构的高效屏蔽光学视窗

针对现有屏蔽光学视窗透过率低、表面反射率高的缺点,提出一种高效屏蔽光学视窗的设计方法。即将ITO材料作为光学介质的一种,采用匹配的多层膜设计原理,将多层ITO匹配到减反膜系中,通过用Madab语言对膜系进行仿真、优化,实现了反射率低于0．3％,透过率大于99％的光学性能,并通过特殊的结构把多层ITO连接在一起,实现高效电磁屏蔽性能。     

业界要闻

＂十二五＂规划重磅出炉MOCVD国产化成亮点日前,国家＂十二五＂科技规划重磅出炉,海水淡化、新能源汽车、节能环保三大产业均设定了具体的数字指标,其中LED设备与MOCVD国产化成为三大亮点之一。     

快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响.结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33 Ω/口和93.1％,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3％;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70 Ω/口和95.9％,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8％;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58 Ω/口和95.4％,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9％.     

无源LCD液晶面板制造新工艺探讨

无源LCD面板及触摸屏制作过程通常采用湿法刻蚀的方法来制作ITO电极图形,在生产过程中要用到光刻胶、刻蚀液、脱膜液等对环境有污染的材料,而对这些生产过程中的污染物要进行环保处理后才能排放。且工艺过程长,加工成本较高,加工后的ITO图形存在明显的缺陷,如ITO电极线条边缘有毛刺等。文章介绍了一种用激光刻蚀的方法来代替传统的湿法刻蚀方法,来加工用于无源LCD面板及触摸屏等平板显示器的ITO电极图形方法,缩短了工艺过程以及节约了成本、提高了产品质量。     

GaAs饱和吸收体的弹性性质的第一性原理

基于密度泛函理论的平面波赝势方法,运用Castep软件研究了带有不同本征点缺陷的GaAs饱和吸收体的晶格常数和弹性性质,得到了在不同的点缺陷影响下的GaAs晶体的弹性常数,并采用Voigt-Reuss-Hill方法计算得到相应的体积弹性模量B、剪切模量G,并与理想GaAs晶体的弹性模量数值进行对比.本征点缺陷的存在破坏...     

声子晶体滤波器中点缺陷位置和大小对透射率的影响

基于二维正方晶格声子晶体滤波器的直接耦合结构,研究了点缺陷的位置和大小对透射率的影响,从而设计出性能最佳的声子晶体滤波器。利用时域有限差分方法,使用COMSOL软件进行仿真,讨论了点缺陷对声子晶体滤波器性能的影响。仿真结果表明:当直接耦合声子晶体滤波器的点缺陷位于线缺陷中间位置、点缺陷处介质柱的填充率为0.022 8时,滤波器的透射率高达92%,符合设计要求。     

TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。     

In-process functional testing of pixel circuit in AM-OLEDs

This paper presents a functional testing scheme using a two-thin-film-transistor (TFT) pixel circuit of an active-matrix organic light-emitting display (AM-OLED). This pixel circuit and the co-operative electrical testing scheme can not only evaluate the characteristics of each TFT, but also determine the location of line and point defects in the TFT array. Information on defects can be used in a unique repair system that cutting and repairing these defects. Furthermore, the functional testing scheme can be applied as a part of yield management of the AM-OLED array process.     

线缆聚合物熔体强度及其对挤塑的影响

阐述了聚合物熔体强度对线缆挤塑的影响,指出影响聚合物熔体强度的主要因素,比较了支化型低密度聚乙烯和线型高密度聚乙烯熔体强度的特性.采用熔体张力流动法测试了物理发泡绝缘射频(RF)同轴电缆聚乙烯绝缘料的熔体强度,详细分析了如何利用聚合物熔体强度来提高发泡质量,其中包括对绝缘料、挤塑设备和工艺参数的选择.最后指出较低的熔体强度将导致阻燃聚烯烃、尼龙和高密度聚乙烯等线缆聚合物挤塑产品的缺陷,并提出了工艺改进的建议.     

