A5191HRT型HART调制解调器的原理与应用

首先介绍A5191HRT型HART调制解调器的原理.A5191HRT内部集成了符合Bell202标准的较完整的调制解调电路,与微处理器接口方便,便于构建智能现场仪表的HART协议通信模块电路.最后给出某智能现场仪表基于A5191HRT和AD421型电流环数/模转换器的HART协议通信模块设计.     

HART通信协议在现场仪表远程通信中的实现

首先介绍了HART通信协议的原理和层次结构，然后针对某现场仪表的HART协议远程通信，对HART协议的软硬件设计进行了详细的分析。     

基于HART协议的低功耗智能变送器研究

传统变送器大多采用模拟信号实现设备间通信,信号易受干扰,且传统变送器功耗过高。而HART协议可以实现在模拟线路上传送数字信号,丈中介绍了HART协议的功能特点,并阐述了在此协议基础上的低功耗智能仪表软、硬件设计思想。同时,基于MSP430系列单片机的超低功耗的特点,丈中给出了用MSP430构建的基于HART协议的智能变送器通信模块的硬件接口电路,以及HART通信的软件流程图。     

基于 WirelessHART 协议的无线适配器设计

为解决传统HART仪表内数字信息不能被有效利用的问题,提出一种使用WirelessHART适配器对HART仪表进行升级的低成本方案。该适配器兼容有线HART协议和WirelessHART协议,其主要工作是获取HART仪表内的组态参数、过程参数、诊断以及校准等数字信息,并采用Wire—lessHART协议将获得的数据发送至wirelessHART网关,实现传统HART仪表和控制系统之间无线、双向数字通信。文中详细描述了该适配器的硬件设计原理和软件设计步骤,并给出开发原型的通信测试结果。     

基于AD5700的HART协议通信接口设计

设计了一种HART协议通信接口。给出了具体的软硬件设计,采用HART专业低功耗调制解调芯片AD5700实现了HART信号的调制、解调与载波监听,利用AD5421电流环数模转换器实现了4m A-20m A电流输出及变送器的二线制传输,达到了变送器与上位机进行HART远程通信的目的。     

HART协议智能仪表在线管理系统的设计与实现

本文介绍了HART智能仪表在线管理系统的设计与实现,通过研发HART通信装置和HART通信服务器,实时采集并解析现场HART智能仪表的数字信号,实现对HART仪表的综合管理.实践表明,该系统充分利用了HART智能仪表的数字信息,提高了控制系统的可靠性,降低了误报警几率.     

《HART》协议操作器的功能及特点

随着各种HART仪表的开发及应用,越来越多地使用到HART协议操作器、HART协议操作器是一种对HART协议仪表中的信息进行读取及修改的设备。它减轻了现场仪表调整和维护的工作量,提高了工作效率,在现场调试和使用中受到广泛欢迎。     

基于HART协议智能阀门定位器的研究

针对工控领域阀门控制系统对阀门控制精度高、能耗低的要求,对基于HART协议智能阀门定位器进行了研究,在符合设计要求的基础上,给出了二线制HART型智能阀门定位器的软硬件设计方案。硬件电路以主控芯片MSP430单片机为主,配以信号采样电路、阀位反馈电路、HART通信电路等组成硬件系统;软件设计采用模块化设计,各响应均以中断请求的方式进行。该系统满足系统的低功耗,阀位准确控制,具备HART通信等要求,对相关产品的研制具有指导意义。     

西门子PCS7与HART仪表通信的数据转换研发�

采用HART通信协议的现场仪表广泛应用于过程控制系统,在构建西门子PCS7作为主控制器的控制系统时。首先要解决好主控Profibus-DP 网络与HART仪表的通信问题,选择网关将HART协议数据上传给Profibus-DP网络时,主控系统无法正确显示 HART协议数据所代表的过程变量,在对数据结构和存储方式分析的基础上,自主研发程序,将主控系统接收的现场信号进行数据转换,并编写功能块FB、连续功能图CFC程序,实现主控系统对现场设备运行状态和过程变量等信息的识别,为HART与Profibus-DP异构协议兼容系统的构建提供数据通信基础。     

HART协议物理层(上)

本文描述了HART协议物理层的设备类型，配置准则，以及一些特性。     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices