高效Flash存储系统的实现

主要介绍闪存Flash——M25P40的存储编程特点与技巧,使用文中介绍的方法能有效地降低系统对Flash的擦写次数,从而提高Flash的使用寿命和整个系统的性能。同时,笔者基于AT91SAM7S256处理器的嵌入式系统给出了一个完整的示例     

高效Flash存储系统的实现

主要介绍闪存Flash——M25P40的存储编程特点与技巧,使用文中介绍的方法能有效地降低系统对Flash的擦写次数,从而提高Flash的使用寿命和整个系统的性能。同时,笔者基于AT91SAM7S256处理器的嵌入式系统给出了一个完整的示例     

基于SM755处理器的国产化处理模块设计

设计了一种基于SM755处理器的国产化处理模块（以下简称模块）。通过SM755的60X总线接口与桥接芯片互连，可扩展出存储器接口、外设部件互连标准（PCI）接口等。围绕处理器SM755，设计了同步动态随机存取内存（SDRAM）、Flash、以太网、串口和现场可编程逻辑门阵列（FPGA）等硬件资源，为了实现SM755处理器模块的正常启动，进一步搭建了VxWorks操作系统。该模块所选用的芯片由国产厂家提供，可满足全部国产化的需求。实践模块测试表明，SM755处理器可以正常访问各外部的硬件资源，能够实现特定的数据处理功能。     

数码相机存储卡读写与数据安全

目前最热门的数码产品当属数码相机、从雨后春笋般涌现出来的数码冲印店就可以看出数码影像广阔的前景。数码相机使用的CF卡、SM卡、记忆棒、SD卡等都是基于Flash Rom芯片技术的存储设备,可反复读写。Flash Rom技术的特点就是数据一旦写入,即使断电也不     

世界第一个128M SDRAM问世

最近,三星电子公司在世界上首次开发出了新一代128M SDRAM芯片,它将取代64M SDRAM。目前,三星已向美国主要电脑厂家提供了样品,并已在今年第二季度正式投入生产。128M SDRAM可以说是非曲直SDRAM的上一级芯片,又是256MSDRAM的下一级芯片。128MSDRAM适合于大容量、多功能的电脑以     

【升级换代】 ASUS N53SM

ASUS N53SM编辑评价作为升级版的产品,ASUS N53SM与之前N53SN最大的不同就在于显示芯片从Geforce GT550M变成了Gefroce GT630M,而事实上NVIDIA一贯喜欢使用改变产品系列的方式来＂假装＂升级——GT630M的表现几乎和GT550M没任何区别,不过既然上游厂商改变了供货品种,下游OEM也只能跟从。     

读写更高效

SmartMedia(SM)卡由于具有重量轻、体积小、价格便宜,而且可替换硬盘、软盘等特点,成为了便携设备(手持终端、数码相机)、传真机和调制解调器数据存储的主要设备。东芝公司的NAND型闪存记忆芯片作为东芝SM卡的核心技术,可以加速写/擦能力。 NAND型闪存记忆芯片有三种型号,分别为16M、32M、64M。主要特点包括更快的写/擦速度,更小的架构,允许更为简单的文件管理、快速的随即访问,以及按字节的随机可能写入。其     

Motorola新型单片机MC68HC908JL3编程器的设计与实现

在分析M68HC08系列芯片内核结构及Flash存储器编程模式基础上,提出了MC68HC908JL3芯片的一种简明而实用的编程器设计方案,给出了基本设计思想、硬件设计电路、软件设计框架,并与Motorola公司提供的电路进行了对比分析。     

祺祥HD3850 256M DDR3公版至尊

祺祥 HD3850 256M DDK3公版至尊采用了 KV670图形芯片,基于全新的55nm 制造工艺。该显卡完全支持 DirectX 10.1与Shader Moder 4.1等全新技术。做工部分,祺祥 HD3850 256MDDR3公版至尊采用了红色     

