长程相互作用Blume-Emery-Griffiths模型:微正则系综的临界指数

我们研究了长程Blume-Emery-Griffiths模型在微正则系综下的热力学量,发现在一级相变附近不仅出现负比热,磁化率也呈现负值,并且温度、比热和磁化率在一级相变点都不连续.当系统发生有序-无序的二级相变时,比热的临界指数a=a′=0和磁化率的临界指数γ=γ′=1与平均场的结果一致.当耦合常数对应于正则系综的三临界点时,比热的临界指数0=a≠a′=1和磁化率的临界指数1=γ≠γ′=2被获得.我们发现临界指数关系a′+β+γ′>2破坏Widom标度律和等价性.     

NiMnSb化合物的原子无序对半金属性的影响

根据第一原理利用线性缀加平面波（LAPW）法， 计算了half-Heusler结构NiMnSb化合物3种原子有序态的电子能态密度分布. 结果表明, 不同的原子有序态间的转变无序将导致电子自旋极化率的降低或材料半金属性的消失.     

过渡金属锡化物RhSn_3的磁电阻研究

具有大磁阻效应的材料广泛运用在实际生活中,因此对这些材料的研究具有重要的科学意义和现实意义.该论文通过实验发现,与一般金属不同,二元过渡金属锡化物RhSn3单晶样品具有很大的磁电阻效应.在T=2K,B=9T时,磁电阻达到近400%.并且,与一般金属中B2的电阻-磁场依赖关系不同,RhSn3的磁阻与磁场的关系近似满足线性行为.这一线性磁阻与Dirac半金属或Weyl半金属中的线性磁阻具有很多相似性.进一步的分析表明,该样品的磁阻在很大的磁场和温度范围内都很好的符合Kohler定理.综合以上实验结果,我们认为RhSn3样品中的载流子具有很高的迁移率,并且载流子浓度并不随温度显著的变化.至于该样品中是否也存在Dirac电子,还需要进一步的实验和理论研究.     

基于排斥体积的复合材料渗流情况下介电常数预测

当复合材料内部填料体积分数达到渗流阈值以后,材料的介电常数数值会发生突变,出现渗流现象.预测渗流以后复合材料介电常数依赖于材料的渗流浓度和临界指数.通过引入排斥体积的方法计算出复合材料的渗流阈值,并拟合出材料临界指数.将该渗流浓度与临界指数预测所得不同浓度材料的介电常数与实验值比较发现两者较为吻合,表明该方法在复合材料介电常数预测方面有效.     

一类带临界指数的半线性椭圆方程多重变号解的存在性

主要利用变分法和分析的技巧,研究了一类带临界指数的半线性椭圆方程{-Δu=λf(x)|u|q-2u+g(x)|u|2*-2u x∈Ωu=0 x∈Ω多重变号解的存在性,其中ΩRN是具有光滑边界的有界区域,λ是正的实参数,N>6,N/N-2相似文献   

应力导致的Fe2CrGe从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究

运用第一性原理计算研究了惠斯勒(Heusler)合金Fe₂CrGe的电子结构和磁性质,发现其基态是Fe离子处于低自旋态(S=0),而Cr离子处于高自旋态(S=1)的反铁磁金属相,反铁磁态能量比铁磁态能量约低0.103 eV.此外还发现,如果施加+1.7%和–1.7%的应变, Fe₂CrGe会从反铁磁有序变成铁磁有序,并出现半金属特性;当应变达到±5%时,出现了大约0.2 eV的半金属能隙.通过平均场理论估算了Fe₂CrGe的居里(Curie)温度,发现其对应的居里温度为393 K,远高于室温.这表明Fe₂CrGe是有潜力的自旋电子材料.     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中，金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素．确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度．本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程，利用数值计算的方法，计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布，得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系，两者都近似呈线性关系，表面温度和分界面温度相差不大，这与解析方法得到的结果基本相同．研究表明，通过数值方法给出材料中温度场分布情况，可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度．     

一类具临界指数的半线性椭圆方程注

建立一类带第一特征值λ₁的具临界指数的半线性椭圆方程 -Δu=λ₁u+|u|^2*-2u零边值问题的非平凡弱解存在 的一个必要条件, 并在加权情况下得其相应结论.     

正方形晶格上反铁磁Gauss模型的相变

应用键移重整化群的方法,研究了正方形晶格上反铁磁Gauss模型的相变,求出了系统的临界点和临界指数.结果表明,此系统存在有限的温度相变,与该晶格上的Ising模型相比较,系统的临界指数发生了变化.这表明它们属于不同的普适类.     

在混合边界条件下临界指数椭圆方程的解

通过山路引理和一些分析技巧证明了具有混合Dirichlet-Neumann边界条件,Hardy项和Hardy-Sobolev临界指数的半线性椭圆方程解的存在性.     

硅中硫族杂质中性多原子集团的电子结构

本文在紧束缚近似下,利用Koster-Slater格林函数方法,研究了硅中代位式三原子集团D_3~0(S_3~0,Se_3~0,Te_3~0)和四原子集团D_4~0(S_4~0,Se_4~0,Te_4~0)的电子结构。给出了D_3~0和三种不同对称位形(C_(3e),C_(2h)和C_1)下D_4~0杂质能级计算结果。还预言了一些杂质态在缺陷集团处的波函数。随着杂质中心上原子数目的增加,施主束缚能变浅。看来,实验观测到的与硫族中心有关的待定施主能级不是非最近邻原子构成的集团所产生的。     

二氟锗烯与乙烯环加成反应的DFT计算研究

用密度泛函理论的B3LYP方法,以6-311 G**为基组,研究了F2Ge(1A1)与C2H4环加成反应的机理,并用经典过渡态理论计算了该反应在不同温度下的反应速率常数和平衡常数,讨论了取代基对该反应的影响.     

