铍/聚乙烯/铁组合球中的反应率测量

用HPGe探测器和活化箔法测量了DT中子照射下^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au、^197Au(n，γ)^198Au反应在铍／聚乙烯／铁组合球中的活化率。运用MCNP／4B程序和ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行模拟计算。对于^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au反应，计算值与实验结果基本一致；^197Au(n，γ)^198Au反应计算结果与实验结果有相当大的差异。一个可能的原因是金箔对低能中子的自屏蔽效应。     

用于~(18)N在~9Be、~(197)Au靶上破裂反应研究的探测器系统

描述了用于放射性核束 18N在 9Be、197Au靶上破裂反应研究的探测器系统构成、性能、特点及在线实验的初步结果。     

丰质子核~(25)Si的β延迟衰变谱学

<正>远离稳定线原子核的结构是当前核物理领域的一个前沿热点。β衰变谱学是研究核结构的重要方法,尤其适用于低产额的滴线核。在兰州放射性束流线(RIBLL1)上开展了丰质子滴线核25Si的β延迟衰变谱学的研究。能量约80 MeV/u的初级28Si轰击厚约1 000μm的Be靶产生25Si。次级束穿透多组降能片被停阻到3块厚度分别为142、40、304μm的双面硅条探测器上来探测衰变产物。较厚的双面硅条探测器具有较高的探测效率,能提高实验过程中探测到产额     

用于18N在9Be、197Au靶上破裂反应研究的探测器系统

描述了用于放射性核束18N在9Be,197Au靶上破裂反应研究的探测器系统构成,性能,特点及在线实验的初步结果。     

脉冲高度权重技术测量197Au中子俘获截面

脉冲高度权重技术是利用C_6D_6探测器测量中子俘获截面的一种数据处理方法。在中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)的反角白光中子源(Back-n)靶站上,通过测量金靶(~(197)Au)的中子俘获截面,验证了该方法的可靠性。首先利用Geant4蒙特卡罗程序模拟给出了不同靶条件下的探测器效率,脉冲高度权重函数等基本项,使得加权后的探测器效率与γ能量成正比。然后通过实验测量了~(197)Au中子俘获截面。结果表明:测量获得的中子俘获截面数据和ENDF/B-VⅢ.0评价数据相符合,同时发现随着实验靶尺寸的不同和质子束功率的增加,会使得实验本底的扣除误差越来越大。     

贫化铀及组合球中的反应率测量

用HPGe探测器测量了DT中子照射下^27Al(n，α)^24Na、^197Au(n，2n)^196Au、^93Nb(n，2n)^92Nbm和^197Au(n，γ)^198Au几个反应在贫化铀、贫化铀／聚乙烯／铁组合球中的活化率。运用MCNP／4B程序和ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行了模拟计算^27Al(n，α)^24Na、^197Au(n，2n)^196Au反应的计算与实验结果基本一致，而^197Au(n，γ)^198Au反应的计算结果与实验结果有相当大的差异。     

6 加速器生产加^109Cd用Ag靶制备

Ag靶用于加速器生产^109Cd，核反应为^109Ag（p，n）^109Cd。本工作采用电沉积法制备Ag靶。通过对影响电沉积Ag靶层质量及厚度的各种因素的实验，确定了Ag靶制备工艺条件如下：ρ（Ag^＋）=20～50g／L，ρ（KNO3）=10-30g／L，φ（NH4OH）=0．1～0．2。用此工艺条件，制备出质量厚度大于100mg／cm^2、表面光滑、镀层致密的Ag靶。     

Si(Li)探测器低能区的效率刻度

通过测量19keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱，在低能区（>1keV）对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算，并用²⁴¹Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差，约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较，并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合，除Au接触层厚度外，拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。     

27 ^178Os的高自旋态寿命测量

实验工作于2004年9月在HI-13串列加速器上完成。通过重离子熔合蒸发反应^29Si＋^154Sm布局^178Os核的高自旋态。实验中^154Sm靶的厚度为1．4mg／cm^2，衬底采用厚度为20mg／cm^2的铅衬，束流能量为155MeV。     

Study on Properties of Solid Material Surface Modified by Nuclear Tracks

对充气飞行时间探测系统在以下几个方面进行了改进：1）减少入射窗Mylar膜的厚度，从原来的0．9μm减少到0．5μm；2）增加停止时间探测器的灵敏面积，提高探测效率。原来采用的金硅面垒型探测器的直径为23mm，现在所用的探测器直径为40mm，探测效率可由原来的40％左右提高到70％以上。     

分子电镀法制备232Th靶

为满足测定232Th（a，2n）234。U反应截面的需求，需在2μm和8μm厚的Al衬底上制备232Th的薄靶，要求靶厚100-200μg／cm2，不均匀性小于5％。为此，本工作采用分子电镀法，研究并选择了232Th的最佳电镀条件，制备了均匀、牢固的232Th靶，并给出了该靶精确的质量厚度值，满足了试验要求。     

