抗可逆性攻击和嵌入器攻击的安全水印系统

提出了可以同时抵抗可逆性攻击和嵌入器攻击的安全水印系统。此系统由协议和算法两个部分组成：水印协议由权威机构颁布，规定了合法水印嵌入及检测的框架；水印算法由嵌入自行选择或设计。该水印系统将处于不同层次的抗可逆性攻击水印协议与抗嵌入器攻击水印算法结合在一起，另外借鉴了迭加一次伪随机序列负载多比特信息的思想，将单比特水印系统扩展为多比特系统。     

抗可逆性攻击和嵌入器攻击的安全水印系统

提出了可以同时抵抗可逆性攻击和嵌入器攻击的安全水印系统.此系统由协议和算法两个部分组成:水印协议由权威机构颁布,规定了合法水印嵌入及检测的框架;水印算法由嵌入者自行选择或设计.该水印系统将处于不同层次的抗可逆性攻击水印协议与抗嵌入器攻击水印算法结合在一起,另外借鉴了迭加一次伪随机序列负载多比特信息的思想,将单比特水印系统扩展为多比特系统.     

基于统计判据的非线性维数约简

现有非线性维数约简算法均需要人工设定适当的邻域点数而（或者邻域半径ε）才能获得合理的嵌入结果．但常用的基于嵌入残差的邻域参数选择方法本质上是循环依赖的，不能有效工作．为实现非线性维数约简算法的定量评价的参数辨识，从讨论优化嵌入的基本判定原则出发，给出了基于空域互信息和正则依赖指数谱的优化嵌入判据实现嵌入质量的定量评价和非线性维数约简算法的非监督参数辨识．仿真实验表明，直观的嵌入质量可被优化嵌入判据有效反映，且由嵌入集拟合恢复原数据集时的拟合精度与优化嵌入判据之间存在显著的正相关．     

具有嵌入环面4－个流形的Donaldson不变量

讨论了具有嵌入环面４－流形的Ｄｏｎａｌｄｓｏｎ不变量，得到了具有自交数为＋１的嵌入环面的４－流形的Ｄｏｎａｌｄｓｏｎ不变量在环面表示同调类上的一个粘合公式．     

铬对锂离子在尖晶石锂锰氧化物中嵌入行为的影响

研究了纯尖晶石锂锰氧化物和掺铬尖晶石锂锰氧化物粉末微电极的循环伏安行为,结果表明,掺铬样品循环稳定性明显增加,但它的氧化还原峰的位置发生正移,峰形宽化,两步嵌脱锂的量也由相等变为不等.由慢速循环伏安曲线(40μV/s)求出锂离子在纯尖晶石和掺铬尖晶石锂锰氧化物中嵌入自由能(ΔG)和相互作用能(U)后发现掺铬尖晶石锂锰氧化物的嵌入自由能较未掺杂的减少,而相互作用能增加;结合X-射线衍射图、恒电流放电曲线讨论了铬对锂离子在尖晶石锂锰氧化物中嵌脱行为影响机理,认为掺入Cr后,尖晶石结构保持不变,但尖晶石晶胞发生收缩,四面体中锂离子之间、锂离子与其他阳离子间的距离缩短,这导致相邻四面体中锂离子间、锂离子与其它阳离子间的相互斥力增加,锂离子嵌入过程变得更加困难,因为在嵌入过程中需要更大的能量来克服这个斥力.     

基于Walsh编码调制的抗打印扫描数字水印算法

针对印刷品防伪的实际需求和现有相关数字水印算法嵌入的是无意义水印信号、且嵌入量小的问题，提出了一种基于Walsh编码调制抗打印扫描数字水印鲁棒性算法，结合HVS和NVF自适应控制水印的嵌入强度，实现了大容量有意义水印信息的嵌入和提取，在满足水印不可感知性的条件下，有效地抵御打印扫描过程中的各种攻击，水印嵌入量达到了4096bit，实际打印扫描测试表明，所提出的算法对该过程中的各种攻击如半色调、D／A转换、A／D转换、缩放、旋转、剪切、扭曲和各种随机噪声等具有较强的鲁棒性。     

