新型真空电弧控制技术及其实现

本文介绍了ＳＡＤＥ真空电弧控制技术及其电极结构、实验结果和应用情况。     

掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

温度和电源电压监控器

在ＰＣ、服务器、工作站、办公设备、测试和测量仪器中需要监控温度和电源电压。Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ公司的ＦＭＳ２７０１是一款温度和电压监控器件,通过ＳＭＢｌｌＳ串行接日可对它进行询问和控制。它的输出是模拟风扇控制电压、热报警和中断。ＦＭＳ２７０１框图示于图１。远程（ＤＩＯＤＥ十和ＤＩＯＤＥ－）和环境Ｍ极管温度传感器输入由多路转换器以ＩＨＺ速率逐一选取,然后激励Ａ／Ｄ变换器。数字化的二极管温度值存储在寄存器中。超出编程限制或断路点则将置位中断寄存器位和确定数字输出。通过引脚ＶＣＣＡＵＸ３和ＶＣＣ３监控电…     

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场ＳｉＯ２界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响．首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系．而且计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果符合得很好．这些为漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的优     

ISDN和中继通信用的卫星通信系统DYANET—Ⅱ（上）

本文叙述一种ＩＳＤＮ和中继通信用的先进卫星通信系统，它能与地面ＩＳＤＮ系统结合。ＤＹＡＮＥＴ动态信道分配和路由选择卫星辅助数字网）的系统设想已扩展为新的通信平台，称ＤＹＡＮＥＴ－Ⅱ，它使卫星通信可用于ＩＳＤＮ和中继电路。新网络控制技术的发展能有效利用卫星信道，并保证卫星信道的单跳连接，而毋需改动现有网络。此外，还开始研制可安装在用户建筑物的小型地球站设备。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

一种新颖的CMOS差动电压电流传送器及其应用

针对第二代电流传送器（ＣＣⅡ）的不足之处，提出了一种新颖的差动电压输入电流传送器（ＤＶＣＣ）。首先给出了ＤＶＣＣ的ＣＭＯＳ集成工艺实现方法，并分析了其工作原理。然后给出其具体应用实全儿ＰＳＰＩＣＥ的模拟结果，验证了实现和应用ＤＶＣＣ的可行性。     

光纤同步网讲座（六）：SDH／SONET网络建设与管理

文章首先概述了ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络的规划原则和电信管理网原理结构，接着着重论述了ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络结构与管理、ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ管理信息模型以及ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ管理网络的主要功能，最后给出ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ网络管理平台的一般组成，指出它是扩大管理能力，实现智能化网络的保证。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

适用于磁盘阵列的纠双错码分析

比较分析了三种适用于盘阵列的纠双错码：二维奇偶校验（２Ｄ），Ｒｅｅｄ－Ｓｏｌｏｍｏｎ（ＲＳ）码以及ＥＶＥＮＯＤＤ码的编码，译码复杂度及其相应小写性能．２Ｄ码编码简单，但构成阵列“性能／价格”差．ＲＳ和ＥＶＥＮＯＤＤ码为最优冗余编码，ＲＳ码编，译码较ＥＶＥＮＯＤＤ码复杂，但小写性能比ＥＶＥＮＯＤＤ编写好。     

-48V直流电源系统中的电压设置方案

介绍了-48V直流电源系统中是电压设置的基本原则，详细论述了三类通讯局（站）的电池放电终止电压的设置方法，以及高压告警点和低压告警点的设置方法。     

一种有源电压限位电路的设计

本文提出了一种新颖的电压限位电路。该电路该采用电压跟随器FOLLOWER和模拟二选一选择器结构,其中的比较器采用PNP双极型三极管,从而使输出更精确地跟随输入。与传统电压限压电路相比,该电路在设定的电压范围内,输出电压能更好地跟随输入电压变化,在输出端误差小,设定的电压范围以外,电路输出能固定在某一特定值。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,当下限阈值VTH-设定在0.5V,上限阈值VTH+设定在2V,输入电压VIN输入范围在0~3V内时,输出电压精确跟随VIN的变化而变化。     

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling buck converter

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling (AVS) buck converter is proposed in this paper. The pulse skip modulation with flexible duty cycle (FD-PSM) is used in the AVS controller, which simplifies the circuit architecture (<170 gates) and greatly saves the die area and the power consumption. The converter is implemented in a 0.13-μm one-poly-eight-metal (1P8 M) complementary metal oxide semiconductor process and the active on-chip area of the controller is only 0.003 mm², which is much smaller. The measurement results show that when the operating frequency of the digital load scales dynamically from 25.6 MHz to 112.6 MHz, the supply voltage of which can be scaled adaptively from 0.84 V to 1.95 V. The controller dissipates only 17.2 μW, while the supply voltage of the load is 1 V and the operating frequency is 40 MHz.     

