电压比例缩放谐波注入永磁同步电机高速驱动方法

为了提高永磁同步电机母线电压利用率,减小电压矢量合成角度偏差,提出了一种基于电压比例缩放谐波注入式脉宽调节方式.谐波注入采用查表式,以减小电流环计算时间,提高电流响应速度.采用电压比例缩放的脉宽调制方式,消除了传统脉宽调制限幅造成的电压矢量计算角度偏差.仿真及实验结果表明,该种脉宽调制方法提高了母线电压利用率,有效抑制了传统脉宽调制方法的电压矢量计算角度偏差,提高电机在高速旋转工况下的电流响应特性.      

激光二极管腔体有源区长度的优化设计

由激光二极管(LD)输入、输出的关系,得到激光器腔体参数与注入电流的关系,进而给出在设计激光器时遇到的相关限制的方程,以及LD电流与某种形式的电流增益转换因子的关系,根据增益曲线上的最佳工作点可优化腔体长度参数.讨论了共面LD在固定总腔长、固定无源区长度、固定有源与无源区的长度比等条件下有源区长度的优化.     

LED汽车前照灯有源纹波补偿Buck型恒流驱动电源

针对一般照明LED驱动电源中输出滤波电解电容的寿命与LED的长寿命极不匹配的问题. 提出了一种有源纹波补偿的Buck型LED驱动电路. 电路中用有源纹波补偿支路替代输出滤波电解电容,抵消电感纹波电流,使LED灯组获得恒定直流,达到LED的理想驱动状态. 为了减小纹波补偿支路的损耗,必须控制电感电流的峰值和谷值,滞环电流控制可有效地满足这个要求. 设计和制作了输出功率为30 W的滞环电流控制、有源纹波补偿BUCK型LED驱动电源. 仿真和实验验证了上述新型电源的可行性.      

可编程神经元sigmoid函数及其导数发生器的实现

基于跨导线性原理,提出了一种能实现单极性和双极性sigmoid激活函数及其导数的可编程发生器.该发生器结构简单,仅由一个跨导线性环和2个差分跨导电路构成.该电路可实现单极性和双极性sigmoid函数输出,通过改变外部偏置电流和电压调节激活函数的幅值、增益因子和阈值,并可以选择电流或电压输出,因而可广泛应用于各种电流模式或者电压模式神经网络中.采用TSMC 0.35μm CMOS标准集成工艺对电路进行PSPICE仿真测试,结果表明该电路产生的激活函数及其导数与理想函数拟合度好,并具有适用范围宽、编程性好的优点.     

新型三态滞环电流自适应控制策略

在分析与比较传统两态滞环电流控制和三态滞环电流控制的基础上，利用三态滞环电流自适应跟踪控制方法导出了一种新型环宽计算公式；利用Matlab／simulink工具建立了逆变控制系统仿真模型，使用该模型对并网系统电流控制进行了实验仿真．结果证明，该控制方法稳态性能好，实际电流波形理想，电流误差小．     

医学计算机仿真和药物LD50的测定

通过药物LD50的计算机仿真及实测,介绍医学计算机仿真系统在机能学实验中的应用,在巩固基础理论知识、增强学生学习积极性同时,学习并掌握药物LD50测定的实验设计、计算方法及药物毒性分级,提高学生操作技能,节约动物和耗材,提高实验课教学效果。     

原子光谱线变宽的因素分析

分别从经典理论和量子理论的不同角度论述了使原子光谱线变宽的各种主要因素:由于能量的不确定关系导致的自然致宽;多普勒致宽;碰撞致宽;因碰撞过程中原子能级变化而导致的压力致宽、场致宽等.通过分析,阐明了实际光谱线与理想光谱线的不同及其原因.     

PMSM电流鲁棒性增量预测控制

为解决传统的永磁同步电机无差拍电流预测控制严重依赖电机参数,导致当电机参数发生变化时,控制性能严重下降,出现电流跟随不上,谐波含量增大等问题,文中提出一种基于龙伯格观测器的增量模型的无差拍电流预测控制方法,解决了传统无差拍电流预测控制中无法抵抗参数扰动问题. 首先在原有无差拍电流预测控制模型的基础上推导出增量模型,消除电流预测控制中磁链变化的影响;其次为了消除电感变化对电流预测控制效果的影响,引入龙伯格观测器,建立带有龙伯格观测器的增量模型;最后通过simulink仿真和实验验证了所提出方法的有效性.      

双馈电机变环宽多阶滞环电流控制方法的研究

为减少双馈异步风机并网谐波含量,提出了一种新型变环宽多阶滞环电流控制的方法.研究了环宽与频率之间的关系,在普通变环宽表达式的基础上考虑初相位的影响,对滞环环宽建立关于频率与初相位的精确建模.仿真结果表明,新型变环宽多阶滞环电流控制方法能实现电流的快速稳定跟踪,并大大降低电流中的谐波含量.     

基于脉冲注入调制的LD光功率-电流-电压特性测试系统

为精确测试半导体激光器(LD)的光功率-电流-电压(LIV)特性,提出一种基于脉冲注入调制的方法,并据此研制新型的LD脉冲测试系统.系统通过给被测LD注入脉冲宽度、周期及幅度连续可调的脉冲电流,采集恒功或恒流工作LD的工作电流、两端电压、背光电流和输出光功率等信息,绘制LD的LIV特性曲线,并以此推断LD的性能.采取低占空比的脉冲注入,有效抑制了LD有源区温度升高,保证了测试的可靠性和准确性.实验结果表明,脉冲电流的稳定度达到10-4,系统满足设计要求,其性能优于连续测试系统.     