21～30阶群嵌入置换群的一些讨论

本文主要讨论了21阶到30阶的群到置换群的最小嵌入，并讨论了最小嵌入的个数及共轭类划分，并且最终得到了所有的结果．     

Lφ1⊙Lφ2的弱紧嵌入定理

讨论了Ｏｒｌｉｃｚ序列空间积Ｌφ１⊙Ｌφ２的性质，给出了Ｌφ１⊙Ｌφ２中的有界集嵌入ＬＭ内具有等度绝对连续范数的充林条件，其结果与函数空间中的相应结果有明显差别，同时得到了Ｌφ１⊙Ｌφ２的有界集嵌入到ＬＭ内是弱列紧的充要条件，其结果可以相应地推广到函数空间。     

含菱形相的天然石墨用做锂离子电池负极材料

利用天然石墨的XRD结晶参数计算了5种天然石、圣样品的菱形石墨含量，采用恒电流充放电和循环伏安方法研究了天然石墨HT10在1mol／L LiPF6／EC EMC(1：1，体积比)和1mol／L LiPF6／EC EMC PC(3：3：4，体积比)电解液中的电化学性能．结果表明，HT10在2种电解液中均保持了较高的放电容量和较好的循环性能，且放电容量均在330mAh／g以上，首次库仑效率均大于87％．采用循环伏安和SEM分析了充放电过程中形成SEI膜的情况，良好的SEI膜保证了锂离子的通过而阻止溶剂的共嵌入；同时在1mol／L LiPF6／EC EMC PC(3：3：4，体积比)中石墨片层经多次充放电后剥离形成了疏松的多孔性物质．     

粗双枝模糊集的α-嵌入

在粗集和双枝模糊集基础上，提出了粗双枝模糊集的概念和粗双枝模糊集嵌入的概念；讨论了粗双枝模糊集的α-嵌入并-分解和α-嵌入交-分解。     

纯化前后天然石墨的电化学嵌/脱锂性能

研究了天然石墨的纯化工艺和纯化前后天然石墨的电化学嵌/脱锂性能.研究结果表明,采用酸浸与加碱烧结相结合纯化工艺可以得到含碳量达99%的纯化石墨,且采用该工艺没有改变石墨的微观结构;与未纯化的石墨相比,纯化石墨的第1次循环效率明显提高,第1次不可逆容量较大幅度降低;纯化前、后的微晶石墨嵌/脱锂电化学性能均比鳞片石墨的嵌/脱锂电化学性能差,这主要是由于2种石墨存在结构差异.     

X射线粉末衍射法分析石墨插层化合物的结构

根据X射线粉末衍射谱图，对经不同方式处理的石墨的结构进行分析，用对比方法比较了它们衍射谱图中衍射峰位置和强度的差异．分析其原因，进而判断它们的结构特征．结果表明可以利用适当的方法使一些非碳反应物插入石墨层间．从而制成石墨层问化合物(GIC)．改善其性能，扩大其应用领域．     

锂在锂离子电池石墨电极中电化学嵌脱层的可逆性

对石墨化热处理温度与其充放电性能的关系以及锂在石墨负极中不能可逆嵌脱的原因进行了研究．在不同的最高热处理温度(t     

碳和石墨的电化学阳极嵌入化和过氧化 Ⅰ.在浓硫酸电解质中的反应

作者将天然石墨和聚丙烯的混合热压成型物(CPP)作为电极活性物质,在浓 H_2SO_4电解质中,用循环伏安法和恒电流法,进行了阳极嵌入化和过氧化。在嵌入反应电压范围内,氧化(嵌入)还原(嵌出)反应基本可逆;但在过氧化电压范围内,过程的可逆性变,差氧化还原峰对的电位差也变大,用小的恒电流对 CPP 进行氧化,可以得到 C_(2·7)A 型的石墨过氧化物,其氧化度达0.37,且反应尚有一定的可逆性。     

