氧钒配合物[VO2(C10H8N2)2]·NH4HSO4的合成、晶体结构和荧光性能

在80℃下合成了1个新的标题化合物,通过元素分析、红外和单晶X-射线进行了表征。标题化合物属于三斜晶系,P-1空间群,a=0.671 14(9)nm,b=1.165 88(14)nm,c=1.401 83(18)nm,α=96.410 0(10)°,β=94.825 0(10)°,γ=97.901(2)°,V=1.074 2(2)nm3,Z=2。配合物由1个VO2、两个2,2’-联吡啶分子和1个NH4HSO4构成,NH4HSO4分子通过氢键在a方向形成一维超分子链状结构,通过荧光光谱研究了该化合物的荧光性质。     

配合物[Co（phen-NO2）（NFA）（H2O）2]（ClO4）3的合成表征及抗菌活性研究

合成了1种新的诺氟沙星(NFA)-钴(III)-多吡啶配合物:[Co(NFA)(phen-NO2)(H2O)2](Cl O4)3[NFA=1-乙基-6-氟-1,4-二氢-4-氧代-7-(1-哌嗪基)-3-喹啉羧酸;phen-NO2=5-nitro-1,10-phenanthroline]。用红外光谱对配合物进行了表征,应用荧光光谱方法研究了配合物与CT-DNA的作用,发现这此配合物均以插入方式与CT-DNA作用。采用二倍稀释法研究了配合物的抗菌活性,结果表明配合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus Aureus,G+)具有良好的抑制作用。     

含能配合物Ni（C5N5O5H-4）2（by）2的晶体结构和热分解性能

培养了含能配合物Ni(C5N5O5H42)(by2)(by=吡啶)晶体,用X射线单晶衍射法测定了其分子结构。其晶体属于单斜晶系,空间群为P21/C,a=9.0070(18)nm,b=10.002(2)nm,c=19.445(4)nm,β=93.69(3),V=1748.1(6)nm3,μ=0.633mm-1,Z=4,S=1.00,最终残差因子[I>2σ(I)]R1=0.0530,WR2=0.1162,对于全部数据R1=0.0965,WR2=0.1358。用DSC、TG-DTG对该配合物的热分解过程进行了研究。结果表明,该配合物的热分解过程仅由1个剧烈的放热峰组成,剩余残渣量约5.508%。用Kissinger法和Ozawa-Doyle法计算出配合物热分解过程中的表观活化能和指前因子分别为224.30kJ/mol和7.32×1019s-1。     

Nd2（C7H4NO4）2(SiW12O40)·18H2O的合成及其光电性能的研究

以硅钨酸和2,3-吡啶二羧酸为配体合成了一种新型的配合物Nd2(C7H4NO4)2(SiW12O40)·18H2O,并对其进行了元素分析、红外光谱、紫外光谱、荧光光谱、热重分析和电化学分析等一系列表征。结果表明:配合物在261nm处具有较强的紫外吸收;在361nm处进行荧光激发,分别在431nm和480nm处得到两个强度不同的荧光发射峰;具有较好的热稳定性;在-0.3~0.3V的电势范围具有电化学活性。     

二维层状超分子化合物[Mn（C8H5NO6）（H2O）2]n的合成及晶体结构研究

分子间的弱相互作用在配位化合物中往往表现为配合物分子内和(或)分子间的配体间相互作用。因此,研究配合物中的配体间弱相互作用就成为由配位化学向超分子化学过渡的桥梁。本文以锰离子为中心离子,以2,4,6-吡啶三羧酸为配体进行晶体合成实验。通过检测手段了解了合成的配合物配体间的弱相互作用。     

配合物[Cd（ttcH2）2（3-bpt）2]·2H2O的合成、结构及性质研究

采用常温搅拌法合成了2,3,6-三巯基均三嗪(ttcH3)和4-氨基-3,5-二(3-吡啶基)-1,2,4-三唑(3-bpt)与过渡金属镉的配合物[Cd(ttcH2)2(3-bpt)2]·2H2O,对其结构进行了X-射线单晶衍射、红外光谱、元素分析以及热重分析等表征。X-射线单晶衍射分析显示该配合物为单核,属于三斜晶系,空间群P-1。配合物在氢键作用下拓展为3D超分子网络结构。热重分析显示该配合物的骨架稳定性较好。     

簇合物W2Cu4S8（PPh3）4/PMMA复合材料的制备

采用直接共混法制备簇合物W2Cu4S8(PPh3)4/PMMA复合材料。利用红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)、扫描电镜(SEM)、热重分析(TG)对复合材料的结构、形貌和性质进行了表征和分析。     

