Re—N—C共渗层中稀土元素的微观分布

用Ｘ射线能谱仪及离子探针对Ｒｅ－Ｎ－Ｃ共渗层中稀土元素晶粒微观尺度上的分布状况进行了分析。结果表明：共渗过程中渗入的稀土元素具有强烈的晶界偏聚倾向，共渗后具有很高的富集比     

Nb—Ti—V系Fe基堆焊层中碳化物与固溶体的界面研究

利用扫描电镜和透射电镜观察、分析了高碳Nb-Ti-V系堆焊层中颗粒碳化物与固溶体间的界面(Carbide／Solid Solution简称C／S界面)结构．表明：C／S界面洁净，无第3种反应物的显微夹层，两相错配度δ=(6．1～8．3)％，界面位向关系为：(002)α-Fe／／(2-↑20)(NbTiV)C；对MM200上的磨损试件观察亦表明，其C／S界面结合强度高，碳化物的脱落极少，堆焊层耐磨性超过美国的MG700的堆焊层。     

溅射功率对碳纤维及C/C膜界面复合材料性能的影响

室温下利用磁控溅射技术在碳纤维表面沉积碳膜,探究溅射功率对碳纤维及其复合材料性能的影响。结果表明:不同溅射功率改性后的碳纤维与改性前的碳纤维相比,石墨化程度、微晶尺寸均有一定程度的增大;随着溅射功率的增大,断裂强度和弯曲强度都呈现出先增大后减小的趋势,与改性前相比,断裂强度分别提高了27.14%(150W)、32.98%(250W)、18.89%(350W)、17.94%(450W),弯曲强度提高了28.66%(150W)、39.45%(250W)、8.49%(350W)、3.28%(450W);并且改性后的碳纤维增强复合材料在拉伸过程中会出现屈服阶段,不再是典型的脆性断裂,界面性能得到改善。     

CVD条件对金刚石薄膜/钼基体界面层的影响

用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Mo基片上沉积金刚石薄膜时,界面层钼的碳化程度与初始沉积条件有关.利用XRD,SEM,EDS对界面层进行的研究表明:在化学气相沉积的开始阶段,较低的甲烷浓度有利于碳向基体内的扩散从而让表面的Mo充分碳化,形成富含Mo2C的界面层.甲烷浓度过高时有利于金刚石的形核而不利于碳向基体内的扩散.在金刚石薄膜的生长过程中,碳向基体内的扩散很少,界面层的组成结构保持不变.     

聚吡咯层对聚酯/环氧树脂界面粘结性能的影响

采用吡咯化学沉积聚合方法对聚酯(PET)纤维进行表面改性,研究聚合工艺条件对纤维与环氧树脂界面剪切强度的影响.分别用SEM、共聚焦显微镜、DMA及单纤维拔出实验等测试手段对改性前后纤维的表面形貌、粗糙度、聚吡咯(PPy)与基体纤维大分子作用力及复合材料的界面剪切强度(IFSS)进行研究.结果表明:吡咯化学沉积聚合改性是一种有效提高纤维与树脂界面粘结性能的方法.此外,可进一步通过聚合改性工艺条件控制聚吡咯层的形貌及聚吡咯与基体纤维大分子的作用力,从而调控纤维与树脂界面剪切强度,吡咯气相化学沉积后再液相沉积,增强复合材料界面剪切强度比原纤维的提高了127.98%.     

头/盘界面对润滑剂转移行为及分布的影响

为进一步提高磁头飞行的稳定性,增加硬盘存储容量,采用分子动力学方法研究磁头磁盘接触条件下盘片上类金刚石薄膜(DLC)层粗糙度、DLC表层官能团比例及单个润滑剂分子中羟基数对润滑剂转移行为及润滑剂在盘片表面分布的影响.研究结果表明:降低DLC层粗糙度,增加DLC表层官能团比例都将降低磁头磁盘间的润滑剂转移量;当磁盘表面存在物理吸附态的润滑剂分子时,增加单个润滑剂分子中的羟基数也可降低润滑剂转移量;但降低DLC层粗糙度或同时增加DLC表层官能团的比例和单个润滑剂中羟基数会增加润滑剂在盘片表面堆积的高度,进而降低磁头飞行稳定性.综合考虑润滑剂转移量和润滑剂在磁盘表面堆积厚度对磁头飞行稳定性的影响,DLC层粗糙度应降低至约0.07 nm,DLC表层官能团比例增至约80%,单个润滑剂分子中的羟基数量应少于8个.     