石墨嵌层化合物的X射线研究

用电化学法在硫酸和高氯酸中将天然鳞片石墨合成了不同阶的石墨嵌层化合物（ＧＩＣ）和石墨氧化物（ＧＯ）；用Ｘ射线衍射法对ＧＩＣ和ＧＯ的结构进行了测定，并考察了硫酸ＧＩＣ和ＧＯ在空气中的稳定性，以及水洗涤、高温处理对ＧＩＣ和ＧＯ的结构的影响。发现随着嵌化量的增加，石墨的００２峰和００４峰分裂成两个峰，各自的距离越来越远；ＧＩＣ在空气中搁置时间越长，两个分裂峰越向石墨的原００２峰和００４峰靠近，表明ＧＩＣ在空气中不稳定；经高温处理的ＧＩＣ，从宏观看，体积膨胀，但微观上的层间距却趋于恢复石墨结构，这反映在它与石墨有相同的００２峰。     

原位液相沉积法制备SnO2/石墨插层复合材料

为提高石墨作为锂离子电池负极材料的性能,将石墨进行氧化处理后,利用原位液相沉积法制备SnO2/石墨插层复合材料。利用红外、X射线衍射仪及扫描电镜等手段对所制备的材料进行表征。结果表明:石墨经氧化处理后,生成大量的极性基团,层间距扩大;原位液相沉积过程中,SnCl2.2H2O插入氧化石墨层间与氧化基团反应,生成SnO2;经过热处理,SnO2的结晶度得到提高,并均匀地分散在石墨层间。     

碳和石墨的电化学阳极嵌入化和过氧化 Ⅱ.在高氯酸和氢氟酸中的反应

作者以天然石墨作为电极活性物质,在高氟酸和氢氟酸中,用循环伏安法和恒电流法进行了阳极嵌入化和过度氧化实验。在高氯酸中用循环伏安法得到的GO为C_6A型,而在氢氟酸中得到的为C_4A型。用小的恒电流氧化时,在高氯酸中可以得到C_(4.8)A型的GO,经多次充放电试验,反应仍具有一定的可逆性。     

石墨层间化合物合成的动力学理论初探

本文将ＦｅＣｌ３ 石墨层间化合物的形成过程分成插入剂演化、传输、吸附、插入、扩散、成阶等步骤,分步骤地探讨了其动力学机理,并通过计算分析了各个反应步骤对时间的影响     

膨胀石墨制备石墨烯的可行性研究

本文以鳞片石墨为原料,采用化学法经氧化酸化插层、水洗、干燥、高温膨胀过程制备膨胀石墨,再采用超声剥离法制备出少层数石墨烯片;并对制备膨胀石墨时的相关影响因素及插层机理作了初步探讨。结果表明：对不同工艺条件下制备的膨胀石墨,其层间距变化非常微小,但是其衍射强度却有明显下降;不管是细鳞片石墨还是大鳞片石墨制备成膨胀石墨,再次进行酸化处理后,加入插层剂后经过超声剥离就可以得到少层数的片状石墨烯。膨胀石墨制备石墨烯,不失为一种能高效、可行地方法。     

石墨烯的制备及其作为锂离子电池负极的性能

为更好地研究石墨烯作为锂离子电池负极的性能,采用改进的Hummers方法,以天然鳞片石墨为原料,设计正交实验。通过改变插层剂的组成、氧化剂的比例、氧化反应时间、温度等反应参数来优化石墨烯的制备工艺,并通过XRD、FTIR、Raman和电池充放电测试等方法对产物的组成、结构和电化学性能进行表征。结果表明：石墨经氧化后形成了含有C=0、-COOH和C-O-C等官能团的石墨层间化合物;Raman光谱中rGO的积分强度比（ID／IC）比GO明显降低;在74．4mA／g约为0．1C的电流密度下进行电池充放电,rGO负极的首次放电容量为700mAh／g,30次循环电池放电性能稳定,可逆容量为350mAh／g。