超分子化合物(C10H10N2)Co（SCN）4的合成、晶体结构和热稳定性

在室温下合成了一个新的超分子配合物(C10H10N2)Co(SCN)4,通过元素分析、红外和单晶X-射线进行了表征。标题化合物属于正交晶系,P 21 21 2空间群,a=1.283 32(11)nm、b=1.297 53(12)nm、c=0.544 12(5)nm、V=0.906 04(14)nm3、Z=2。在化合物中,每个Co2+离子与4个SCN-的4个N原子形成变形的四面体几何构型、4,4’-联吡啶的两个氮原子双质子化,并与SCN-的S原子形成N—H…S氢键,构成一维氢键超分子链。通过热重分析研究该化合物的热稳定性。     

[（HOC2H4）2NCSS]3Cr配合物的合成及结构表征研究

合成了新型晶体配合物二羟乙基二硫代氨基甲酸铬[(HOC2H4)2NCSS]3Cr,对其结构进行解析和表征。用X-射线单晶衍射法测定了晶体的结构,结果表明配合物[(HOC2H4)2NCSS]3Cr晶体属于单斜晶系;空间群为C2/c,晶胞参数:a=17.9410(19),b=10.3755(11),c=14.4284(16),β=113.5710(10)°;晶胞参数比:a/b=1.7293,b/c=0.7191,c/a=0.8042。通过元素分析,红外光谱,紫外分析等表征手段对其结构进行分析,表明其结构均与X-射线单晶衍射法测定的晶体的结构吻合。     

TiN/Si3N4复合材料的磁控溅射制备及其电性能研究

利用直流反应磁控溅射法在Si3N4陶瓷基体上制备了TiN导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱(EDS)对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析,表明TiN薄膜均匀,且与基体有较强的附着力。采用SZ82型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析,表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。     

Sn/Si3N4复合镀层中纳米Si3N4含量测定方法的比较

采用电熔解法溶解Sn/Si3N4复合镀层,以紫外可见分光光度法测定了镀层中纳米Si3N4的含量,并与传统酸溶解及重量法对比。结果表明,电解法在10 min内使镀层完全溶解且在测定波长448 nm处纳米Si3N4溶液的吸光度值与其浓度在10～200 mg/L范围保持良好的线性关系,该方法简单,省时,误差小,回收率98.5%～100%。     

{CdI4[（C4H6N2）2+C2H4]}n的合成与晶体结构

用溶液挥发法合成了一个新的有机-无机杂化聚合物{Cd I4[(C4H6N2)2+C2H4]}n,并通过X-射线单晶衍射仪对其进行结构表征。化合物1属于单斜晶系,C2/c空间群,a=34.383(7)?,b=8.1299(16)?,c=15.199(3)?,β=112.47(3)°,V=3926.0(13)?3,Z=8。化合物1由有机阳离子[(C4H6N2)2+C2H4]和无机[Cd I4]2-阴离子组成一个零维簇结构,相邻的簇与簇之间通过氢键作用形成三维超分子网状结构。     

四元混配配合物[Ln(x-MBA)2(NO3)(Phen)]2的合成及表征

在酸性介质,乙醇/水混合溶剂中合成得到了三个系列的四元混配配合物[Ln(x-MBA)2(NO3)(Phen)]2(Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Er;MBA=CH3C6H4COO-).用元素分析、IR、UV、DTA-TG和1HNMR等方法对配合物进行了表征,测量了三个Eu配合物的荧光光谱和三个Gd配合物的ESR谱.     

g-C3N4/Fe3O4/MnO2光催化剂制备及光催化性能研究

以尿素和铁盐为原料，负载了MnO₂，利用原位沉淀法与煅烧法制备g-C₃N₄/Fe₃O₄/MnO₂复合材料。使用XRD、FT-IR、UV-Vis DRS对合成的部分光催化剂进行表征。结果表明：g-C₃N₄为类石墨的层状结构，Fe₃O₄和Mn O₂通过分子间作用力与g-C₃N₄复合。在不同反应条件下的可见光诱导的光催化实验表明，当m(Mn)∶m(g-C₃N₄/Fe₃O₄)=1∶1时，g-C₃N₄/Fe₃O₄/MnO₂复合材料具有出色的降解污染物的能力，其中光降解反应的优化条件为g-C₃N     

B4C对Si3N4/Si2N2O结合SiC材料抗热震性能的影响

首先以Si粉、SiO₂微粉为原料，先在700℃空气气氛处理，然后在1 400℃氮气气氛下合成Si₂N₂O,研究了B₄C添加量(外加质量分数分别为0、1.0%、2.0%、3.0%、4.0%)对Si₂N₂O合成效果的影响。然后根据B₄C最优加入量，先在700℃空气气氛保温5 h,然后在1 400℃氮气气氛保温5 h制备了Si₃N₄/Si₂N₂O结合SiC试样。采用1 300℃风冷5次后试样的抗折强度保持率评价其抗热震性，分析了热震前后试样的物相组成和显微结构。结果表明：1)合成Si₂N₂O的B₄C最优添加量为3%(w);在700℃空气处理时，B₄C优先和气氛中O₂反应生成液相B₂O₃,为1 400℃氮...     

