RE（NO_3）_3－Ala－H_2O三无体系在25℃时的半微量相平衡研究

测定了ＲＥ（ＮＯ_３）_３－Ａｌａ－Ｈ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｓｍ，Ｇｄ，Ｅｒ）三元体系在２５℃时的溶解度和饱和溶液折光率，绘制了相应的溶解度图与饱和溶液折光率曲线。各体系的溶解度曲线与折光率曲线均由４支组成，分别与ＲＥ（ＮＯ＿３）３．ｎＨ＿２Ｏ（ＲＥ＝Ｓｍ，Ｇｄ，ｎ＝６；ＲＥ＝Ｅｒ，ｎ＝５），ＲＥ（Ａｌａ）（ＮＯ＿３）３·Ｈ＿２Ｏ，ＲＥ（Ａｌａ）＿４（ＮＯ＿３）＿３·Ｈ＿２Ｏ和Ａｌａ的晶体相对应．     

Gd（NO_3）_3／Er（NO_3）_3－Gly－H_2O三元体系的研究（25

测定了Ｇｄ（ＮＯ_３）_３／Ｅｒ（ＮＯ_３）_３－Ｇｌｙ－Ｈ_２Ｏ三元体系在２５℃时的溶度和饱和溶液折光率。各体系的溶度和饱和溶液折光率曲线均由４支组成，分别与ＲＥ（ＮＯ_３）_３·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｇｄ，ｎ＝６；ＲＥ＝Ｅｒ，ｎ＝５）、配合物ＲＥ（Ｇｌｙ）_２（ＮＯ_３）_３·２Ｈ_２Ｏ，ＲＥ（Ｇｌｙ）_４（ＮＯ_３）_３·Ｈ_２Ｏ及Ｇｌｙ相对应。     

铝二次电解着色膜微观分析及着色机制

研究了６０６３铝材在硫酸电解液和锡盐电解液中得到的青铜色的二次电解着色；用ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＡＸ和ＸＲＤ测试分析手段观察了着色膜的成分及它们在膜中的分布；分析了锡盐在着色膜中的位置及相结构。结果表明，铝在Ｈ２ＳＯ４中阳极氧化得到γ－Ａｌ２Ｏ３膜，Ｓｎ在着色膜中以β－Ｓｎ金属胶体和ＳｎＯ２氧化物胶体两种粒子形态存在；着色物质Ｓｎ以β－Ｓｎ和ＳｎＯ２状态沉积在氧化膜孔中。最后探讨了锡盐在氧化铝膜中呈色原因。     

SnO_2·ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L－B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ_２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ_２·ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳｎＯ_２·Ｚｎｏ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子力显微镜观察了ＳｎＯ_２·ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。通过加热除去硬脂酸后的ＳｎＯ_２·ＺｎＯ膜有好的气敏性及对酒精的选择性。     

掺杂量对ZnO：Al膜电学性能的影响

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜．通过霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ测试分析,研究了掺铝量对膜的电学性能的影响,结果表明;掺杂量影响膜的载流子浓度、迁移率及结晶状况,当Ａｌ_２Ｏ_３与 ＺｎＯ重量比为 １．５％时,沉积的膜具有较低的电阻率．     

含RE^3＋,Cu^2＋杂金属配合物合成与表征

以吡啶乙酸内盐，简称ｐｙｂ）为配体，在ｐＨ２．５和３．５下分别合成了２类配合物。经过元素分析和红外光谱等分析，确定了配合物的组成分别为ＲＥＣｕ（Ｐｙｂ）_５（ＣｌＯ_４）_５·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙ）和ＲＥ_６Ｃｕ_（１２）（ＯＨ）_（２４）（Ｐｙｂ）_（１２）（ＣｌＯ_４）_（１８）·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，ｎ＝３２；ＲＥ＝Ｇｄ，Ｄｙ，ＥｒＹ，ｎ＝２８），观察了Ｎｄ~（３＋）的水溶液中，分别加入Ｐｙｂ，Ｐｙｂ和Ｃｕ~（２＋）或Ｍｎ~（２＋），Ｎｉ~（２＋），Ｐｒｂ［三甲基按丙酸内盐，（ＣＨ_３）_３Ｎ~＋，简称Ｐｒｂ］，Ｐｒｂ和Ｃｕ~（２＋）后，ｆ－ｆ超灵敏跃迁吸收光谱的变化。结果表明，在ｐＨ２．５和３．５下，Ｃｕ~（２＋）均使Ｎｄ~（３＋）·ｐｙｂ体系超灵敏跃迁的振子强度增大，且增大值相同，Ｃｕ~（２＋）对Ｎｄ~（３＋）－Ｐｒｂ体系、Ｍｎ~（２＋）（或Ｎｉ~（２＋））对Ｎｄ~（３＋）－Ｐｙｂ体系超灵敏跃迁吸收光谱均无影响，讨论了超灵敏跃迁振子强度变化与杂金属配合物形成的关系。     

纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究

在真空度为１３３．３μＰａ时，用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ，ＳＥＭ等测试分析，研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构，晶粒尺寸，电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明，掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长，提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后，薄膜的电学特性增强，而掺Ｉｎ，Ｃｄ则影响不大。     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

EMD在Pb—Ag—Ca新型合金阳极上竞争反应的研究

Ｏ２在变质Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ阳极（ＰＡＣ阳极）分别在２０％Ｈ２ＳＯ４及／Ｍｏｌ／Ｌ ＭｎＳＯ４－２０％Ｈ２ＳＯ４体系中过电位ηＯ２测定的结果（２９８Ｋ）及热力学的计算，讨论承ＰＡＣ阳极上的两个主要竞争反应即ＭｎＯ２（ＥＭＤ）电沉积及Ｏ２的析了在不同条件下的变迁。     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

SnO2超微粒有机敏化薄膜性质的研究

介绍了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备ＳｎＯ２超微粒薄膜；着重探讨了其有机染料敏化后的光电性质，并结合ＳＥＭ图的观测和紫外吸收光谱的分析，初步讨论了电池结构等因素对微粒薄膜光电性能的影响     

氧化锡UPF的表面性质分析

对采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡超微粒子薄膜（UPF）进行了SEMXRD及AES的表面分析，并讨论了不同基体对薄膜表面性质的影响．     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

SnO2/Fe2O3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法（PCVD法）制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果。其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于准自由电子补偿机制起作用，电导率升高；当锡与铁在过渡层中浓度接近时，杂质散射和晶界电阻增大，电导率急剧减小。     

掺杂对SnO2超微粒薄膜湿敏特性的影响

本文对ＳｎＯ２和掺有３％Ｂ２Ｏ３的ＳｎＯ２超微粒薄膜的湿敏特性进行了研究和比较。采用相同工艺条件制备和处理的样品，其结果并不一样。ＳｎＯ２膜的感湿特性差，而掺杂的ＳｎＯ２膜具有较好的感湿特性，而且其湿敏特性曲线具有较好的线性。     

二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性

用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响．透射电镜分析表明随沉积温度升高，二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态，其电阻率随之减小．掺锑的二氧化锡薄膜对石油液化气和酒精具有良好的气敏效应     

直流溅射掺杂Pt的SnO2薄膜气敏特性

采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制备掺杂Sb的SnO2薄膜,再经直流溅射制得表面掺杂Pt的Sb∶SnO2薄膜,测试了薄膜对乙醇、汽油、苯、二甲苯、甲苯、丙酮和NH3气体的气敏性能,探讨了不同Pt掺杂量对乙醇气敏性能的影响.结果表明,Pt的溅射时间为90 s时,元件对50×10-6乙醇气体的灵敏度高达43,且薄膜具有较好的响应-恢复特性,其响应时间和恢复时间均为6 s.选择性研究表明,薄膜在加热温度为280℃时,具有很好的酒敏特性和选择性.     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

Effects of deposition parameters on the properties of VO_2 thin films

Up to now, much attention has been paid tovanadiumoxide (VOx) thinfil ms due to their exten-sive applications in the infrared microbolometers .Incontrast tothe conventional photon detectors ,the mi-crobolometer using VOxthinfil ms as sensitive materi-als can offer decreased systemcost ,i mproved reliabil-ity,low power-consumption and high sensitivity inthe spectral range of 8—14μm.Vanadiumoxides have various crystal structuresand valency states ,such as VO, V2O3, VO2, V2O5,whichleads tol…     

氧浓度和衬底温度对透明导电Cd2SnO4薄膜光学性质的影响

采用射频溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜,报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高,衬底温度越高,则薄膜透射率、折射率越大,而消光系数越低。对这些结果,从ＣＴＯ膜的晶格九,氧空位等角度进行了理论分析。