压控占空周期振荡器

此电路以555定时器构成自激多谐振荡器。场效应管T1做压控电阻(VVR)。通过改变源一栅电压V_(GS),可以改变此JFET漏极(D)和源极(S)之间的电阻。     

把FET用作线性温度传感器

在场效应晶体管的很多线性应用中,FET用作为高 V_(DS)(即漏-源 电压)的恒流器件或低V_(DS)的欧姆律电阻。在夹断前的区域中,FET起着电压可变电阻器的作用。 当正向偏置时,此器件的转移特性(V_(GS)对Id)呈现r_(DS(on))(漏-源导通电阻)随结温(Tj)的线性变化。此特性表明FET在大约- 40℃～+ 150℃范围内可用做温度传感电阻器(TSR)。     

了解MOSFET通态漏源电阻

<正>分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为RDS (on)。这个RDS (on)想法看起来非常简单：当FET处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于RDS(on)的沟道连接。然而，如果您熟悉MOSFET的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。     

具有保护功能的功率MOSFET—MLP2N06CL

<正> MLP2N06CL 是安森美公司推出的一种具有完善保护功能的功率 MOSFET。该器件与普通功率 MOSFET 封装(TO-220AB)一样、引脚排列一样,但它具有漏-源极间的箝位保护、栅-源极间的箝位保护,并且有负载短路限流保护,它适用于有浪涌电流及浪涌电压及易产生短路的场合使用。保护功能的工作原理MLP2N06CL 的内部电路如图1所示。在 G-S 极之间及 D-G 之间连接了双向稳压箝位二极管,使 GS 之间的电压 V_(GS)箝位于±10V;使 DS 之间 V_(DS)电压箝位于62V。另外,它还有电阻 R2(约0.2Ω)、R1及三极管 Q组成的限流电路。在漏极电流 Id 在额定电流(Id=2A)以下时,Id·R2的电压降<0.7V,Q 不导通;若漏极电流 Id     

直流固态继电器的制作

本文介绍采用分立元器件制作的直流SSR,电路十分简单、成本较低、性能良好,适合自行制作。电路及工作原理一种适合制作的通用直流SSR电路如图1所示。它由光电耦合器(IC)、N沟道功率MOSFET(VT)及电阻(R1)三个元器件组成。外围元件仅限流电阻Rin。被驱动的负载R_L可以是阻性负载或感性负载(如直流无刷电动机、螺管线圈、电磁阀等)。其工作原理如下:未加控制电压Vcc时,光耦中的红外发光二极管不发光,光电三极管截止,VT的V_(GS)=OV,VT截止(相当于开关断开如图2-a所示),负载失电;当加上控制电压Vcc后,有一定电流流经红外发光二极管,使光电三极管饱和导通,R1上的电压V_(R1)=Vdd-V_(CE(set))。一般光电三极管的V_(CE(set))约零点几伏,所以V_(R1)≈Vdd。R1两端连接VT的G极及S极,即V_(GS)=V_(R1)≈Vdd(Vdd≥5V),VT导通《相当于开关闭合,如图2-b所示),负载     

FET压控电阻

场效应管工作在可变电阻区时,I_D随U_(DS)的增加几乎成线性增大,而增大的比值受U_(GS)控制,因此可以把场效应管D与S极间看作一个受U_(GS)控制的压控线性电阻,即所谓FET压控电阻.目前在已出版的电子学教材中对压控电阻的讨论非常少,清华大学电子学教研室编的《模拟电子技术基础》第2版,在其第56页[例1-7]中讨论了压控电阻电路的分析计算方法,但似有错误.在此我们就从该例出发探讨一下FET压控电阻的有关问题,为了便于分析,先写出原书例题如下:     

一个新颖的线性压控可变MMIC衰减器

应用目前的技术和设计方法制作的微波压控可变衰减器(VVA)的衰减量(dB)和控制信号呈非线性关系。要使相互关系线性化,必须采用外部有源线性电路,这就使得组件复杂,且增加了尺寸和成本,同时可靠性减小。本文叙述的这种新颖的压控可变衰减器呈现出线性的衰减量-电压控制关系,且不需要外部线性化电路。这一电路是用一种独特的方式连接几个FET节构成一个组合式的FET。这种组合FET的沟道电阻是其栅-源电压的确定函数。通过仔细设计,找出了实现线性衰减器所必需的电阻函数。采用GaAs MMIC工艺制作的衰减器是以MESFET作为压控可变电阻,它完全无源且不需直流电源。频率从DC到8GHz时,衰减量为2～15dB,且端口阻抗保持在50Ω。衰减量沿直线的偏离小于0.2dB。该芯片可以用作幅度调制器和温度补偿电路。该技术也能用于如混频器、倍频器和矢量调制器等的设计。     

