用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析.室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·m2。随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.     

多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究

采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构.在温度为450℃的条件下,分别对5 min、20 min和40 min的不同退火时间进行测试,得到在20 min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成线性关系,方块电阻达1 kΩ,与接触电阻率相吻合,传输长度变到15 μm,接触电阻为30 Ω,说明电流的传导能力变强.     

基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法

在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.     

高温下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的可靠性研究

研究了高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15 nm/220 nm/40 nm/50 nm)四层复合金属层与n-GaN(N_d= 3.7×10~(17)cm~(-3),N_d=3.0×10~(18)cm~(-3))的欧姆接触特性,试验结果标明,当测量温度低于300℃时,存储时间为0～24h,其接触电阻率基本不变,表现出良好的温度可靠性;分别经过300、500℃各24h高温存储后,其欧姆接触发生了较为明显的退化,且不可恢复.接触电阻率均随测量温度的增加而增大,掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高缓慢增加;重掺杂样品的n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触具有更高的高温可靠性。     

GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究

研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌.     

SiC欧姆接触特性

通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 min).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6Ω.cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性.     

射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射工艺以Cu／Ag合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明，沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加，薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系（I—U）测试表明在高阻Cd1-xZnxTe上溅射Cu／Ag薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性，溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。     

808nm半导体激光器接触电阻的最佳工艺

欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于0.06欧姆的最低电阻。     

AuGeNi／n—GaAs欧姆接触实验研究

优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ－Ⅴ族元素合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｕ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触，并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析。     

SrBi2Ta2O9/LaNiO3异质结薄膜的铁电、磁性能及漏电流研究

采用溶胶凝胶方法在Si（100）衬底上生长了SrBi2Ta2O9/LaNiO3（SBT/LNO）异质结薄膜,其中SrBi2Ta2O9薄膜呈高度（115）取向.测量了不同退火温度下异质结的电滞回线和漏电流密度,结果表明,700℃下退火的薄膜剩余极化值最高,漏电流最低,且表现出弱的室温铁磁行为.漏电流机理分析表明薄膜界面为欧姆接触.     

二元共聚物混合体系薄膜蒸汽退火自组装

借助原子力显微镜(AFM)研究了不同链段长度的聚苯乙烯-b-聚2-乙烯基吡啶(PS-b-P2VP)在氯仿或者四氢呋喃中溶解后,其薄膜在乙醇蒸汽中退火的自组装行为。主要研究了混合比例、溶剂、以及蒸汽退火时间对薄膜自组装的影响。研究发现改变混合比例、蒸汽退火时间可以有效调控薄膜自组装的结构和尺寸,得到了一系列不同形貌和尺寸的自组装结构;相比氯仿,四氢呋喃更有利于混合体系薄膜自组装的相分离。     

退火对PMTFPS-b-PS电纺膜表面性质的影响

通过氟硅单体1,3,5-三甲基-1,3,5-三（3,3,3-三氟丙基）环三硅氧烷（简称F3）的阴离子开环聚合（ROP）、苯乙烯（St）的原子转移自由基聚合（ATRP）,合成了含氟硅嵌段共聚物PMTFPS-b-PS,并将其以四氢呋喃（THF）和N,N-二甲基甲酰胺（DMF）为溶剂进行静电纺丝。采用接触角测量仪（CAM）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）研究PMTFPSb-PS电纺膜退火前后的疏水性、微观形貌以及表面化学组成。结果表明：电纺纤维的水接触角可达152.6°,即达到超疏水的效果,经过120℃退火处理后电纺膜的表面光滑,接触角有所减小,但其水接触角仍远高于共聚物溶剂膜的接触角。     

国内硅烷法制备电子级区熔用多晶硅的进展

对硅烷热分解法制备多晶硅的工艺作了介绍,探讨了硅烷法制备电子级多晶硅的优势。硅烷CVD法所沉积的多晶硅,在电阻率、少子寿命、杂质含量等方面符合高纯多晶硅的要求,纯度不仅可以达到国标（GB/T 12963-2009）电子一级品的标准,还可以满足区熔用超高纯多晶硅的要求。合理控制反应条件、保持反应环境的高度洁净,能够得到均匀、致密的高纯多晶硅棒,可以作为区熔法生产单晶硅棒的原料。     