不同阻值电阻分压器对MOV残压测试的影响

冲击电阻分压器是测量压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)残压必不可少的设备之一,为了测量残压的准确性,利用三组不同分压器对高压臂电阻值优选范围进行试验研究,同时在源阻抗为0.45Ω和1.1Ω的8/20μs波形冲击电流发生器下进行MOV残压试验。试验结果表明冲击电压发生器源阻抗低时,A、B、C三组分压器在20kA下测得残压不会发生分压比线性偏离,20kA以上高压臂阻值越高,分压器越稳定;冲击电压发生器源阻抗上升至1.1Ω时,A、C分压器在不同冲击电流下测试分压比均稳定,高压臂阻值对测量MOV残压影响很小。     

110kV变电站PT电压异常研究与改造

高压测试是非常重要的工作,为了能够更好地进行高压测试,需要考虑线路检测技术的可行性。电气测试中存在着危险性,所以为了确保电力生产的安全性,应该考虑保证电气测试的安全性。本文主要介绍了110kV变电站PT电压的异常处理和分析方式,阐述了高压测试的工作流程,望能够为后续的工作人员提供帮助。     

低压电机单机再起动控制器的设计与实现

分散式低压电机单机再起动控制有着广泛的应用需求.他不仅要求具有相当的可靠性、安全性、可维护性、可用性,还应具有良好的经济性.文中介绍了一种简单易用的低压电机单机再起动控制器的设计思想,着重说明了相关硬件模块的选择、再起动响应的实施步骤、与省电和电源控制相关的硬软件方法和基本功能实现.该系统投资少、体积小、应用方便灵活、功能简单可靠,已通过相关技术检测,成功应用到生产实践中.     

薄膜电容器介电强度分析

薄膜电容器是电子仪器中常用的电子元器件,主要用于电视机、显示器、空调、通讯设备、冰箱等设备中。该文介绍了电容器介电强度的概念、电容器介电强度的几个参数即击穿电压、工作电压、试验电压,以及它们之间的关系,介绍了电容器击穿的三种形式即瞬时电压作用下电容器的击穿、电容器的热击穿、在长期电压作用下电容器的击穿——老化击穿。并结合生产实际,总结了提高电容器介电强度的方法。     

Reference voltage calculation method based on zero-sequence component optimisation for a regional compensation DVR

This paper describes the design of a dynamic voltage restorer (DVR) that can simultaneously protect several sensitive loads from voltage sags in a region of an MV distribution network. A novel reference voltage calculation method based on zero-sequence voltage optimisation is proposed for this DVR to optimise cost-effectiveness in compensation of voltage sags with different characteristics in an ungrounded neutral system. Based on a detailed analysis of the characteristics of voltage sags caused by different types of faults and the effect of the wiring mode of the transformer on these characteristics, the optimisation target of the reference voltage calculation is presented with several constraints. The reference voltages under all types of voltage sags are calculated by optimising the zero-sequence component, which can reduce the degree of swell in the phase-to-ground voltage after compensation to the maximum extent and can improve the symmetry degree of the output voltages of the DVR, thereby effectively increasing the compensation ability. The validity and effectiveness of the proposed method are verified by simulation and experimental results.     

基于标准CMOS工艺的UHF无源通讯电源电路设计与实现

针对UHF射频无源通信系统中,无源射频接收端的电源电路设计难题,以提高其电源转换电路的能量转换效率和输出电压的稳定性为目标,研究了在标准CMOS工艺下实现肖特基二极管的方法,并从理论上推导了其传输特性,提出了一种新型的限压电路,改进了传统带隙结构。与传统结构相比,新的UHF射频无源通信接收端的电源电路的能量转换效率高,开启速度快,输出电压稳定性更好,能够大幅改善射频无源接收电路的工作性能。最后还给出了芯片实现的版图,以及模拟和测试结果。     

新型低电压能隙基准电压源

介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic 0.18 rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2.2mV.