姬松茸新菌株J3的细胞生物学鉴定与菌盖不同部位微量元素含量分析

利用扫描电镜和X射线能谱仪对姬松茸菌株J3与原菌株J1子实体的菌盖皮、菌盖内和菌褶中常见的微量元素S、P、Ca、K、Fe、Cu和Zn进行了测定,计算了它们的相对重量百分比。利用扫描及透射电境观察姬松茸菌株J3与原菌株J1菌丝体、子实体的表面和内部结构。结果表明菌盖皮、菌盖内和菌褶均含上述各种微量元素,但含量各不相同;姬松茸J3菌丝表面有明显竹节状,在菌丝的外部形态特征上不同于原菌株J1。此外,姬松茸J3细胞壁厚,而出现重度质壁分离;姬松茸菌株J3子实体中淀粉粒、线粒体均比原菌株J1多。由此,说明姬松茸J3与原菌株J1在细胞学特性存在一定差异。     

平菇、香菇担孢子超微结构的初步研究

本实验对平菇和香菇的担孢子进行了超微结构的比较研究,并对其观察方法进行了探索,取得了一定结果,为鉴别食用菌远缘融合杂种提供了重要形态依据。将平菇品种美味侧耳(Pleurotus sapidus)、糙皮侧耳(Pleurotus ostrsatus)和香菇品种“8001”(Leutinuseodes)、CRO2的子实体分别放在倒扣的烧杯中,并在其下放一块滤纸,将载有Formva膜的铜网放在每个烧杯中菌盖下方的滤纸上,待其孢子自由散落在铜网上,然后用透射电镜H-600-2A进行孢子的外形观察。将镜体明暗场精确合轴后进行暗场观察,可获得孢子的立体网象(图1,3)。该方法样品制备简     

趾甲镰刀菌病真菌的扫描电镜观察和特殊制样方法

本文经反复摸索对比,总结出一套简便、完整、快捷的真菌扫描电镜（SEM）样品制备方法,并对分离培养趾甲镰刀菌病的镰刀菌（Fusarium,F）进行了表面超微结构观察。在SEM下可清晰地分辨出真菌的菌丝和大、小分生孢子。茵丝粗细均匀,形态饱满,表面有较规律且微微隆起的分隔,其上偶有分支,彼此连通。大、小分生孢子则以孢尖或孢体依附贴合于菌丝上,其中大分生抱子较稀疏,呈镰刀形或纺锤形,两端较尖,孢体稍弯曲,背腹明显,有2～5个环状竹节样膨隆,其中小分生孢子较密集,呈卵圆形或梨形,无或偶见一隔膜,且两种孢子均有顶端和侧壁出芽。SEM观察结果为真菌的病原学分类和抗真菌药物筛选等方面提供了形态学依据。     

不同pH值条件下金福菇菌丝体形态的电镜观察

应用扫描电子显微镜观察不同pH值相同培养基对金福菇菌丝体大小、锁状个数和表面结构的影响。结果表明：pH值为8处理的金福菇菌丝宽比pH值为6、7处理的金福菇菌丝宽了17.24%和22.30%,差异达极显著水平（P〈0.01）。而金福菇菌丝锁状个数也比pH值为6和7处理的金福菇锁状个数多了75.19%和133.00%,差异达显著和极显著水平（P〈0.05和P〈0.01）。电镜观察显示,不同pH值条件下金福菇菌丝体形态发生明显改变,甚至形态严重改变;有的菌丝体扁和纹饰模糊,表面粘着单核体或堆积花菜状。有的锁状大小均匀,有的干瘪或无纹饰。     