(FeCp_2)_(0.13)〔Ni(C_3S_5)(C_3S_7)〕的合成及电化学性质的研究

首次合成了新型配位化合物(FeCp2)0.13〔Ni(C3S5)(C3S7)〕,配体为具有12个S原子的杂戊烯,通过EAI、CP、IR、1HNMR、UV对这种化合物进行了表征,并通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究.结果表明,硫链增长及二茂铁阳离子的引入使配合物的室温导电性能有了一定的改善.     

STUDIES ON THERMODYNAMICAL PROPERTIES OF RANDOM-BOND ISING MODEL IN A TRANSVERSE FIELD WITH CEA AND DPIR

A effective approximate scheme which is combined by cluster with the discretrzed path-integral representation (DPIR) is used in the study on the random-hand Ising model in a transverse field (RTIM). The critical thennodynamcal properties, such as the critical temperature, the critical, transverse field, the average magnetization, the susceptibility and the special heat etc. , are calculated. And some results have been improved.     

β-二酮二亚胺铝化合物的CO插入反应机理及其成键性质分析

采用ONIOM(B3LYP/6-31G(d):AM1)方法,对β-二酮二亚胺Al配合物LAl[η2-(CSiMe3)2](L=HC[(CMe)(NAr)]2,Ar=2,6-iPr2C6H3)和LAl[η2-(CPh)2](L=HC[(CMe)(NAr)]2,Ar=2,6-iPr2C6H3)的CO插入反应进行了理论研究,并在B3LYP/6-311G(d,p)水平上分析了反应物、过渡态和产物的键合特征。结果表明:反应活化能和前线分子轨道能级差较低,该插入过程易于进行;与过渡金属原子的酰基配合物不同,主族元素Al的酰基配合物中,Al原子与酰基碳原子之间不存在σ-π配键,而是Al的3s轨道与酰基C原子的sp2杂化轨道形成的电价配键,且Al的酰基配合物可能较过渡金属类似物有更高的化学活性。     

糠醛缩5-氨基水杨酸Schiff碱稀土配合物的合成与表征

以糠醛缩5 氨基水杨酸为配体,合成了未见报道的 6 种稀土配合物,运用元素分析、红外、紫外、核磁共振氢谱、热重 差热分析、摩尔电导等手段对配合物的结构进行表征,证实配合物的组成为[RE(L2 )2Cl]·0.5C2H5OH( RE=La,Nd ) 或[RE(L2)2Cl]·nH2O ( RE=Gd,Dy,Yb,Y ),配体以负一价离子四齿形式配位,配位数为9.     

N-甲基-2-(4-醛基苯基)-3,4-C_(60)吡咯烷衍生物的合成及量子化学计算

设计合成了一种新的C60吡咯烷衍生物:N-甲基-2-(4-醛基苯基)-3,4-富勒烯吡咯烷(C70H11NO),以FTIR、UV-Vis1、H-NMR1、3C-NMR、ESI-MS进行了表征,运用Gaussian 98量子化学程序包,采用B3LYP密度泛函的方法,在3-21G水平上对分子的几何构型进行了优化,在优化的基础上用INDO/CI的方法计算了化合物的电子光谱.结果表明,吡咯环的引入导致HOMO与LUMO间的能级差减小,C60母体与加成基团之间存在分子内电荷转移.计算所得电子光谱值与实验结果基本吻合.     

R3Co11B4中的磁作用

用两格点分子场理论分析了钴基合金R3Co11B4(R=Pr,Nd,Tb,Dy)的自发磁化随温度变化的关系,采用数值拟合的方法计算出了描述3种磁作用的分子场系数n(RR),n(RCo)和n(CoCo),得到了居里温度,给出了交换场强度随温度变化的曲线.     

中国软珊瑚化学成分的研究(二十一)——戚氏豆荚软珊瑚(Lobophytum chevalieri Tixie Duriult)的化学成分

从软珊瑚戚氏豆荚(Lobophyium chevalieri)分离得15种结晶性物质。本文报道2个神经酰胺类化合物,其中Δ~(4’5)(E),Δ~(11’12)(Z)-鞘氨醇-正十六碳酸酰胺(Lobophyta-mide L_8)为一新化合物,另一个为Δ~(11’12)(E)-鞘氨醇-正二十四碳酸酰胺(Lobophytami-de L_5),经IR、MS、~1H和~(13)C NMR谱分析、元素分析以及其他方法确定了它们的结构。     

自旋1/2铁电膜表面和平均磁化强度的理论计算

利用在层内采用Bethe Peierls近似、层间采用平均场近似的方法,计算了6个原子层和20个原子层构成的自旋1/2铁电膜的磁化强度·发现在不同的表面耦合强度下,薄膜的表面磁化和平均磁化有明显的不同,表面耦合强度小,表面磁化弱于整体磁化,否则表面磁化强于整体磁化,但薄膜的表面和整体具有相同的转变温度·对于较厚的薄膜,系统的整体磁化受表面耦合强度影响小,但在转变温度附近,强的表面耦合强度会带动薄膜的整体磁化·横向场抑制薄膜的自发磁化·