糖精铜水合物[Cu（C7H4NO3S）2（H2O）4]·2H2O的合成及晶体结构

首次以糖精钠、丙氨酸和硫酸铜为原料合成得到糖精铜蓝色块状晶体,采用红外光谱、X-射线单晶衍射对配合物的晶体结构进行了表征。证明该晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为:a=8.4012(19),b=16.3605(18),c=7.3479(16),α=90°,β=100.84(2)°,V=991.49(15)3,Z=2,Dc=1.794g.cm-3,F(000)=550,R=0.0309。结构分析表明,中心Cu2+与4个O原子和2个N原子配位,处于四角双锥八面体配位环境中,4个水分子在赤道平面上与Cu2+配位,晶胞中还包含有2个游离的结晶水,形成了含6个水分子的结晶物。     

g-C3N4/TiO2复合材料的制备及可见光催化降解硝基苯

采用原位合成法在TiO₂纳米管上沉积g-C₃N₄对材料进行改性,通过改变尿素的质量浓度制备了一系列不同负载量的g-C₃N₄/TiO₂复合材料(0.2、0.3、0.4、0.5、0.6 g·L^-1 g-C₃N₄/TiO₂ NTs),然后在可见光条件下考察了g-C₃N₄/TiO₂复合材料光催化降解硝基苯的性能,并对材料做了相关的表征分析和自由基清除实验。结果表明：将g-C₃N₄负载到TiO₂纳米管上可以显著提高光催化活性,可能是由于g-C₃N₄和TiO₂之间形成了异质结,延长了载流子的寿命,阻碍了电子与空穴的复合,从而提升了复合材料的光催化活性。     

Si3N4粉粒度对振荡压力烧结Si3N4陶瓷的影响

为了提高Si₃N₄陶瓷的烧结致密度,采用振荡压力烧结工艺分别在1 745和1 775℃制备了Si₃N₄陶瓷,主要研究了Si₃N₄粉的粒度（平均粒径分别为0.4、2.0、2.3μm）对Si₃N₄陶瓷的显微结构和性能的影响。结果显示：1)在两种温度的振荡压力烧结工艺下,由三种不同粒度的Si₃N₄粉制备的Si₃N₄陶瓷的相对密度都很大,为99.65%～99.86%,彼此相差很小。2)由平均粒径为0.2μm的Si₃N₄粉在1 745℃烧结制备的试样的微观结构最均匀,其β-Si₃N₄晶粒平均长径比、抗弯强度和维氏硬度均最大,分别达到5.0、（1 364±65） MPa和（15.72±0.8） GPa;由平均粒径为2.3μm的Si₃     

氯乙烯精馏过程中C2H3Cl和C2H2的回收利用

在电石法生产氯乙烯工艺中,未用尾气吸附装置之前,尾排中大量的氯乙烯和乙炔被排放掉了,造成了有用气体的浪费和电石成本的增加,公司产品在销售市场上没有竞争力。引用这套装置之后,每年可为公司节约几百万元,具有很可观的收益。     

Z型g-C3N4/WO3·H2O的制备及其光催化CO2还原性能

以石墨相氮化碳(g-C₃N₄)和二水合钨酸钠为原料,采用水热合成法制备了复合材料g-C₃N₄/WO₃·H₂O(CNW-1),通过XRD、XPS、SEM、TEM对其进行了表征,探究了298 K、0.1 MPa条件下其对CO₂的可见光催化还原性能,并提出了可能的反应机理。通过调控WO₃结晶水含量可以实现CO和CH₄的产率调节,在反应10 h后,CNW-1具有最高的CH₄产率(0.33μmol/g),而g-C₃N₄/WO₃(CNW)具有最高的CO产率(0.67μmol/g)。该研究为CO₂选择性还原为C1化合物提供了一种有效策略,同时突出了以g-C₃N₄作为半导体构建Z型光催化体系在催化领域的应用潜力。