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一直以来掺杂改善AgSnO2触头材料的电性能大多采用"试错"的方法进行实验研究,因此寻求有效的理论支撑具有非常重要的研究意义和应用价值.该文基于密度泛函理论的第一性原理,构建三种金属元素(Sr、Ga、Co)掺杂SnO2的晶胞模型,仿真研究掺杂后SnO2的稳定性与相对电导率,得到最佳的掺杂元素Co.通过实验进行验证,首先采用溶胶凝胶法制备掺杂的SnO2粉末,X射线衍射(XRD)验证了溶胶凝胶法能够实现仿真计算建立的置换掺杂模型,再利用粉末冶金法制备掺杂的AgSnO2电触头材料,经电性能测试验证了仿真结果的正确性.为筛选掺杂元素改善AgSnO2触头材料性能提供了理论依据. 相似文献
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反应合成AgSnO2电接触材料的组织与性能研究 总被引:9,自引:1,他引:9
采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料。利用千瓦CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化,对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试。对AgSnO:块体材料进行电导率测试和X射线衍射分析,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,所制备的AgSnO2电接触材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成I反应合成法制备的AgSnOz电接触材料较传统粉末冶金法制备的AgSnO2电接触材料具有更高的导电性和抗熔蚀性;该方法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了Ag、SnO2的结合状态使材料的加工性能、导电性能和抗熔蚀性同时得到改善和提高。 相似文献
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采用合金内氧化法 粉末冶金方法制备了一种新型银氧化锡(AgSnO2_La2O3)触头材料。其密度为9.70~10.05 g/cm3,硬度为79.6~99.0,电阻率为3.20~3.50μΩ.cm。用扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS)对AgSnO2_La2O3触头材料的显微组织进行分析发现,氧化物(La2O3,SnO2)晶粒明显细化且呈细小球状(<0.5μm)及不规则形状(<3μm)两种形态均匀分布。对AgSnO2_La2O3进行电性能试验和物理、机械性能的测定,并与合金内氧化法的AgSnO2(8)_In2O3_T和AgCdO(8)_T触头材料比较,结果表明,AgSnO2_La2O3材料的电性能、物理及机械性能与后两者相近,但侵蚀量略低于后二者,有望成为一种新型触头材料。 相似文献
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将采用化学沉淀法制备的Bi掺杂量为25%(原子分数)的SnO2纳米颗粒(Sn0.75Bi0.25O2)作为增强相,借助于粉末冶金法制备了AgSnO2(12)电接触材料,分析了Bi元素掺杂对电接触材料性能的影响。试验结果表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强的AgSnO2(12)电接触材料组织结构均匀,密度、硬度高,导电性好。电性能试验表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强材料的燃弧时间短、能量低,接触电阻低且稳定,抗电弧侵蚀能力强。 相似文献
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粉末元素掺杂对AgSnO2(10)触头材料的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
通过对粉末进行特殊处理,在AgSnO2(10)触头材料中加入抗电侵蚀的元素,研制出了一种高性能AgSnO2(10)触头材料,较好地降低了触头的电侵蚀率,延长了触头寿命,并提高了触头的抗动熔焊性能。 相似文献
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AgSnO2触头材料在直流灯负载下的电侵蚀特点 总被引:1,自引:2,他引:1
通过模拟实验机对直流灯负载下汽车继电器用银氧化锡(AgSnO2)系列触头材料进行电性能实验。观察了不同成分、不同工艺的银氧化锡触头材料的电侵蚀情况,总结分析了它们在实验中表现出的电侵蚀特点。指出了影响银氧化锡触头材料电性能的主要因素。 相似文献
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高压氧化技术在制造AgSnO2电触头材料上的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
探讨了6种不同AgSn合金粉末的高压氧化特性。与常规AgSnO2电触头材料相比,采用高压氧化技术及工艺制造的AgSnO2电触头材料的电性能有很大改善。 相似文献
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AgSnO2触头材料的发展现状及其在继电器中的应用 总被引:8,自引:1,他引:7
阐述了继电器用银基触头材料的基本性能、各组分的作用、金相组织以及低压银基触头材料在低压电器中的应用。介绍了欧洲、日本、韩国和中国银氧化锡触头材料的品种、制造工艺、静态性能及有关应用情况。 相似文献
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针对AgC触头材料耐电磨损性差的问题,采用添加纳米级难熔物质的方式进行改性。深入研究了添加物种类、分散剂、超声时间等工艺参数对添加效果的影响,并用优化后的工艺参数研制出改性AgC(3)触头材料。改性AgC(3)材料的物理性能良好,在小型断路器和电动机断路器的型式试验中表现出优异的电性能,有利于延长电器的使用寿命,同时节约材料,降低制造成本。 相似文献
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