离子注入机高压上的电器的光控调节

离子注入机的总体设计方案可分为先加速后分析和先分析后加速两种。在电器安排方面,有的离子注入机设计为靶室接地,使离子源处于正高压;有的注入机设计为离子源接地,使靶室处于负高压;也有的注入机设计为中间的分析器接地,使离子源和靶室分别处于正负高压(这种设计较为少用)。不管采用那一种设计方法,总有一端为高压,那么这一端的电器设备就要处在高压上。我校研制的400KeV多元素离子注入机,是采取靶室接地,头部为400KV的正高压。因而,离子源电源、吸极电源、予加速电源、初     

磁四极透镜中强流束传输的模拟分析

基于磁四极透镜的强流束传输和超松弛迭代理论,编写了磁四极透镜的束流传输模拟程序,该程序适用于磁四极透镜中强流束传输的模拟计算.用模拟程序对不同束流的流强在磁四极透镜中的传输进行模拟计算,并对模拟结果进行了分析.模拟结果表明:随着束流的流强增大,空间电荷力的横向发散效应增强,束流包络曲线横向发散变显著;束流的流强大于100mA时,束流包络曲线发散比较明显.     

中性粒子标定源中聚焦系统的研究

设计了用于中性粒子标定源的聚焦系统.利用三维电磁仿真软件CST对束流在中性粒子标定源中的输运情况进行了模拟,研究了单透镜与加速管之间的距离、聚焦电压和加速电压的改变对束流轨迹的影响.在离子源测试装置上利用塑料闪烁体对束流剖面进行了初步测定,测试结果与模拟计算相符合.文中得到的数据对中性粒子分析器的标定具有重要参考价值.     

在线同位素分离器束流光学特性研究

在线同位素分离器系统是用于研究远离β稳定线的短寿命核素的有效工具.本文主要对ISOLDE型(55o)在线分离器的束流光学系统作了详细介绍,通过分析影响磁铁质量分辨本领的因素,指出把单透镜和四极透镜组合在一起使用可达到既提高分辨本领又不损失束流的要求.此外,根据CARR-ISOL的磁铁参数计算了不同影响因素下磁铁质量分辨本领及束斑水平宽度,发现在电源稳定度越高,加速电压越高,离子源归一化发射度越小时,磁铁的质量分辨率越高.     

浅析强流离子源四电极引出系统的离子透镜

本文简单介绍了离子光学和离子透镜,阐述强流离子源四电极引出系统,分析了离子源引出系统的离子光学和离子透镜.利用离子透镜原理强流离子源离子束的发散与汇聚进行了分析.     

高频无极环形气体放电离子源理论的研究——Ⅱ.外磁场中的放电特性

本文研究了外磁场中(包括纵向磁场、横向磁场和磁四极场三种情况)高频无极环形气体放电离子源的工作特性,给出了有关量的分析表达式.     

静磁广义多极系统的对称性群及谐波势

将静磁普通多极系统的概念推广到静磁广义多极系统，后者由静磁普通多极系统及静磁圆透镜所组成；并将静磁普通多极系统的Ｍ函数的定义推广到静磁广义多极系统的Ｍ函数，导出了静磁普通多极系统的对称性群与其对应的静磁广义多极系统的对称性群之间的关系，以及它们对其ｍ次偏谐波势的约束之间的关系．在分析了某些重要的静磁广义多极系统后，得到下述结论：如果静磁偏转多极系统和静磁圆透镜很靠近并都含有磁芯，人们就不能肯定地说，由这两者所组成的系统恒可用聚集偏转复合系统理论来处理     

SC—50型金属工艺用离子注入机的离子源、加速管及靶室

本文介绍了SC—50型金属工艺用离子注入机。主要讨论引出氮离子靶上达5mA 的改进潘宁型离子源,不对称三电极加速系统,具有旋转和升降机械扫描的大型靶室。     

使用永磁透镜减小永磁微波离子源引出束流发散的研究

介绍了北京大学重离子物理研究所2.45GHz袖珍永磁微波离子源引出系统的一项改进,即在距该离子源永磁环9cm处加一个长为10cm的永磁透镜。通过计算机模拟和实际测量,对增加此透镜前后比较了磁场分布的变化。模拟计算和实验结果表明,永磁透镜产生的磁场可以有效地聚焦引出的束流,减小引出束流的束斑尺寸。与电磁螺线管透镜相比,该项改进简化了束流传输系统,节省了电功率,并有利于改善离子源区的真空。     