TFT-LCD阵列腐蚀性缺陷分析(英文)

在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因。文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析。确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成。另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨。     

Low-pressure H2/N2 annealing on indium tin oxide film

Annealing of indium tin oxide (ITO) film in low-pressure H₂/N₂ was investigated. On carefully selecting the annealing process window, apparent electrical property improvement as well as good optical property can be obtained. It was found that ITO annealed with 2 Pa, H₂/N₂:6/6 sccm, at 500 °C for an hour can increase its electrical conductivity 60% more than ITO without annealing, 58% more than ITO annealed with pure H₂. An annealed ITO without specially selected recipe can easily possess worse electrical and optical properties than that without annealing. It can be explained that annealing ITO in a hydrogen-contained environment can lead to hydrogen reduction–oxygen vacancy playing a donor role in ITO; however, annealing also provides the energy to remove ITO material defects including donors.     

基于神经网络的局部放电模式识别方法研究

局部放电是评价在线高压电器绝缘状态的重要技术参数之一.绝缘缺陷和局部放电紧密关联,在线监测高压电器运行状态,实时采集绝缘局部放电信号并对其进行数理分析处理和属性分类,推断、预测绝缘缺陷部位及放电发展程度,可以预报预防事故发生.因此,局部放电模式识别技术的研究和理论探讨具有重要的工程应用价值和学术意义.因此,文中将神经网络应用于局部放电的模式识别并进行研究,对数据进行归一化处理后得到较好的网络收敛性和识别速度.     

无铅药芯焊锡丝用非松香基固体助焊剂的研究

针对现有松香固体助焊剂活性温度低和焊后变色的问题,研制了以十八酸、聚乙二醇和少量耐热松香作为载体,以己二酸和癸二酸复配作为活性剂的非松香基固体助焊剂.此助焊剂常温下为白色膏状,熔点范围110℃～130 ℃,满足Sn-0.7Cu无铅药芯焊锡丝灌芯和拔丝工艺.助焊剂中各成分沸点在300℃左右,满足手工烙铁焊高温要求且大大减...     

基于Canny算法的10kV电缆主绝缘表面缺陷识别方法

主绝缘表面存在划痕与污渍类施工缺陷容易导致 绝缘故障,采用图像识别技术可以 智能管控施工缺陷。针对10 kV电缆主绝缘表面划痕与污渍缺陷边缘 不易检测的问题,本文提 出一种基于Canny算法的10 kV电缆主绝缘表面缺陷识别方法。本文首 先利用尺寸不变特征变换(scale-invariant feature transform,SIFT)方法完成对 电缆主绝缘图像的拼接,再借助Canny算法计算主绝缘表面缺陷边缘的梯度与幅值、抑制极 大值信息点、去除伪边缘,得到由划痕与污渍产生的缺陷边缘信息。实验结果表明,由本文 算法检测后电缆主绝缘表 面缺陷图像的边缘轮廓具有较高的纯净度和完整性,缺陷边缘更加 清晰,算法平均准确率达到95.42%,验证了算法的有效性。     

The influence of indium tin oxide deposition on the transport properties at InP junctions

The influence of the deposition of indium tin oxide (ITO) on the electrical properties at n- and p-InP junctions have been investigated by current-voltage-temperature and capacitance-voltage measurements. It was found that the formation of the ITO layer on n-type InP substrates causes the reduction of the barrier height and subsequently forms an ohmic contact. The ITO layer on p-type substrates increases the barrier height by 200–300 meV, and causes a defect-assisted tunneling at low forward bias. The results, therefore, can be explained by the introduction of process induced donor-like defects, with the formation of a thin n⁺-layer in the near-surface, decreasing the barrier height for n-substrates and increasing the barrier height for p-substrates. These results support the buried n⁺/p-junction model for ITO/p-InP solar cell structures.