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本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流Icm=20A,最大耗散功率Pcm-250W,C-E结反向击穿电压VBR(ceo)≥900V,C-B结反向击穿电压VBR(cbo)≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。 相似文献
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当今大多数系统都遵从数据处理和数据通信设备之间的接口EIARS-232规范。因为此规范要求采用正和负信号电平,所以设计人员十分需要在单SV供电的板上增加一双电源。NationalSemiconductor公司的LM1578A开关稳压器,可用于将已有的电源变换成分离的±12V电源,以便给接日线路驱动器供电。图1为RS-232电源电路,其输入电压可低到4.2V,±12V输出电压的电流为上40mA,效率大于70%。此电路的主要特性还有:±1.25%负载调整率(从满载的10%到100%),±0.08%电… 相似文献
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故障现象1 振铃正常,但摘机后耳机中听不到任何声音,用免提时扬声器无声。 分析与检修 摘机后首先测拨号集成电路块WE9148的18脚工作电压为4.2V正常启动端11脚电压约1.3V说明启动电路异常正常时摘机后11脚电压应降为0V。该机启动电路由R1、R5、C2、V6、R7组成(如图1所示)。基本原理是:摘机后6.5V的电压经R1、R5加至V6基极使其饱和导通,集电极电压降为0V并送至WE9148的11脚,这一低电平使WE9148内部电路开启,并使12脚输出0.7V直流电压,使V7、V8相继… 相似文献
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Vladimir Rentyuk 《电子设计技术》2009,(3):74-74
多数工程师都知道:他们可以使用某种廉价的三端子可调稳压器,比如Fairchild Semiconductor公司的LM317.把它作为仅提供某个必要电压值(如36V或3V)的可调稳压器。但是,如果不采用其它方法,那么该值无法低于1.25V。这些器件的内部参考电压为1.25V, 相似文献
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Arie Ravid 《电子产品世界》1996,(11)
在对NiCd和NiMH电池充电期间,其温度会上升。这一特性可用来控制端接充电过程,但电池必须接上温度传感器。这样一种配置价格昂贵,而且使用起来有时也很不方便。但是,这种在充电结束时形成的内部电池温升现象会使电池电压下降。这种压降可以检测出来,并可用来端接快速充电。为了测定本例的电压下降速率,把一个三电池(PanasonicP130-SCR)的电池组连接到0.8A恒流充电器。压降速率为-0.6mV/s(图1)。该电路的核心部分是一个取样保持IC(U3)(图2)。U3的输出(引脚5)在引脚8的每个时… 相似文献
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一种实用的接地保护器戚栋(大连理工大学电磁系,116024)一种实用的接地保护器电路如右图所示。A接被保护装置上的接地端子。TL431为精密可调稳压器,当其控制端R的电压超过2.SV(控制精度:11%)时,TL431导通。变压器T为小功率降压变压器。... 相似文献
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M otorola公司的 MRFIC1859是一款双频单电源(3.6V)RF集成功率放大器,设计用于GSM900/DCS1800手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于3频GSM900/DCS1800/PCS1900装置。3.6V下的典型特性是:GSM:Pout=35.8dBm, PAE=53%;DCS: Pout=34dBm, PAE=43%。它具有一个宽频带(900-1800MHz)内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经2级缓冲器放大后的RF整流(见图1)。这种方法消除了采用dc/dc… 相似文献
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通用的多电源总线,如VME、VXI和PCI总线,都可提供功率有限的3.3V、5V和±12V(或±24V)电源,如果在这些系统中添加设备(如插卡等),则需要额外的3.3V或5V电源,这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1电路,将-12V电压升压到15.3V(相对于-12V电压),从而得到3.3V的电源电压,输出电流可达300mA。Q2将3.3V电压转换成适当的电压(-10.75V)反馈给IC1的FB引脚,PWM升压控制器可提供1W的输出功率,转换效率为83%。整个电路大约占6.25cm2的… 相似文献
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N-CODEⅡ/M9638型机上变换器(机外型电视遥控器)的工作原理(艺通专栏)(二)□林必强(加拿大EASTONK国际集团公司中国代表处350007)2.3.3电参数极限值Vcc7V一切输入和输出脚(以Vs为基准)-0.6~Vcc+1.0V储存温度... 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
电源电压1.5V下,饱和输出功率为30.0dBm的HEMT据《日经》1995年第9-11期报道,日本NEC新开发的HEMT,在电源电压+1.5V下,工作频率950MHz时的饱和输出功率达30.0dBm(约1W)。可用于移动电话的功放。该器件的结构是,... 相似文献
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深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出一种能有效提高RF功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱RF功率双极晶体管,并且采用MEDICI分析软件研究了影响器件特性的一些因素:深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板.采用这种技术的功率晶体管(VHF,线性输出功率15W)的结构参数为NC=70×1015cm-3N型外延层,集电结结深XJC=03μm,未掺杂多晶硅填充深槽.典型的器件雪崩击穿电压为BVCBO=72V,截止频率16GHz;并且该晶体管具有较小的漏电流(~20μA).这初步显示了深阱结构在RF功率晶 相似文献
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