正弦色散对一维声学激子能量的影响

采用顾世洧处理体内激子方法，把Ｗｉｌｓｏｎ提出的一维极化子哈密顿量推广到一维激子，并考虑了声子的色散效应，运用微扰法计算正弦色散时一维声学激子基态能，与无色散时一维声学激子，极化子做了比较。     

一维晶体中声学激子的有效哈密顿量

近年来,人们对一维晶体的情况已经有了很大兴趣,随着一维物质的日益增加,对该问题的讨论就显得更有意义了。专家曾利用线性组合算符的方法导出了激子的有效哈密顿量。本文利用所提出的方法,并采用中处理激子质心问题的办法讨论了一维晶体中激子通过形变势与声学声子的相互作用,给出体系的有效哈密顿量,激子的有效质心质量,有效约化质量,有效作用势和自陷能。通过形变势相作用的激子一声子系统的哈密顿量可以借助于对电子—声子系统的哈密顿     

二维非极性晶体中的声学激子

本文研究二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强耦合激子的性质,采用线性组合算了表拉格朗日乘子法,导出了强耦合情形下非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量,得到符和面激子的重正化质量。     

一维晶体中形变势声学激子的性质

用 Haga 处理极性晶体中极化子时所采用的变分法,导出了一维晶体中通过形变势和声学声子相作用的激子的有效哈密顿量     

强耦合一维声激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和声学声子相互作用。定义了一个激子—声子耦合常数α_0=(α_1~(1/2)β_2-gα_2~(1/2)β_1)~2,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

二维晶体中的声激子

本文采用Huybrechts研究极化子提出的线性组合算符方法,讨论了晶体中表面激子和表面声学声子的相互作用,导出了强、弱耦合下表面激子的有效哈密顿量。发现自陷能与电子和空穴的质量比和瑞利波速有关。     

极性晶体表面激子基态能量

本文由作者导出的极性晶体表面激子的有效哈密顿量出发,用微扰法计算了表面激子基态能量,并就大激子和小激子两种情形进行了讨论。     

二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

强耦合一维激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和光学声子的相互作用,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

在铁电液晶中形成的聚合体网络及其对液晶载体分子组合排列的影响

在灌装于未经表面处理的样品盒内处于不同状态的液晶中制备聚合体网络。液晶／单体混合物由铁电液晶和双丙烯酸单体制成。单体的聚合通过维持该混合物处在一定的液晶态的条件下经紫外线固化来完成。不同的液晶态可通过控制铁电液晶的温度来获得。双丙烯酸单体或聚合体网络的存在会导致铁电液晶载体的相变温度降低。通过光学显微镜可观察聚合体网络对铁电液晶分子组合排列的影响。结果发现：在某一液晶态中铁电液晶分子的组合排列可被在该液晶态中聚合而成的聚合体网络所稳定,双丙烯酸基聚合体网络的存在可改良铁电液晶的电光开关特性。     

Crystallogeny fundamentals of the cholesterol gallstone

The nucleation mechanism and crystal growth process of the cholesterol gallstone are studied and a systematic theory expounded by crystallogeny is proposed. Normal feed and stone-forming feed were used to raise guinea pigs in the control and stone-causing groups respectively. The state and transformation of liquid crystal vesicles, the appearance of crystal nuclei, and the formation of microcrystal grains were observed under a polarizing microscope during the experimental period. It was found that the liquid crystal vesicles in the bile of the control group were small, scattered, and always existed as single forms, and no shaped gallstone crystals were formed. While in the stone-causing group, liquid crystal vesicles grew to larger ones, and then aggregated to form large liquid crystal cells. Solid crystal growth along the edge of these liquid crystal cells formed microcrystal grains. These demonstrated that bile liquid crystal vesicles form the basic nuclei of cholesterol gallstone. Heterogeneous nucleation is the common process in the formation of crystal nuclei and crystal growth.     