无衬底铁靶的制备

本文介绍用真空蒸发制备厚度为1μm左右的无衬底铁靶的方法。 一、引言 无衬底铁靶是为核物理实验~(56)Fe(p,n)~(56)Co反应而制备的。在这个靶的制备过程中,我们采用了氯化钠作脱膜剂、不锈钢片作衬底和氧化铝坩埚作蒸发器的真空镀膜技术,成功地制备了厚度为1μm左右的无衬底铁靶。     

几种稀土金属自支撑靶膜的制备及其保存

在新核素合成、＾１５３Ｅｒ（ＥＣ＋β＾＋）研究、三裂与核温度测量，中能重离子碰撞中巨共振实验中，需要稀土Ｎｄ，Ｙｂ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｇｄ金属自支撑靶膜，要求厚度为０．８ｍｇ／ｃｍ＾２以上，靶孔为Φ１５－３０ｍｍ。采用滚压方法进行这几种靶的制备。     

^110Ag高自旋态及其旋称反转研究

该实验在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上完成。通过重离子熔合蒸发反应^110Pd（^7Li，2p2n）^110Ag布居^110Ag的高自旋态，探测装置由14套HPGe-BGO反康谱仪组成。实验靶^110Pd的厚度为2．4mg／cm^2，并带有0．4mg／cm^2的Au衬。通过激发函数测量，选取^7Li束的最佳能量为49MeV。     

RIBLL中粒子鉴别探测器

描述了RIBLL上使用的飞行时间探测器、ΔE探测器和能量探测器。通过它们可以获得反应产物的飞行时间、ΔE和能量,从而达到粒子鉴别的目的。并对在RIBLL上实际调束得到的实验结果进行分析,验证了这些探测器的可靠性。     

新型望远镜带电粒子探测系统结构设计与理论模拟

为了在兰州重离子加速器国家实验室(HIRFL)的放射性束流线(RIBLL1)上开展基于完全运动学测量的远离β稳定线奇异核反应机制的研究,需研制一套由多个独立的望远镜系统(探测模块)组成的带电粒子探测阵列。每个探测模块包含1块16×16的厚65μm的双面硅条探测器、1块4×4的厚1 000μm的像素硅探测器和由雪崩光二极管(APD)读出的4×4CsI(Tl)阵列探测器。该探测阵列可实现大的能量测量范围、高能量分辨率和位置分辨,同时具备大立体角覆盖和粒子关联测量的能力。通过Geant4探测器模拟软件对单个探测模块进行模拟,结合对探测模块各部分的实验测试,给出了探测模块的设计方案和整体性能指标。     

用厚靶方法研究17F＋p弹性共振散射

HI-13串列加速器上的次级束装置自建成以来己产生了从6He到18F等的多种次级束，其中，13N和17F次级束是流强最大的。为开展次级束引起的弹性共振散射的厚靶实验研究，建立了包含双面硅条探测器（DSSSD）和1mm厚硅探测器的轻粒子△E—E组合，并用他C＋p弹性共振散射进行了验证。     

用D-D反应对自生靶膜最佳厚度的研究

本文用D-D反应对密封中子发生器用钛膜自生靶膜最佳厚度做了实验研究。在对实验结果分析的基础上,提出选择自生靶膜最佳厚度的一般原则,并得出在130 keV氘离子轰击下钛膜自成靶的最佳厚度为1.25～1.55μm,该靶在82.5μA束流轰击下D-D反应中子产额为6.5×10~6n/s。     

ICF分解实验中的平面调制靶和薄膜靶的研制

本工作研制了用于惯性约束聚变ICF分解实验模拟聚变靶丸表面粗糙度和驱动激光空间不均匀性对R—T不稳定性作用的平面调制靶和平面薄膜靶。以激光干涉法结合图形转移工艺获得波长20～100μm、振幅0．0～4．0μm的正弦调制图形的模板,再将调制图形转移至溴代聚苯乙烯薄膜表面,制备出ICF实验用溴代聚苯乙烯平面调制箔靶;以半导体工艺结合自截止腐蚀工艺制得厚度4μm左右的自支撑Si平面薄膜靶。Si膜的表面粗糙度为几十纳米。对所研制的两种靶型的参数进行了测量。     

外延硅dE／dX探测器的研制

本文介绍了厚度为５．２－６．０、１０－１３、１９μｍ，有效面积为２８－１５４ｍｍ＾２的外延硅ｄＥ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途，测试结果（对９．８７ＭｅＶ α粒子的能损△Ｅ的分辨率为５６－１２８ｋｅＶ）和在核物理实验中的应用。