白木耳和黑木耳子实体的电镜观察

白木耳(Tremella fuciformis)和黑木耳(Auriculari a auricula)属担子菌纲、银耳目、银耳科和木耳科。它们都是胶质菌,子实体成耳状,担子有隔。白木耳是一种木材腐生菌,当它新生出时是一小块白色的糊胶状物,在湿度等条件适宜时,逐渐生长成纯白色花朵状菌体。子实体新鲜时柔软而有弹性,直径约3—10厘米,高约2—5厘米、干时呈微黄色,角质坚硬,遇水后又能恢复原状。其繁殖时先由担孢子萌发形成菌丝体,在条件适宜时形成子实体。成熟的子实体的瓣片表面有一层白色粉末,即为担孢子,其大小约为5—6×4.5微米。黑木耳是由菌丝体和子实体组成。菌丝体无色透明是具有横隔和分枝的绒毛状菌丝组成;子实体呈波浪状,有弹性,中凹,往往呈耳状渐变为叶状,直径一般4—10厘米,干后强烈收缩成角质,硬而脆,子实层变为深褐色或茶褐色,     

凝胶燃烧-等离子法制备磷灰石型氮掺杂硅酸镧

采用凝胶燃烧-等离子氮杂方法制备了磷灰石型硅酸镧(La9.33Si6O26-1.5xNx)固体电解质,并对氮杂样品进行了XRD、FT-IR和Raman表征,测试了样品的热稳定性及电导率。结果表明:La9.33Si6O26-1.5xNx的六边磷灰石型物相结构不变。氮杂导致硅酸镧晶体结构中[SiO4]的环境发生改变,并影响其振动模式。TG-DSC分析表明氮杂硅酸镧的烧结温度应为1 200℃。在微波功率为300W,作用时间为15min条件下制备的氮杂硅酸镧的烧结体的电导率达1.28×10-2 S.cm-1(800℃)。初步分析认为氮杂导致通道氧空位浓度增加、氧离子迁移速率加快、电导率变大,形成空间电导增强效应。     

环形铥光纤激光器中脉冲簇及其簇群的产生

本文研究了基于非线性偏振旋转锁模的铥光纤激 光器中脉冲簇及脉冲簇群的产生。通 过在环形腔内引入两段长度分别为100 m和350 m的SMF-28光纤来增强腔内非线性和色散,从 而产生了脉宽为30 ns的束缚态脉冲簇。一 个束缚态脉冲簇可以产生12个振幅不同但时间 间隔相同的子脉冲。发现调节偏振控制器角度可以改变脉冲簇宽度以及子脉冲个数,进一步 调节还可使子脉冲分离而形成脉冲簇群。脉冲簇群形成有规律间隔的准量子化分布,其分离 的子脉冲脉宽为2.8 ns。实验中还产生了稳定的二次谐波锁模脉冲簇 ,并发现子脉冲的多种形态组合形式。     

抗变链菌IgY防龋作用的形态学观察

目的：了解抗变链菌IgY(抗变形链球菌鸡蛋黄抗体IgY)及膏体IgY(抗变链菌IgY被包裹于牙膏体)对体外培养变形链球菌形态的影响和对大鼠口腔病原菌的抑制作用。方法：(1)分别用抗变链菌IgY(浓度为0．015％、0．08％和0．15％)和膏体抗变链菌IgY处理体外培养的变链菌,应用透射电镜和扫描电镜观察其超微结构;(2)选10只大鼠．将膏体抗变链菌IgY涂抹于大鼠牙齿及牙龈表面,一周后取样作光镜和扫描电镜观察。结果：实验组部分变链菌细胞壁及荚膜层结构模糊;涂抹膏体抗变链菌IgY大鼠的牙龈、牙齿表面、窝沟和龈沟内细菌和菌班数量明显减少。结论：抗变链菌IgY和膏体抗变链菌IgY可导致变链菌细胞壁及荚膜变化;膏体抗变链菌IgY可抑制大鼠口腔病原菌生长。     

