TMD系统参数对高耸结构地震控制的影响研究

利用动力时程分析法，研究了ＴＭＤ系统参数对高耸结构地震控制的影响，得出影响高层建筑ＴＭＤ振动控制减震效率的主级；结构的阻尼比ζ１，ＴＭＤ的阻尼比ζ２，ＴＭＤ系统与结构的频率比β，ＴＭＤ系统与结构的质量比μ等，并且给出了这些参数与ＴＭＤ系统减震效率之间的关系曲线。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

并行多处理机上的具有真实感的三维图形合成

用光线跟踪来合成三维图形需要非常大的运算量，大规模的并行处理，可使合成速度得到大幅度的提高，特别是在ＭＩＭＤ机上，系统具有非常好的性能价格比，在ＭＩＭＤ机上实现三维图形的合成需要解决２个关键的问题：１）负载平衡；２）模型数据库的分解，在这篇文章中给出了一种ＭＩＭＤ机上实现三维图形合成的方法，并且提出了一种模型数据库分解的策略，根据光线跟踪一致性的特性，对各节点机的任务进行预估计，使系统的负载得到了     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

Mo_2C 相价电子结构及其本质硬度

根据固体与分子经验电子理论对Ｍｏ２Ｃ相的价电子结构进行了计算。结果表明，近似平行于ｃ轴方向分布的Ｍｏ—Ｃ原子键最强，Ｍｏ—Ｍｏ原子键次之；垂直于ｃ轴方向分布的Ｍｏ－Ｍｏ原子键也是强健，从而解释了Ｍｏ２Ｃ相本质硬度的产生原因。     

MIM与MIS隧道结的结构特点及其发光效应

对ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａ）及ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道结的结构特点作了简单介绍，着重分析了其发光效应及发光光谱特性，并由此对隧道结的发光机理进行了讨论。     

一类变结构MIS建模技术研究

用面向对象方法提出了一类变结构ＭＩＳ的开发模式和相应的工具系统，分析了需求变化的原因并提出了解决策略，在此基础上构造了ＭＩＳ开发工具ＤＵＴＭＩＳ这种模式要在较大范围内适应需求的变化，从而大大减少开发费用和维护工作量。     

生产型企业管理信息系统的开发与实践Ⅱ：关于结构系统…

以开发与实践为背景，应用系统工程思想把信息流概念引入了ＭＩＳ，阐明了影响和制约信息流表征的若干因素，讨论了界面原型法下结构系统设计过程中的若干做法和思考，导出了一种面向应用的ＭＩＳ开发方法。     

共混MMCS树脂的性能形态与流变学

本文利用增容原理，以丙烯酸甲酯（ＭＡ）、α—甲基苯乙烯（α—ＭＳ）为增容改性单体，与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）、苯乙烯（ｓｔ）乳液共聚，所得共聚物与氯化聚乙烯（ＣＰＥ）共混得ＭＭＣＳ合金。研究了改性单体、ＣＰＥ用量对树脂力学性能、流变性的影响，同时考察了树脂的微观结构与形态     

税收、破产成本和资本结构

在ＭＭ原命题的基础上，首先通过对Ｍｉｌｌｅｒ的论文“负债与税收”的简单介绍，分析了个人所得税对资本结构的影响。在此基础上通过引入破产成本，建立了一个统一的分析模型，得出税收和破产成本的共同作用，使得资本结构有一个最优解，该模型还便于进行实证检验。     

用原子团模型研究MnSb（Pt）的电子结构和磁学性质

使用原子团嵌入模型和自洽场自旋极化离散变分（ＤＶ）Ｘα方法，对ＭｎＳｂ的电子结构自旋磁矩进行了计算，并研究了Ｐｔ掺杂对ＭｎＳｂ电子结构与磁性的影响，讨论了ＭｎＳｂＰｔ中Ｋｅｒｒ偏转角显著增大的原因。     