Crystallogeny fundamentals of the cholesterol gallstone

The nucleation mechanism and crystal growth process of the cholesterol gallstone are studied and a systematic theory expounded by crystallogeny is proposed. Normal feed and stone-forming feed were used to raise guinea pigs in the control and stone-causing groups respectively. The state and transformation of liquid crystal vesicles, the appearance of crystal nuclei, and the formation of microcrystal grains were observed under a polarizing microscope during the experimental period. It was found that the liquid crystal vesicles in the bile of the control group were small, scattered, and always existed as single forms, and no shaped gallstone crystals were formed. While in the stone-causing group, liquid crystal vesicles grew to larger ones, and then aggregated to form large liquid crystal cells. Solid crystal growth along the edge of these liquid crystal cells formed microcrystal grains. These demonstrated that bile liquid crystal vesicles form the basic nuclei of cholesterol gallstone. Heterogeneous nucleation is the common process in the formation of crystal nuclei and crystal growth.     

偏心度对方形倍频晶体温度场的影响

为了解决非均匀温升对非线性晶体倍频转换效率影响的问题，建立了方形非线性晶体模型．该模型在建立中考虑了基频光具有高斯分布，方形倍频晶体具有周边恒温、端面满足近似绝热等特点．根据非线性晶体腔内倍频的实际需要，给出了方形非线性晶体基频光辐射偏心度的定义，并利用热传导方程，得到了方形非线性晶体受基波偏心辐射时温度场分布的一般解析表达式，解决了在温场模式研究中将倍频使用的方形晶体近似为圆柱形晶体所带来的问题．实验结果表明；当基频光辐射偏心度增大到0．75时，倍频晶体的最高温升下降了21．1％．     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

金红石(TiO2)单晶体的生长研究

通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果,研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件·结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素,在合适的气氛条件下,晶体易于生长,生长速度范围较宽,可以长成较大尺寸的单晶体,否则,依赖调整(增加或降低)生长速度,不能形成完整的晶体·炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是氧化反应,消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间,并能获得呈透明状,微有浅黄色(金红石本色)的金红石单晶体·     

一维掺杂光子晶体带隙结构的研究

基于传输矩阵法,数值研究了掺杂一维光子晶体带隙特征。研究表明:一维掺杂光子晶体的带隙是由光子晶体结构决定的,不掺杂时,禁带中心无导带;当掺杂时,禁带中心位置出现一个极窄的导带,并且导带深度随着掺杂位置的不同而变化,当掺杂位置一定时,改变杂质层的折射率,发现随着折射率的变化,禁带中心的导带深度也会随折射率变化而变化,这样我们可以根据晶体的结构,适当选择掺杂位置和杂质折射率,就会在禁带中心出现一个极深的导带,一维光子晶体的这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。     

用聚合物网络控制液晶分子取向

对在液晶材料中掺入２％的、经可见紫外光固化的聚丙烯酸酯单体进行聚合和在垂直于基片方向上施加一个合适的电场，获取沿摩擦方向一致取向的网络织构及用取向的聚合物网络实现控制液晶分子取向的研究做了报道，并阐述了聚合物网络与液晶的相互作用机理；根据液晶光透射率的计算公式，对实验结果进行了定量分析．     

论陨石系列受晶格能控制的规律

利用计算方法求陨石的晶格能,从铁陨石、碳质球粒陨石、球粒陨石到无球粒陨石晶格能依次增高,陨石形成受晶格能控制并按晶格能由低到高的顺序出现,与地球上矿物和岩石结晶过程具有相同的晶格能控制规律。陨石晶格能系数与其平均克原子量,满足的函数关系。     

晶体结构教学课件的制作

用3DMAX制作素材,再用AuthorWare编辑制成课件,以NaCl晶体为例,介绍晶体外形的制作,课件合成等课件制作的步骤及应注意的事项,Ⅰ型,Ⅱ型,Ⅲ型晶体结构动画模拟,对晶胞从不同侧面,不同角度进行解剖和观察,揭示了晶体良好的外部规律性是由严谨的内部结构所决定的内涵与外延。