优化VDMOSFET体二极管的方法与意义

垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/DC转换器中大功率VDMOSFET体二极管导电导致的功率损失问题进行了较细致地分析,就减小体二极管反向恢复电荷问题进行了研究。在此基础上,提出了优化VDMOSFET体二极管的意义,在不改变工艺流程的前提下,给出了优化设计方法。     

30伏P沟VDMOS场效应管的设计

对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.     

4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应

4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)由于N型底部辅助层(NBAL)的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度。利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比,随后研究了NBAL浓度变化对4H-SiC半超结VDMOSFET抗SEB能力的影响。结果表明,在相同漏电压下,NBAL导致半超结VDMOSFET在N-漂移区/N+衬底结处的电场峰值比超结VDMOSFET的电场峰值降低了27%。超结VDMOSFET的SEB阈值电压(VSEB)为920V,半超结VDMOSFET的VSEB为1 010V,半超结VDMOSFET的抗SEB能力提升了10%。随着NBAL浓度的逐渐增加,半超结VDMOSFET的抗SEB能力先增强后减弱,存在一个最优的NBAL浓度使其抗SEB能力最好。     

500V／0．4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以500 V/0.4 Ω VDMOSFET 为例对导通电阻进行优化设计.     

VDMOSFET的终端优化设计

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计，讨论了已有终端结构中的场环、场板技术，工作原理，以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例，详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用。     

VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线，首次提出最佳单胞尺寸与Tax有关。     

功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.     

VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型

较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

VDMOSFET参数优化设计软件编制

简要介绍了VDMOSFET的基本结构,并给出了器件的物理模型.从探索优化VDMOSFET电学参数的角度出发,利用Visual C 语言,编制了VDMOSFET参数优化设计软件,最后,给出了该软件的运行结果及实例讨论.此软件界面友好,操作简便,结果直观、准确,可大大缩短产品的设计周期.     

VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P~-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.     

VDMOSFET终端场板的设计考虑

对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P*区结深之间的关系,为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据。     

500 V/11 A VDMOSFET 的研究

在理论分析的基础上,设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．     

VDMOSFET的CAD系统软件中数据类型的设计

初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法。