使用永磁透镜减小永磁微波离子源引出束流发散的研究

介绍了北京大学重离子物理研究所2.45GHz袖珍永磁微波离子源引出系统的一项改进,即在距该离子源永磁环9cm处加一个长为10cm的永磁透镜.通过计算机模拟和实际测量,对增加此透镜前后比较了磁场分布的变化.模拟计算和实验结果表明,永磁透镜产生的磁场可以有效地聚焦引出的束流,减小引出束流的束斑尺寸.与电磁螺线管透镜相比,该项改进简化了束流传输系统,节省了电功率,并有利于改善离子源区的真空.     

我国第一台高能重离子注人机研制成功

我校物理系核物理专业,在有关单位的协作下,于一九七七年十二月研制成功一台高能重离子注入机,经过试运行,性能良好,稳定可靠,达到了较好的技术指标。该机能量为380千电子伏,其调节范围从30千电子伏到380千电子伏,磁分析器的偏转半径R=1米偏转角Φ=90°,极距为3厘米,最高磁感应强度B=11000高斯,同时它有高频离子源可加速各种元素     

复旦大学新核微探针——系统建设与束流光学计算

微束是由9SDH－2串列加速器引出的高能离子，经过三元四极透镜聚焦后，得到线度为μm量级的离子束；由多个探测器构成的探测系统，可进行PIXE，RBS，STIM等分析，便于核微探针系统开展与材料、环境、生物等学科交叉的研究。为了获得尽可能小的束径，根据新核微探针系统的具体几何条件，进行了束流光学的模拟计算，找到了对不同能量、不同离子进行聚焦的合适的四极透镜参数，其结果直接指导新核微探针系统的安装和调试。     

强流离子注入机束流光学系统的计算

本文给出了计入空间电荷效应后整机光路的束流包络。分析了改变磁分析器和高梯度加速管的一些参数对束流包络的影响。     

串级飞行时间质量分析器的设计

介绍一种由扇形静电分析器组成的串级飞行时间质量分析器的选型与设计．此种仪器能够实现方向（径向与轴向）与能量双聚焦，可以结合激光探针离子源进行固体样品分析，也可实现质谱－质谱联合分析．     

MEVVA离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.     

维恩滤质分析器的聚焦和象差理论

本文对维恩滤质分析器(Wien filter analyzer)即交叉场分析器的电场和磁场分布特点,粒子轨迹、聚焦成象性质和象差进行了系统的理论研究;推导了分析器的二级几何象差与一级色差的一般公式,并特别研究了具有类似圆透镜聚焦性能的双向聚焦维恩滤质分析器的情形;给出了横向场具有矩形分布时一级色差系数和二级孔阑象差系数的解析公式.     

四极质谱仪微机控制和数据处理系统

本文在分析微机化四极质谱仪现状的基础上,以国产ZLS-150型四极质谱仪为原型,进行了四极质谱仪微机控制和数据处理系统的研制,提出了最小二乘质量标定方法。通过对质谱仪扫描规律的详细研究,探讨了新颖的定点扫描方式,较好地解决了监测过程中监测频率和监测组分数之间的矛盾。该系统经联机调试取得了满意效果。     

强流中子管微波离子源磁场模式设计

根据强流中子管的特殊要求和微波离子源微波吸收及传输原理,设计出等离子腔结构,其对微波可无阻传输,对高压有隔离作用,又根据强流中子管微波离子源对磁场模式的要求给出多联线结构、双磁环结构、加导磁磁路磁场等多种磁场模式的设计结果及实验数据,并做应讨论。     

用X射线光电子谱仪测量功函数变化的一种新方法

本文介绍了利用Ｘ射线光电谱仪测量金属及半导体材料功函数变化的一种新方法，在能 量分析器外半球的负扫描高压端接入一正偏压，即可利用样品二次电子发射边在能量轴上的移动 量确定样品功函数的变化．方法简单易行、利用已知功函数的标准样品亦可测功函数的绝对值。     

磁各向异性媒质中振荡电四极子辐射功率的角分布

振荡电四极子在磁各向异性媒质中辐射时，功率的角分布较为复杂.通过缜密的数学推导得到了磁各向异性媒质中电四极子沿极轴振荡时，其辐射功率角分布的表达式.当媒质为各向同性时，计算结果与预期的结果相吻合，从而验证了推导结果的正确性.