巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

D574集成稳压器二次击穿的研究

本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。     

二次击穿的协同学原理

本文研究PN结的二次击穿。考虑温度与电流的合作行为,写出时率方程;进行稳定性分析;应用协同学原理,得到发生二次击穿的条件和预防二次击穿的途径;对电压急剧下降现象给出了物理解释。     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

棱位错引起二次击穿的机理

在半导体器件——特别是功率晶体管失效问题上,二次击穿占据了较为重要的位置。自从1957年提出二次击穿现象后,至今进行了大量的研究,但还未有一套理论予以完全说明。本文企图从半导体晶体材料的缺陷——位错出发,提出一个由位错线形成的微电流管模型,对这种现象加以定性解释。二次击穿是指器件在高电压小电流的情况     

GaAs红外发光二极管的可靠性研究

从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。     

金属材料表面二次冶金对电击穿的影响

研究了合金真空击穿后,表面二次冶金过程及表面熔化层的显微组织对真空电击穿的影响．介绍了真空击穿的实验过程,测定了ＣｕＣｒ５０、真空Ｃｕ、４０Ｃｒ及ＣｒＣｕ５０中添加ＷＣ等合金的耐电压强度Ｅｂ,并对ＣｕＣｒ５０合金一次击穿和经１００次击穿后的表面组织进行了观察．研究结果表明：材料的首击穿具有选择性,电击穿老炼是电弧作用下表面发生二次冶金的过程,在ＣｕＣｒ合金中添加ＷＣ提高了Ｃｒ相的耐电压强度．     

提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

带电电流二次回路扫频响应测试新技术应用探讨

通过介绍一种全新的带电二次回路扫频方法,通过分析扫频响应曲线来分析电流互感器及二次回路在带电运行条件下的工作异常,包括CT匝间绝缘击穿、二次短路锈蚀、多点接地、直流磁化等,通过这些特性参数的扫频响应可以快速对长期运行二次回路的故障隐患实现高灵敏的检测,最后总结了该方法的优缺点和未来推广应用的方向。     

加热炉液压系统故障与分析

本文介绍了安钢第二炼轧厂炉卷生产线加热炉液压系统的技术特点,在生产中存在的问题及相应的改进措施;并提出加热炉液压系统在检修与故障处理中应注意的问题。     

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

共面型介质阻挡放电的击穿特性

利用拉普拉斯方程求出共面型介质阻挡放电单元电势分布的解析解,结合汤生放电理论,研究了共面型放电单元的结构参数对其击穿特性的影响.结果表明,介质表面的二次电子发射系数、沿面电极间隙、电极长度、介质层等因素对共面型介质阻挡放电的击穿电压和击穿路径的位置都有一定影响.合理选择共面型介质阻挡放电的结构参数,可以获得较低的击穿电压和所需的放电模式.     

歧管压力表在汽车空调故障诊断中的应用

歧管压力表是维修汽车空调系统必不可少的重要设备,空调系统维修的基本作业,例如充注制冷剂、添加润滑油、系统抽真空等都离不开歧管压力表。该文重点介绍了如何利用歧管压力表诊断空调系统的故障,并根据故障的现象,分析了故障产生的原因及排除的方法。     

物流系统容错设计方法

在相关理论的指导下，提出了物流容错技术的基本概念，论述了常见的系统故障、典型的容错设计方法和故障检测手段，讨论了物流容错技术的应用前景和发展方向。     

系统故障—灾变及其控制

本文应用灾变理论对实际系统在运行中的故障进行了宏观分析,并在此基础上给出了一般系统在运行期间的故障概率模式。     

脉冲方波作用下印制电路板互连系统的击穿特性

通过脉冲直接注入法,研究了印制电路板(PCB)互连系统在脉冲方波作用下的击穿损伤特性,并根据试验结果对脉冲方波作用下的PCB互连系统进行了绝缘性能评价.性能评价中利用了试样的击穿行为符合威布尔分布模型的特点,通过统计分析方法,得到试样在不同电极间距以及注入脉冲宽度时的累积失效概率曲线.研究结果表明,当在PCB平行互连线间注入方波脉冲时,其线间击穿场强随线间距离的增大而减小,且变化趋势存在两个明显的阶段,同时击穿场强也随注入脉冲宽度的增大而减小.比较击穿前后的微观形貌特征和击穿场强的变化趋势发现,具有特定结构特征的PCB平行互连线间的击穿行为属于“固-气”复合介质的击穿,且绝缘强度不可恢复.另外,通过威布尔统计方法,对击穿数据进行分析处理,可以得到该类器件在不同状况下的累积失效率曲线,从而为该类器件在方波脉冲下的绝缘性能评价研究提供重要参考.