基体碳种类对C/Cu复合材料界面浸润行为的影响

采用真空反应浸渗法,分别以碳纤维/树脂碳(C/C)、碳纤维(Cf)、高纯石墨(Graphite)以及玻璃碳(GC)为基体碳制备了C/Cu复合材料.利用OM、XRD、SEM、EDX等检测分析方法研究了不同的基体碳种类对C/Cu复合材料浸润行为以及界面层组织形貌的影响.结果表明:Cf和C/C与Cu-Ti合金基体润湿性较好,...     

SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究

碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO₂）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力。在传统的SiCMOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率。利用该模型讨论了SiC/SiO₂界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间。随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理。     

吸收浓度对玻璃态膜中气体吸收过程影响的研究

通过气体在玻璃态高分子膜中的吸收过程分析,认为在膜中气体分子与膜之间的相互作用将影响吸收等温线。假设气体在膜中的溶解过程类似于在溶液中的溶解过程,推导得出了普遍化双方式吸收模型。该模型中考虑了气体吸收浓度对气体在玻璃态膜中吸收过程的影响,几乎能够描述各种吸收过程。     

Si/C和冷却速度对中铬铸铁铸态组织和性能的影响

研究了Si/C和冷却速度对中铬铸铁铸态组织和性能的影响规律.实验表明:在一定限度内提高Si/C能改变碳化物的类型和分布,使冲击韧性大幅提高;提高凝固期的冷却速度可使组织明显细化,特别是使奥氏体一次、二次枝晶臂间距显著减小,综合机械性能得到改善.     

稀土对铸态铝合金中元素分布及化合物量的影响

本文研究了微量稀土对工业纯铝中杂质元素的固溶量、Al-Cu及Al-Cu-Li合金中Cu的固溶量和Al-Zn—Mg合金中Zn、Mg固溶量及其化合物量的影响。     

热处理温度对CrMoNi铸铁基化学镀Ni—P层显微结构与性能的影响

采用化学镀技术在CrMoNi高合金铸铁表面沉积Ni—P合金镀层,采用维氏硬度仪、M-2000摩擦磨损机、SEM和EDAX等手段研究了热处理温度对Ni—P合金镀层组织结构和性能的影响,并对磨损机理进行了分析.研究结果表明:CrMoNi合金基体表面沉积Ni—P合金镀层能有效改善CrMoNi合金基体硬度和耐磨性.经过350,℃热处理时,获得的Ni—P合金镀层硬度达到极值1 072,HV,为基体硬度的4.5倍,耐磨性最佳,磨损率仅为基体的0.68‰,镀层的磨损机制为轻微的黏着磨损.     

K2O和TiO2杂质对Al2O3—SiC—C砖抗渣性的影响

分析了基质Ｋ２Ｏ和ＴｉＯ２对Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖抗渣性能的影响。实验结果表明,以硅线石为基质的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖,基坑渣性能优于以矾土为基质的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖。     

断面收缩率对楔横轧42CrMo/Q235层合轴界面结合特性的影响

断面收缩率为楔横轧工艺的重要参数,对轧件的成形质量具有显著影响。本文采用楔横轧方法成形42CrMo/Q235层合轴,探究断面收缩率对楔横轧42CrMo/Q235层合轴的界面结合强度、界面显微组织、元素Cr扩散、显微硬度以及拉伸断口形貌等界面特性的影响。研究结果表明:经过楔横轧高温轧制成形,基材Q235与覆材42CrMo实现良好的冶金结合,界面结合强度随断面收缩率的增加而增大。随断面收缩率增加,结合界面处的晶粒度减小,Cr元素由覆材42CrMo向基材Q235的扩散深度增加,与界面距离相同位置处的显微硬度增加;与此同时,随着断面收缩率增加,拉伸断口韧窝尺寸减小,韧窝氧化物颗粒越弥散。但当断面收缩率在65%以上时,轧件覆层易缩颈或发生断裂。     

用键参数研究化学成分对钢中由于杂质元素偏聚引起回火脆性的影响

本文从化学键理论出发,用键参数的研究方法探讨了化学成分对钢中由于杂质元素偏聚引起回火脆性影响的规律性,实验结果表明此方法是有用的。