单片机大容量存贮器扩展技术

1引言随着大规模集成电路技术的发展，高集成度、高性能的新型半导体存贮芯片不断问世，为单片机扩展存贮空间提供了方便。例如，文中用到的Flash28F020不但容量大而且支持在线编程，写入时间快、电擦除而且价格低、芯片封装体积小。对于文中的HM628128与先前同类产品比较来讲也具有容量大、功耗低、速度快、价格低等优点，因此，该产品一问世就非常受欢迎。Flash28F020为256K×8位容量，HM628128为128K×8位容量，文中只扩展了单片Flash28F020和HM628128，因此，也只讲述了在程序存贮器中如何分配这128K空间的方法，但实际上可以利用…     

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存：NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导。从而节省NOR Flash芯片,降低了成本。     

绝对品质 威刚DDRⅡ 800高端内存

威刚A-DATA DDRⅡ2 800为红色威龙系列内存，采用铝合金散热片与双卡扣式设计，240pin接口，内存容量包括256M／512M／1GB不同规格。256M采用单面8颗32M x 8（256Mbit）颗粒组成，512M采用双面各8颗设计。运行频率达到800MHz，默认时序CL=5。A-DATA DDRⅡ 800使用优质的6层绿色PCB电路板，元件焊接非常精细，微小的SPD控制芯片设计在内存正面的中间位置。     

飞天诚信公司推出新一代移动存储产品

以“ROCKEY”加密锁享誉世界的北京飞天诚信科技有限公司,凭借在业界领先的USB技术,又独立开发出新一代USB移动存储产品——飞天随身存。该产品采用当今国际流行的USB通用串行总线接口,以Flash Memory快闪内存芯片为存储介质,支持PC和MAC多硬件平台,并支持Windows、Linux及MAC OS等多操作系统。它小如钥匙扣,且无须驱动器,无须外接电源,即插即用并支持热插拔。除在Windows98操作系统下要安装一次驱动程序外,其它操作系统均无须安装驱动程序。现有容量从16M到256M,并可达到2G。数据安全性高,可进行100万次擦     

Kingston Elite Pro CF卡

Elite Pro系列Compact Flash存储卡是Kingston公司面向高级摄影爱好者和专业摄影师的产品，该系列产品目前提供从256MB到4GB容量，作为面向高端用户的产品，Elite Pro系列产品以性能为核心，通过使用SLC类型的闪存芯片,我们测试的这块4GB Elite Pro提供了高速存取能力。     

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌人式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究.由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统.并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导.从而节省NOR Flash芯片,降低了成本.     

闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统中的应用

介绍32M位闪存芯片(Flash Memory)KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机的硬件连接电路简单,可扩容能力强,易于编程,且体积小、容量大,具有很高的实用价值。     

三星产出首枚256M DRAM

三星电子生产出世上首枚256M DRAM芯片,比行业观察家的预测提前了2-3年,并已被三星公司证明能够大量以8英寸晶片生产而不必投资于12英寸晶片     

大容量Nand Flash在ARM嵌入式系统中的应用

本文简要地介绍了三星公司的Nand Flash及ARM芯片,并通过具体实例,介绍Nand Flash在以ARM芯片为核心的嵌入式系统中应用。     

嵌入式以太网工业设备接入系统的设计

本文首先针对传统以太网难以胜任控制中硬实时要求的问题,提出一些确保以太网在工业控制中实时性的措施.然后描述了基于以太网的嵌入式控制器设计的整体方案,并以ATMEL公司的AT91M40800芯片为核心,设计开发了嵌入式网关的硬件平台,该平台带有2M Flash,2M SRAM以及10M以太网接口.最后,对系统驱动程序的设计和Web服务器的实现进行了详细的介绍.     

警惕你的“鼓头”电容

最近，家里用来上网的一台老机器出现了故障，不能正常启动。机器主要配置如下：赛扬Ⅱ900，HY256M内存，梅捷71S2主板（i815EP芯片组）。