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采用化学交换法分离硼同位素,通过在三氟化硼—苯甲醚体系中进行了硼同位素分离生产性试验,使得硼-10同位素在液相富集,硼-11同位素在气相中富集,达到了硼同位素分离与生产目的.经过生产性试验表明:在三氟化硼—苯甲醚体系中通过级联装置可以实现硼同位素的分离,且操作稳定、连续、可靠,可用于工业化生产.硼同位素分离试生产获得了交换塔和络合塔正常运行参数;实现了在分解塔内将络合物成功分解的工艺技术;解决了物料精馏净化技术问题;验证了在交换塔内采用聚四氟乙烯丝网填料富集硼同位素可行性,试验了操作压力、流量等工艺参数对硼-10同位素富集的影响,研究了填料的性能,为实现工业化的投建打下了坚实的基础. 相似文献
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离子交换色谱法是分离硼同位素的非常有前途的方法,然而工艺过程的影响因素较多,分离实验的工作量很大,为验证同位素分离理论在描述硼同位素分离中的有效性,并将其用于指导硼同位素分离过程,减少实验次数和不确定性,文中采用多柱串联色谱分离实验方法,研究了非稳态下硼同位素在色谱柱中的分布和Y.Fujii同位素分离理论在描述硼选择性螯合树脂分离硼同位素体系的有效性,并将其理论应用于制备工艺设计和验证实验。研究结果表明:Y.Fujii的同位素分离理论除可较好地描述该体系色谱带中同位素的分布情况,理论计算结果与实验数据吻合,制备验证实验的测定结果与理论设计吻合,Y.Fujii同位素分离理论能较好地指导硼选择性螯合树脂分离硼同位素体系的工艺过程。 相似文献
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改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺。简述了多晶硅行业的生产背景和现状,介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的高效分离方法,并讨论了多晶硅生产中原料三氯氢硅中硼、磷杂质的存在形式和分离难点,概述了多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的多种高效分离方法,主要包括部分水解法、络合法、吸附法等。通过对各种分离方法进行综合性的分类和分析讨论,指出了现存方法的优缺点,提出了三氯氢硅中痕量硼、磷杂质分离技术在工业化时的关键难题,并对各种分离方法的应用前景进行了展望。 相似文献
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当前正在开发的应用激光化学新领域中,CWCO_2激光和TEA-CO_2激光在9~11μ波段内的选择性引发化学反应受到重视,这些反应的工业应用具有较高的经济价值。激光法分离同位素、制备新型材料和高纯 相似文献
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《化工进展》2017,(Z1)
10B的热中子吸收截面大,因此富集硼-10碳化硼除具有良好的力学性能,优良的抗氧化、耐腐蚀性能外,还因具备更优越的热中子吸收特性,在核工业中有重要的应用。与天然丰度碳化硼的制备工艺不同,富集硼-10碳化硼的制备要以硼同位素分离后得到的富集硼-10三氟化硼为起始原料。本文归纳总结了由三氟化硼制备中间物质(硼酸、氧化硼、硼粉),再通过碳热还原法、镁热还原法、直接合成法、有机溶胶-凝胶法制备碳化硼的多条路线。通过对以上路线的分析比较,进一步提出了以硼酸三甲酯、三烷基硼、硼烷作为中间物质,直接裂解制备碳化硼的3条新路线。基于国内外研究现状,判断了这3条路线的可行性,总结分析了其各自的优缺点,初步探究了由富集硼-10三氟化硼到富集硼-10碳化硼高效、经济的制备方法 。 相似文献
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加拿大和苏联等国实验用TEACO_2单频和多频红外激光,从二氟一氯甲烷(CKCIF_2)中分离~(13)C同位素,已经获得成功。与其他分离方法相比,其选择性高,能耗低,过程简单。采用二级分离,可将天然丰度1.1%的~(13)C浓集至95%以上,而生产成本估计不到常规法的30%。CKClF_2来源丰富且价廉,在工业上常作为生产C_2F_4及其聚合物的原料。通过红外激光分离出其中所含天然丰度为1.1%的~(13)C后,其余98.9%的~(12)CHCIF_2仍可作为聚四氟乙烯的生产原料,这样可得高值副产品(高浓~(13)C),从而可增加聚四氟乙烯生产的经济效益。文中介绍了激光化学法从CHCIF_2中分离~(13)C同位素的机理、实验和验证、与其他分离方法的比较、以及最新进展。 相似文献
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<正> 诞生于一九六一年的激光技术已被公认为本世纪最伟大的成就之一,广泛应用于医学、建筑工业、机械加工业、微电子工业,同时也因其突出的优良特性而应用于化学加工业中,实现一些特殊的反应和加工一些特殊的材料。四十年来激光技术在化学加工业中的应用成就主要归纳如下: 一、激光分离技术利用激光来分离某些物质如同位素、稀土元素,就是激光技术在化学加工业中应用的最杰出的成就之一。利用激光来分离同位 相似文献
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