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相似文献
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1.
采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03%/(A·m^-1).采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应.  相似文献   

2.
本文研究了用射频溅射法制备的Fe73.5CulNb3Si13.5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析.探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响.在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am^(-1)降为60Am^(-1),磁阻抗效应有较大提高.加横向磁场制备的Fe73.5CulNb3Si13.5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜.经300℃退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38%,横向磁阻抗比为27%,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47.5%/kAm^(-1)和11.3%/kAm^(-1).  相似文献   

3.
在空气中300℃下对组分为Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2玻璃包裹合金丝进行应力退火,研究不同应力大小对其巨磁阻抗效应的影响。实验表明,随着外加应力的增加,半高宽表现出逐渐增大的趋势,而最大巨磁阻抗比与灵敏度则均表现为先增加后减小的趋势,在50Mpa时达到最佳。这种现象与应力感生的磁各向异性有关  相似文献   

4.
用化学镀方法在铜丝上镀NiFeP薄膜,采用电流退火的方法对复合结构丝进行热处理.电流退火使薄膜感生圆周磁各向异性,从而使样品磁阻抗效应有明显提高.退火电流及时间有一个最佳值,当退火电流为2.8 A,退火时间为2 min时,样品在475 kHz时的磁阻抗效应为53.2%.  相似文献   

5.
采用单辊快淬法制备了具有强非晶形成能力的Co63Fe4B22Si5,6Nb5非晶合金带材。利用HP4294A阻抗分析仪测量了经不同温度退火的Co基非晶合金带材在纵向驱动模式下的巨磁阻抗效应(GMI).实验结果表明:材料经去应力退火后,其软磁性能得到了有效的改善,其中经580℃退火1h的Co基非晶薄带在475kHz电流驱动下的GMI比值可高达2400%,其灵敏度达114%/(A·m^-1).  相似文献   

6.
真空蒸镀法制备巨磁阻抗材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空蒸镀法在玻璃基片上制备具有巨磁阻抗效应的单层FeS iB薄膜.通过改变驱动电流方向和外磁场方向,得到4种测量巨磁阻抗效应的方式.通过比较发现,只有当外加磁场和单轴磁各向异性方向垂直时才有比较明显的巨磁阻抗效应的出现,并比较了磁各向同性和磁各向异性FeS iB薄膜的巨磁阻抗效应.验证了用真空蒸镀法能够制备具有巨磁阻抗效应材料的可行性.  相似文献   

7.
巨磁阻抗可应用于微型高灵敏度磁传感器.我们研究了三种非晶合金薄带的巨磁阻抗效应.实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高.其中成分为Co70Fe4.5Ni4Nb1Si12.5B8的非晶合金带的效应最显著,制备态非晶样品在频率为 5MHz下达 120%左右,经过退火处理的非晶样品在 5MHz下的效应可达400%左右。  相似文献   

8.
钴基非晶软磁合金薄带的磁特性和巨磁阻抗效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究了CoFeNiNbSiB非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗(GMI)效应。样品在350℃下退火60分钟后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的CMI效应。在1.4MHz的交变电流频率下,获得了最大的尖阻抗比△Z/Zs=(Z0-Zs)/Zs最高可达192%。  相似文献   

9.
研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mössbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2μm,磁性层的厚度为1μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.  相似文献   

10.
在Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2非晶合金中发现明显巨磁阻抗效应,最大磁阻比达到35.9%,并利用直流电流退火对样品进行热处理.实验表明:电流密度为35A/mm^2时退火600s灵敏度得到大幅提高,达到0.0067/(A·m^-1);适当大小的张应力电流退火有效地提高了磁阻比幅度.  相似文献   

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