金属／n型半导体（Au／n—GaN）肖特基势垒的研究

材料Au/nGaN在600度温度淬火后，利用电流－电压测量，XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒，电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1．24eV,1.03，理想因子为1．12的势垒最大高度为1．35eV，XPS数据表明：600度温度的淬火导致能带向上弯曲0．35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0．25eV，我们的结论可以用Cowley-Sze模型来解释，结合表明，在GaN表面有受主态密度。     

量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计

采用直观的载流子、光子库模型，导出半导体激光器速率方程，得到输入电流、输出光功率的关系以及激光器腔体参数与注入电流的关系，从而给出在设计激光器时遇到的相关限制的方程，以及LD电流与某种形式的电流增益转换因子的关系，根据增益曲线上的最佳工作点来优化有源区量子阱数目．给出了共面量子阱LD在固定有源长度、固定无源区长度的共面量子阱激光器的量子阱数目优化方案．     

全固态染料敏化纳米二氧化钛/铜酞菁复合太阳能电池

利用铜酞菁空穴传输材料制备了全固态染料敏化纳米TiO2太阳能电池.研究了铜酞菁厚度对电池性能的影响,结构优化后,得到的性能参数,开路电压约为618 mV,短路电流约为0.24 mA/cm2(氙灯照射,光强约为80 mW/cm2),注入因子为54.5%,总光电转换效率为0.1%.对铜酞菁层进行碘掺杂后,电池的短路电流得到了提高,而开路电压有所下降.电池暗反应研究表明,电流的升高是由于碘掺杂导致载流子浓度增大,载流子输运能力增强,电压的下降则是由于碘的掺入削弱了电池的整流特性.     

基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算

针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型,计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6．3meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0,006等参数比较符合物理事实．并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系、结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用。     

溶氧水平对梭鱼幼鱼能量代谢与氧化应激的影响

为分析低氧胁迫对梭鱼（Liza haematocheila）幼鱼能量代谢与氧化应激的影响,选择体重为6～10g的梭鱼,在溶氧水平从7.18 mg/L降至0.60mg/L过程中测定其耗氧率和排氨率,计算幼鱼相对应的氧氮原子比（O∶ 2 N）;又在溶氧水平大于6.0mg/L、4.5 mg/L、3.0 mg/L、1.5 mg/L、0.5 mg/L时,分别测定幼鱼肌肉和肝脏组织中的乳酸（LD）含量、过氧化物歧化酶（SOD）活力、总抗氧化能力（T-AOC）、抗超氧阴离子活力（ASOR）、丙二醛（MDA）含量.结果显示,随着溶氧水平的下降,梭鱼的耗氧率和排氨率总体呈降低趋势,氧氮原子的比值在溶氧水平3.23～1.92 mg/L时达到最大,在溶氧水平1.03～1.60 mg/L时达到最小;溶氧水平为6.15mg/L时,肝脏中LD、SOD、T-AOC、ASOR、MDA均显著大于其它溶氧水平下的相应指标（P＜0.05）.溶氧水平下降过程中,肌肉组织中的SOD、MDA、TAOC差异不显著（P＞0.05）,溶氧水平在0.5 mg/L时,LD显著高于其它组（P＜0.05）.这表明,梭鱼能通过降低耗氧率和排氨率、改变代谢底物和提高肌肉、肝脏组织无氧代谢能力等方式,达到新陈代谢的平衡,以适应低氧生活.     

Synthesis of CNT film on the surface of micro-pyramid array and its intense pulsed emission characteristics

We developed a new scheme to suppress the electric-field-screening effect in high growth density of a carbon nanotube(CNT) film during its intense pulsed emission.We synthesize the CNT film on a tridimensional surface(t-CNT film).The tridimensional surface includes wet etched silicon pyramids,and the Ni layer is electroless plated thereon.The intense pulsed emission characteristics of the t-CNT and planar-grown CNT(p-CNT) films were measured using a diode structure in single-pulse mode.The even turn-on field decreased from 5.5 V/μm for p-CNTs to 2.8 V/m for t-CNTs,and the peak emission current increased from 232 A for p-CNTs to 324 A for t-CNTs at a peak field intensity ～12.2 V/m.The peak current of the t-CNT film increased by ～39.7% over the p-CNT film.It is clear that the micro-pyramid array can effectively suppress the field screening effect to improve the electron-emission of CNT films.     

Pt-ZnO纳米肖特基接触的电学特性

我们研究了Pt-ZnO纳米肖特基接触的电学特性。采用二步湿化学法制备高取向的ZnO纳米棒阵列，在原子力显微镜下将镀Pt导电探针施加在ZnO纳米棒的端面，形成Pt-ZnO纳米接触。I-V特性曲线表明Pt-ZnO纳米接触形成肖特基二极管，具有明显的整流效应，理想因子为3.2，反向击穿电压高于-10V。分析指出，施加偏压后在Pt-ZnO纳米接触点附近的ZnO半导体内形成较高电场，导致势垒厚度减小，使电子从ZnO到Pt的隧穿概率增大，因而具有较高的理想因子。     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．