热物理因子局部热效应的红外热图观察

热物理因子局部热效应的红外热图观察ＴｈｅＩＲＴｈｅｒｍｏｇｒａｐｈＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｎＬｏｃａｌＨｅａｔｉｎｇＥｆｆｅｃｔＣａｕｓｅｄｂｙＨｏｔＰｈｙｓｉｃａｌＦａｃｔｏｒｓ￥／／蔺春生，吴世明，吕顺昌，付红英（第三军医大学新桥医院）热物理因子...     

适用于C－T高通滤波器的新型信号流动图（SFG）结构

适用于Ｃ－Ｔ高通滤波器的新型信号流动图（ＳＦＧ）结构＝ＡｎｏｖｅｌＳＦＧｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒＣ－Ｔｈｉｇｈ－ｐａｓｓｆｉｌｔｅｒｓ［刊，英］／Ｎｉｅｌｅｅｎ，Ｉ．Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ－１９９３，２８（７）．－８...     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

DVD的调制方式EFM plus（8／16调制）

ＤＶＤ的调制方式ＥＦＭｐｌｕｓ（８／１６调制）张绍高ＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｉｄｅｏｄｉｓｃ，数字视频光盘，或ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ，数字通用光盘）的调制方式ＥＦＭｐｌｕｓ（８／１６调制）是在ＣＤ的ＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ－Ｆｏｕｒｔｅｅ...     

结合D／A转换和FIR滤波的一种高速可编程CMOs接口系统

结合Ｄ／Ａ转换和ＦＩＲ滤波的一种高速可编程ＣＭＯｓ接口系统＝Ａｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄｐｒｏ－ｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｙｓｔｅｍｃｏｍｂｉｎｉｎｇＤ／ＡｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎａｎｄＦＩＲｒｉｌｔｅｒｉｎｇ［刊，英］／Ｈｅｎｒｉｑｕｅｓ...     

128×1元GaAs／AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像

研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０＾６Ｖ／Ｗ，截止波长为λ＝８．６μｍ，根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＝２．３７×１０＾６ｃｍ．Ｈｚ／Ｗ，并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。     

Combined tunable optical filter with supre-high finesse

Ｃｏｍｂｉｎｅｄｔｕｎａｂｌｅｏｐｔｉｃａｌｆｉｌｔｅｒｗｉｔｈｓｕｐｒｅ－ｈｉｇｈｆｉｎｅｓｓｅ￥／／ＫａｉｄｅＺｈａＩｎｄｅｘｉｎｇｔｅｒｍｓ：ｏｐｔｉｃａｌｆｉｌｔｅｒ，Ｆ－Ｐｃａｖｉｔｙ，ｏｐｔｉｃａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐ...     

在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET

在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...     

薄膜n沟SOIFET断路期间异常电压的过冲

薄膜ｎ沟ＳＯＩＦＥＴ断路期间异常电压的过冲＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｖｏｌｔａｇｅｏｖｅｒｓｈｏｏｔｄｕｒｉｎｇｔｕｒｎ－ｏｆｆｏｆｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｎ－ｃｈａｎｎｅｌＳＯＩＭＯＳＦＥＴ’ｓ［刊，英］／Ｓｈａｈｉｄｉ，Ｇ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ...     

Two—Stage Address Coding in MFSK／FH—CDMA System

Ｔｗｏ－ＳｔａｇｅＡｄｄｒｅｓｓＣｏｄｉｎｇｉｎＭＦＳＫ／ＦＨ－ＣＤＭＡＳｙｓｔｅｍＷｅｉｄｏｎｇＭａｏ；ＲｙｕｊｉＫｏｈｎｏ；ＨｉｄｅｋｉＩｍａｉ（ＹｏｋｏｈａｍａＮａｔｉｏｎａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，１５６Ｔｏｋｉｗａｄａｉ，Ｈｏｄｏｇａｙａ－ｋ...     

用6英寸圆片制成的光闸流晶体管和GTO

用６英寸圆片制成的光闸流晶体管和ＧＴＯ日本三菱电机公司在世界上首创用６英寸圆片制成ＦＴ４０００ＦＵ－１６０型光闸流晶体管和ＦＧ６０００ＡＵ－１２０Ｄ型ＧＴＯ闸流晶体管。前者主要技术指标：ｄＶ／ｄｔ＝２３００Ｖ／μｓ，ｄｉ／ｄｔ＝２００Ａ／μｓ，８ｋＶ...     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

单晶硅中特浅BF_2和As注入的实验观察和模拟

单晶硅中特浅ＢＦ＿２和Ａｓ注入的实验观察和模拟＝Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｏｂｅｅｒｖａｔｉｏｎｓａｎｄｍｏｄｅｌ－ｉｎｇｏｆｕｌｔｒａ－ｓｈａｌｌｏｗＢＦ＿２ａｎｄＡ＿ｓｉｍｐｌａｎｔｓｉｎｓｉｎｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎ［刊，英］／Ｔａｓ...     

一种自外差－相干光纤系统与PIN－FET混频检测

一种自外差－相干光纤系统与ＰＩＮ－ＦＥＴ混频检测汪开源，徐伟弘，唐洁影（东南大学电子工程系，２１００１８）ＡＳｅｌｆ－Ｈｅｔｅｒｏｄｙｎｅ／ＣｏｈｅｒｅｎｔＦｉｂｅｒＳｙｓｔｅｍａｎｄＰＩＮ－ＦＥＴＭｉｘｉｎｇＦｒｅｑｕｅｎｃｙＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

适用于短沟道MOSFET亚阈值沟道长度调制的简单二维模型

适用于短沟道ＭＯＳＦＥＴ亚阈值沟道长度调制的简单二维模型＝Ａｓｉｍｐｌｅｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｍｏｄｅｌｆｏｒｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｎｎｅｌ－ｌｅｎｇｔｈｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｇ...     

激光局部热效应的红外热图观察

激光局部热效应的红外热图观察ＴｈｅＩＲＴｈｅｒｍｏｇｒａｐｈＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｎＬｏｃａｌＨｅａｔｉｎｇＥｆｆｅｃｔＣａｕｓｅｄｂｙＬａｓｅｒＨｅａｔｉｎｇ￥／／张传富，吴世明，党坤珍，何彩萍（第三军医大学新桥医院，康复理疗科红外热图诊断室，重...     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓ ＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟的１００ｐｓ、单门功耗的１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型Ｄ     

T／R组件中的GaAs微波控制器件

在国外ＧａＡｓＴ／Ｒ组件研究基础上，结合我们开展的有关ＧａＡｓＦＥＴ微波控制器件的研究课题，探索了在国内现有ＧａＡｓ生产工艺水平下研制ＧａＡｓＴ／Ｒ组件的可能性，并简单地描述了ＧａＡｓＴ／Ｒ组件的特点。     

低损耗宽带高通滤波器

低损耗宽带高通滤波器ＢｒｏａｄｂａｎｄＨｉｇｈｐａｓｓＦｉｌｔｅｒｗｉｔｈＥｘｔｒａＬｏｗＬｏｓｓ￥／／赵清明，张青（西南电子电信技术研究所，成都６１００４１）在某些微波信号接收设备中为了抑制干扰信号，需要在天线馈源后面接一高通滤波器，这就要求该滤波...