改性石英砂的润湿性能研究

对经过改性处理之后的普通石英砂的润湿性能进行了研究。实验采用滴水穿透时间法（WDPT）、酒精溶液入渗法（MED）、接触角测定法三种方法。通过这三种方法来定性和定量地描述其润湿性能。实验结果表明：直接经过酸化处理的石英砂与经过硅烷化处理的石英砂的润湿性能有着明显的改变,前者较普通石英砂表现更为亲水,而后者表现出斥水性。此研究为用石英砂模拟不同润湿性能土壤提供了表面改性方法以及前期的理论准备。     

高温退火降低碳纳米管接触电阻的实验研究

将碳纳米管有效地集成到微纳器件上实现组装是碳纳米管在众多领域得以应用的先决条件,组装后较高的接触电阻成为影响碳纳米管器件性能的重要因素,为了降低碳纳米管与电极之间的接触电阻,采用高温退火法对组装后的碳纳米管进行处理.首先,通过介电电泳法组装碳纳米管;其次,利用正交试验设计和方差分析研究高温退火过程中退火温度、保温时间和升温速率对降低碳纳米管接触电阻的影响,并获得了降低接触电阻的最优参数组合;最后,对退火前后碳纳米管的I-V特性进行测量、分析.结果表明:高温退火可以简单、高效地降低碳纳米管的接触电阻,退火温度是影响降阻效果的主要因素,退火处理后接触电阻的下降幅度最高可达91.59%,组装的碳纳米管退火前后的I-V特性曲线均呈现良好的线性.     

沥青混合料集料接触特性切片图像评价方法

为了评价沥青混合料集料的接触特性,提出了一种较能准确有效评价沥青混合料集料接触特性的新方法。研究中建立了表征集料接触特性的量化指标——接触对,以AC20型沥青混合料为例,对车辙板试件的72幅切片图像进行了分析,通过对所有切片的集料接触数据进行统计分析,得到了集料接触对数目的分布规律。在此基础上,还进行了集料接触特性的影响因素分析,并提出了影响集料接触特性的3个主要因子：4．75mm以上集料含量C〉4.75、细度指数FI和离析指数SI。结果表明这3个因子与集料接触对之间有较好的关联度,集料接触特性变化受3个因子共同作用的影响,单因素或双因素都不能正确反映样本的接触对数目。     

多晶硅产业对环境的污染初探

多晶硅是太阳能电池材料之一,具有比较高的光电转换效率,但多晶硅产业的发展也导致环境污染的产生。本文主要从多晶硅太阳电池生产环节前期工序（硅提纯）和中期工序（清洁制绒、扩散制结、刻蚀清洁、化学气相沉积PECVD、丝网印刷、电极烧结）中所产生的污染进行论述。     

规划-迭代型多极边界元法的并行IGMRES（m）算法

提出了基于多极展开法的规划-迭代型非线性方程组的IGMRES（m）并行算法,本法适用于三维弹塑性摩擦接触多极边界元法,有效处理弹塑性摩擦接触迭代过程中的繁杂和费时问题,数值实验表明,本求解法在确保数值精度的前提下,提高求解速度和增大求解问题的规模是有意义的.     

单稳态永磁机构的动态特性仿真及性能优化

基于12 kV直动式真空断路器的动作特性,介绍了一种改进型单稳态永磁机构.利用ADAMS中建立的真空断路器模型,结合MATLAB实现了多场耦合动态仿真.在触头弹簧的不同安装方式下,选取电容与分闸弹簧参数的不同组合进行断路器分合闸的动态仿真.仿真结果表明:电容容量对合闸特性影响较大;分闸弹簧刚度系数对分闸特性影响较大;触头弹簧安装在动端侧有利于提高刚分速度;触头弹簧安装在静端侧有利于降低刚合速度.