SYJ结型场效应管在音频电路中的应用

SYJ 型场效应管是 N 型沟道结型场效应晶体管,其结构如图1所示。在 N 型硅材料的两端引出的电极分别称为漏极(D)和源极(S),在 N 型硅材料的两侧各做一个 P型区,相连引出的电极称为栅极(G)。通过控制栅源之间电压 V_(GS)就可改变漏电流 I_D     

将光电FET光耦用作一个线性压控电位器

光电FET可以用作一只可变电阻,或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压,因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性,可以采用一种简单的反馈机制,使电位器产生一种线性响应(图2),本电路使用了两只光电FET,一只作反馈,另一只则用于需要隔离电位器的应用。将两只光电FET的输入端串联,就可以保证输入LED有相同数量的电流。FET输出端放50kΩ的电阻,以模拟电位器的响应。电路对设定输入电压(用电位器R7调节)和光电FET1的反馈之间的差值做放大。得到的输出控制光电FETLED中的电流,直到反馈电压等于输入电压时为止。输出电压以线性方式跟随输入电压(图3)。也许你会认为相同器件号的光电     

VXI六位半数字多用表设计与实现

本文设计一款基于VXI总线的高精度数字多用表,其精度要求为六位半,通过信号调理电路、电阻分压衰减网络电路以及电流源电路等设计,实现电压、电流、电阻、频率等基本电信号的精确测量,其已应用于某自动测试平台,具有良好的应用前景.     

新型过压、欠压保护器NCP348

<正> NCP348是安森美公司的产品,是一种具有过压锁存及欠压锁存保护功能的器件。该保护器的主要特点:过压保护的电压可达28V;内部有65mΩ的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET;内部有升压式电荷泵电路以保证 N 沟道的 V_(GS);过压及欠压阈值由器件内部设定,外部无需设定过压及欠压值的电阻:当有过压或欠压时,器件输出告警信号;有关闭器件控制的端;防静电击穿电压为     

多功能告警电路Y976及其应用

<正> 多功能告警电路Y976为采用标准8脚双列直插式封装的CMOS集成电路。其①脚OUT为电路输出端。②脚S1和③脚SO为输出告警模式控制输入端。⑤脚EN为功能控制输入端,该端为逻辑低电平时不工作,逻辑高电平时告警输出。⑥、⑦脚为振荡源输入端,振荡源由外接电阻构成。⑧脚V_(DD)和④脚V_(SS)分别为直流正、负电压输入端。     

三角波转换为正弦波的电路

利用半导体二极管网络,能比较容易地将三角波变换成正弦波.三角波可以由方脉冲积分产生,然后送入本网络.输入信号的幅度由电位器W_1调节. 电路见附图,晶体管BG_1、BG_2是射随器,起到阻抗变换的作用.同时,它们的发射结也对二极管D_1～D_6起到了温度补偿的作用.通过R_6～R_(11)电阻串的分压作用,在图中1、2、3等点,得到不同的电压V_1、V_2、V_3等.当加到网络的输入三角波电压V_4≤V_1+     

结型场效应管的应用电路

<正> 结型场效应管噪音小、输入阻抗高,所以常用于放大器的第一级,用作放大或缓冲器(起到阻抗变换作用)。现举两应用实例。 1.低频阻容耦合宽带放大器(图1) 采用结型场效应管(3DJ7)作第一级电压放大器的优点是噪音低、输入阻抗高、频带宽。本电路是一种带有源极电阻(R3)自偏置共源电路。源极与地之间接C3,使交流无负反馈。电压增益与3DJ7的跨导及负载电阻(R2)有关。当直流电流I_(DS)为0.2～0.3mA时,电压增益在20dB(10倍)以上。其低端频率主要取决于C3,而高端则与信     

为电流传送器供电的环路

图1所示是一种可提供环路直流电压为20～30V环路电流为10～20mA的电路的作用是作为恒定电流(I_p)源。IC_2、R_1和R_2联合组成一个提供12V电源电压(V_(?))的分路调整器。IC_2是一只TL032运算放大器。传感器电路可以是电阻温度检测器电路,或任何其他的传感器调整电路或信号调     