激光快速成形过程熔池行为的实时观察研究

通过建立近距离连续拍摄系统实现了对激光快速成形过程中熔池行为的实时观察,并采用图像分割算法获得了熔池侧视形态,结合熔覆试样的定量金相法获得的熔池前视形态,对熔池进行了定量表征。结果发现,熔池的长度和宽度与光束直径相当,熔池自由表面呈圆弧形并向外凸起,最大熔深处熔池自由表面法向和激光束轴线之间存在夹角,表明熔池向激光束轴线方向倾斜,而熔池在液态存在时间较短,例如光束直径为4mm,光束扫描速度为5mm/s时,熔池在液态存在时间小于1秒。激光熔覆区的高速摄影实验结果发现,随金属粉末的射入,熔池的几何尺寸逐渐减小,熔池后沿不断抬高,最大熔深处熔池自由表面法向和激光束轴线之间的夹角由1度左右逐渐增大到25度左右,导致熔池中局部凝固条件发生改变,从而影响到局部熔覆层的微观组织。     

ZnO基紫外光电探测材料研究

ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度约为3.37 eV,对应紫外波段的光子能量,且ZnO具有较高的化学和热稳定性,较强的抗辐射损伤能力,来源丰富,电子诱生缺陷较低等特点,适用于制备高性能的紫外探测器。而ZnO在掺杂后形成的合金可调节其禁带宽度,并与ZnO的晶格失配度及热膨胀系数差别较小,可构成量子阱或超晶格结构被广泛地应用于光电器件中,提高光电性能,所以相关的带隙工程的开展有利于推进实用的高性能的ZnO基光电器件的开发。尤其是对于ZnO基紫外探测器件,ZnO基三元合金具有可调控其探测波段到日盲区的特点,在此基础上所实现的紫外探测器在军事和民用领域具有广泛应用。基于此,笔者采用掺杂的方式调制ZnO的禁带宽度,使ZnO基三元合金材料的光学禁带宽度达到4.4 eV以上,获得可用于日盲紫外光波段探测的ZnO基光电探测器;同时,通过控制掺杂技术开发ZnO基异质复合结构,可应用于高性能的紫外光电发射探测器件。主要内容和创新性结果如下:1.采用溶胶–凝胶方法制备了Mg、Cd、Al掺杂的ZnO基三元合金薄膜,并对其微结构和光电性能进行研究,分析其掺杂效率和光学禁带调制效应,获得掺杂对ZnO薄膜禁带宽度调制的规律,并从不同元素掺杂引起Zn3d电子结合能变化的角度探讨了其禁带调制的机理。2.采用射频磁控溅射法制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,研究不同掺Al浓度对其微结构和光电性质的影响规律,研究表明:Al粒子数分数增大到20%会导致ZnO纤锌矿结构的消失,表明掺Al的固溶度在20%以内,而当掺Al粒子数分数达到30%则出现新的晶相;且随掺Al粒子数分数增加,薄膜中晶粒细化,电阻率大幅上升;通过改变Al组分可较大地展宽光学带隙,在Al粒子数分数为30%时带隙被展宽至4.43 eV。3.探讨氧气氛对AZO合金薄膜导电性的影响,并通过对其微结构和光电特性的研究发现:溅射过程中通入少量氧气有利于获得结晶质量较好的c轴择优取向薄膜;而纯氩气氛下溅射的薄膜具有很低的电阻率,拉曼测试和SEM分析表明其存在特殊的内建电场和c轴取向平行于膜面的晶粒;溅射过程中氧分压的增加会导致薄膜的绝缘性能增强;其透光谱显示光学吸收边发生明显蓝移。4.研究AZO合金薄膜的光电响应性能,结果表明:掺入Al可抑制ZnO薄膜中氧空位缺陷的形成,Al粒子数分数的增大使得薄膜的绝缘性能增强,有利于实现暗电流低的光电探测器件,提高其光暗电流比,尤其是可以抑制慢速的氧气吸附和解吸附反应,从而提高器件的响应速度。获得的快速响应的AZO探测器在紫外光照下显示出对称的非线性特征,即采用元件替代方法将光敏电阻应用于蔡氏电路时,在变型蔡氏电路中可产生三涡旋光电混沌吸引子。5.研究掺Al对AZO薄膜表面势垒和功函数的影响,通过对不同Al浓度AZO合金薄膜的C-V测试,获得其表面接触势垒高度随Al浓度增加而减小的规律;分别从理论计算和I-V-T测试拟合研究了5%粒子数分数掺Al对ZnO薄膜表面功函数的影响,两种方式获得的表面功函数值分别下降了0.090 eV和0.098 eV。以上研究结果表明掺Al使得AZO薄膜的费米能级上移至导带,从而形成较小的表面势垒,有利于电子从表面逸出。6.研究将AlxZn1-xO薄膜用于实现NEA紫外光电阴极,制作AZO阴极真空光电管,其光暗电流相差两个数量级以上。采用高导电AZO薄膜作为透明导电底电极,在其上诱导生长阳离子空位为主导的AZO纳米晶表面层,由以上掺杂调制技术获得的AZO异质复合结构阴极材料,因为底电极和阴极膜同属AZO材料体系,界面间结合紧密,并能有效实现能带调制,具有良好的紫外光电发射性能。在铯激活条件下的测试结果为:暗电流为0.2 nA,在254 nm波长的紫外光照射下产生220 nA光电发射电流,光暗电流比达到103数量级。     