N—二铁甲基苯胺衍生物的合成与结构表征

由二茂铁甲基季铵盐与苯胺衍生物反应，合成了８个迄今尚见献报道的复杂二茂铁衍生物。通过元素分析，ＩＲ、＾１ＨＮＭＲ和ＭＳ确证了其结构。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

应用于MIS中的结构管理设计法

提出了ＭＩＳ结构管理器的概念及实现方法，并在此基础上提出了一种用结构管理器控制ＭＩＳ系统结构的设计方法。     

MnO_2的结构与其放电性能的关系

介绍和探讨了ＭｎＯ＿２的几种主要结构和在这些结构中外界粒子的可能插入位置，以此阐明了ＭｎＯ＿２的结构与其电化学活性的关系，就放电性级而言：γ－ＭｎＯ＿２＞β－ＭｎＯ＿２＞α－ＭｎＯ＿２     

非晶态合金的自旋波激发与结构涨落及超精细场分布

本文研究了非晶态（ａ）－Ｆｅ－ＴＭ－Ｓｉ－Ｂ（ＴＭ＝Ｃｏ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｎｂ）合金从１．５Ｋ到３００Ｋ的磁化强度及室温穆斯堡尔谱，得到了成里温度Ｔｃ、饱和磁化强度σｓ（０）、自旋波颈度常数Ｄ及平均超精细场等。结果表明，（ａ）对于Ｆｅ８３Ｓｉ５Ｂ１２，当Ｎｂ，Ｍｏ与Ｓｉ，Ｃｏ取代Ｆｅ后，Ｆｅ－（Ｎｂ，Ｍｏ）－Ｓｉ－Ｂ的磁性质不同于Ｆｅ－（Ｓｉ，Ｃｏ）－Ｓｉ－Ｂ；（ｂ）ａ－Ｆｅ－（Ｍｏ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗ，     

稀土五硼酸盐中锰（Ⅱ）的光致发光研究

通过稀土五硼酸盐ＬａＧｄＭｇＢ５Ｏ１０中掺杂离子Ｃｅ３＋、Ｍｎ２＋在紫外光激发下的发射光谱测定，发现Ｍｎ２＋离子呈现６２２ｎｍ发射峰和５９２ｎｍ发射峰。根据相应的发射峰的激发光谱，结合晶体场理论分析，前者来源于Ｍｎ２＋离子的跃迁；后者来源于Ｍｎ２＋离子的跃迁。并初步探讨了双峰结构形成的基本原因。     

一种新结构二聚异喹啉生物喊的NMR结构研究

应用ＮＭＲ技术，对一种新结构的二聚异喹啉生物碱进行了结构分析测定，其中包括＾１ＨＮＭＲ，＾１３ＣＮＭＲ，和二维谱Ｃ－Ｈ ＣｏｓＹ，Ｈ－Ｈ ＣｏｓＹ。     

8维辛流形上的Seiberg—Witten方程

８维辛流形上的ＳｅｉｂｅｒｇＷｉｔｅｎ方程贾方（数学系）设（Ｍ，ω）是紧致８维辛流形．Ｍ上的一个近复结构Ｊ称为是与ω相容的，如果ｇ（Ｘ，Ｙ）＝ω（Ｘ，ＪＹ）定义了Ｍ上的一个Ｒｉｅｍａｎｎｉａｎ度量．Ｍ上这样的近复结构总是存在的．我们固定Ｍ上一个与ω...     

Fe—Mn—C合金中的C—Mn偏聚及其对相变的影响

采用微观成分实验测定，价电子结构计算，ＴＥＭ薄膜原位动态拉伸变形试验和声发射试验，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金中的Ｃ－Ｍｎ偏聚及其对相变的影响，结果表明，在所研究的Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金中存在的Ｃ－Ｍｎ原子的微观偏聚；由Ｃ－Ｍｎ原子间的强键力导致形成的Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ原子团偏聚区能有效地束缚原子的运动，强烈阻滞奥氏体向马氏体的转变；马氏体和形变诱发马氏体优先在晶格重构阻力小的贫Ｃ－Ｍｎ区形核，而在晶格重构阻