宽范围可调稳压器

图1是一可调稳压器的简化框图,该稳压器可提供对电流和电压的精密控制并且能自动从一种模式转换到另一种模式。图中电位器R_v设定所稳定的电压;R_1决定稳定电流。此设计避免了在电流电压稳定电路中经常的折衷,因精密运放IC_3作为一电压跟随器并作为具有零下降电压的电流传感器。利用从电压调整环中移去负载电流传感工作的方法,此运放允许电路完成电流和电压的精密调整;即IC_3仅允许负载电流I_s在自己的反馈电阻R_3内流过而强迫V_(OUT)等于被稳定的电压(V_(AB))。因而电压工作模式有下面关系存在: V_(OUT)=V_(AB)+∈_V=V_(REF)R_V/R_1+∈_V, 式中∈是加到V_(AB)上的误差电压: ∈_V=±V_(OS)-I_LR_S/A_O V_(OS)和A_O分别是IC_3的输入失调电压和开环增益。例如将运放07的保证说明书与I_SR_S的最大值相结合(0.6V)得到对于任何输出电压,∈_V≤27V。在电流控制模式, I_L=I_S+∈_1≈V_(REF)R_I/(R_2R_S)+∈_1, 和∈_1=±(I_(OS)+I_B/2) 式中∈为IC_3的误差贡献,I_B和I_(OS)是IC_3的输入偏置和失调电流。再者,从OP-07保证说明书得到作为一个绝对值,对于任何负载电流∈_1≤4nA。利用补偿Q_1的截止电流I_(CO)的方法,电流吸收I_Q>I_(CO)把输出电流的较低限范围扩展到接近于零。二极管D_1和D_2保证此补偿使输出接近于0V。图2给了一实际的电路图,它可提供范围从0-300V和10nA到20mA的稳定输出。精度和漂移实际上与REF-05稳压器(IC_5)相同。额外的元件(同图1比较)加强了分辨力和可靠性。例如,D_8-D_(13)防止运放输入过载。频率补偿元件是在电压环内C_1,R_5,C_2和R_7以及在电流环内的C_3和R_1~0。Q_4提高IC_4的输出电流能力。Q_3,D_1,D_2和R_2构成电流吸收电路(如图1中I_Q)。为了修正在主电流控制环内慢响应引起的任何可靠性损失,Q_2和R_1形成输出电流的快速控制通道。     

能驱动2Ω负载的UHC MOS-FET功率放大器

本文介绍的音频功率放大器只使用一对UHC MOS-FET构成SEPP输出级,就可实现2Ω/110W的大功率输出。UHC MOS-FET漏极电流在100A以内时,栅源间电压V_(GS)与漏极电流I_D可始终保持线性关系。电源部分采用常用的R型铁芯变压器,不使用稳压电路。     

对数放大器运算精度表示法

对数放大器是一种非线性运算电路,运算关系式一般表示为 V_0=mlgV_i+C(1) 式中,V_i为输入电压,单位伏;V_0为输出电压,单位伏;m为比例系数(或称为模),单位伏/阶;C为常数,单位伏. 对于这类电路,用通常计算绝对误差和相对误差的方法考核运算精度是不适宜的.例如设 V_0=-lgV_i     

一种精确决定阈值电压及源/漏寄生电阻的方法

<正> 一、引言 测量器件阈值电压的常用方法是利用MOS器件线性区的转移特性曲线进行外推。但由于源/漏寄生电阻的影响,实际的I_(DS)与V_(GS)的关系偏离直线,使阈值电压的确定与所选点密切相关。源/漏寄生电阻也是影响器件性能的重要因素之一。目前提出的几种精确测量     

压缩比可变的动态范围压缩电路

动态范围压缩电路的功能是,在不产生或只产生有限的谐波失真的条件下,从幅度变化范围较大的输入信号产生幅度变化范围较小的输出信号。本文介绍一种可以方便地改变压缩比的动态范围压缩电路。文中压缩比定义为:式中,U_(0max)为对应于最大输入信号 U_(imax)的输出电压值,U_(0min)为对应于最小输入信号 U_(imin)的输出电压值。当用正弦波作测试信号时,电压用有效值表示。该动态范围压缩电路见图1。第一级为主放大级,第二级为全波整流,第三级为直流放大。利用一对场效应管的漏-源极构成输入电桥的两个臂。BG_2栅极对交流接地,故其漏-源电阻为常数(记为(?))。输入信号强度改变时,送回 BG_1栅极的控制电压也随之改