巴西菇多糖对肝癌细胞株凋亡的影响及其机制

目的 :研究巴西菇多糖诱导人肝癌细胞株 (SMMC-772 1)凋亡的作用及机制。方法 :采用电镜、DNA电泳、免疫组化法 ,对SMMC-772 1株细胞凋亡以及凋亡抑制基因 bcl-2的表达进行检测。结果 :SMMC-772 1株细胞经巴西菇多糖处理后出现核固缩、膜起泡、凋亡小体形成 ,琼脂糖凝胶电泳呈现出典型凋亡 DNA梯状带 ,细胞内 bcl-2表达较对照组低。结论 :巴西菇多糖能诱导 SMMC-772 1株细胞发生典型凋亡 ,其抑制细胞内 bcl-2的表达 ,是诱发肿瘤细胞凋亡的机制之一。     

La掺杂In_2O_3纳米粉体的制备及气敏性能研究

采用水热法制备了质量分数w[La(NO3)3]为3%～9%的La(NO3)3-In2O3纳米粉体。利用XRD,SEM,TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明:掺质量分数为7%的La(NO3)3的In2O3纳米粉体,其颗粒长度和直径分别为2μm与200nm左右,呈棒状。利用该纳米粉体制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:元件在110℃的工作温度下,对体积分数为100×10-6的Cl2的灵敏度高达1665.7,且具有良好的选择性与响应-恢复特性。     

小孢子真菌发癣患儿毛干超微结构改变的扫描电镜观察

为了唤起社会关注及探究发癣的超微病理变化,提醒社会及家庭,尽量使儿童远离宠物或不养宠物,减少任何可能的传染源。本文对6例确诊为小孢子菌癣患儿的毛发,按常规制备扫描电镜样品,扫描电镜下观察分析。结果显示小孢子菌对毛干损害部位主要在毛小皮,而毛干主体的皮质柱则少见损伤。毛小皮细胞的超微变化特征在于使原来呈叠瓦且贴附平整规律的毛小皮,逐步干裂翘起失去固有形象,毛干逐渐由圆滑润泽变成毛刺状,最后导致毛小皮细胞解体或脱落,毛根松动,毛干易折断。上述超微结构改变可能与毛小皮硬角质受体蛋白分子有关。     

放大自发辐射对全固态激光器调Q性能的影响

为定量分析放大自发辐射(ASE)对调Q激光器性能的影响,在调Q激光速率方程中引入放大自发辐射项,并在合理的近似下求解,给出了激光二极管(LD)端面抽运电光调Q运转的固体激光器反转粒子数的建立过程,分析了放大自发辐射对激光上能级储能效率的影响及考虑放大自发辐射时调Q激光器输出脉冲宽度和脉冲能量随抽运功率的变化关系。结果表明,由于放大自发辐射的存在,上能级储能效率降低,且在一定的抽运功率下,调Q输出脉冲宽度变宽,脉冲能量下降。用LGS(La3Ga5SiO14)晶体作电光调Q元件,在激光二极管抽运的Nd∶YVO4激光器上进行了实验,实验结果与理论分析结果基本吻合。     

n+/p+ Gate Bulk FinFETs With Locally Separated Channel Structure for Sub-50-nm DRAM Cell Transistors

We proposed a new p⁺/n⁺ poly-Si gate bulk fin-type field-effect transistor that has two channel fins separated locally by a shallow trench filled with oxide or p⁺ polygate. Key device characteristics were investigated by changing the n⁺ poly-Si gate length La, the material filling the trench, and the width and length of the trench at a given gate length L_g. It was shown that the trench filled with p⁺ poly-Si gate should not be contacted with the source/drain diffusion region to achieve an excellent I_on/I_off (> 1010) that is suitable for sub-50-nm dynamic random access memory cell transistors. Based on the aforementioned device structure, we designed reasonable Ls/Lg and channel fin width W_cfin at given L_g 's of 30, 40, and 50 nm.     

Cavity length and absorption dependent longitudinal beat in iodine photodissociation laser

As the cavity length of the iodine photodissociation laser (iodine PDL) is varied, the number of neighboring coherent modes increases and the time-dependent mode-competition effect gives rise to typical changes in the pulse shape. The ratio of the number of all coherent modes to that of all oscillating modes is found to be as high as 80 percent when the cavity length is 450 cm. The frequency width in which the neighboring modes are coherent is approximately 0.1 GHz for all cavity lengths used. The effect of a BDN absorber placed in the cavity is distinct in the shorter cavities.     

Effects of micafungin on the morphology of Aspergillus fumigatus

The morphological effects of micafungin, a member of a new class of antifungal agents candins, on growing hyphae of Aspergillus fumigatus were studied by the use of Nomarski microscopy, scanning electron microscopy and thin-section electron microscopy. Micafungin at concentrations of 0.001-0.1 microg ml(-1) strongly inhibited the in vitro growth of this fungus and induced striking changes in the hyphal morphology, depending on the drug concentration and the length of the incubation period. The changes observed included increased formation of branches on the lateral walls, disruption of the tips of both hyphal cells and branches, and crushing and collapse of whole hyphae. In addition, micafungin was also effective in damaging membranous structures, including disruption of the cell membrane, partial loss of nuclear membranes and expansion of endoplasmic reticula. From these results, it was concluded that micafungin primarily affected the normal formation of cell walls and septa of growing hyphae. The inhibition of apical growth of hyphae accompanied by excessive lateral branching that was followed by disruption of both hyphal tips and branch tips ultimately led to the destruction of whole hyphae. This cytological effect of micafungin on the hyphal growth of A. fumigatus can explain its potent anti-Aspergillus activity.     

Effect of Lanthanum Doping on the Microstructure of Tin-Silver Solder Alloys

In this study, quantitative microstructure studies were performed on multiple length scales to investigate the effect of lanthanum (La) doping on Sn-Ag lead-free solder materials. Factors considered in this paper include doping amount, aging temperature, and aging time. It was found that La doping reduces the grain size significantly, and the reduced grain size remains stable during thermal aging. The size of the Ag₃Sn particles is also greatly reduced by La doping, and the particles coarsen during thermal aging, albeit at a much reduced rate than in the undoped alloy. The rate of particle coarsening can be described by a cubic-root law. Another observation is that the interparticle spacing remains unaffected by the doping. Therefore, higher La doping level leads to higher volume fraction of the eutectic region due to the increased total number of Ag₃Sn particles.