(Ba1-xPrx)Ti1-x/4O3陶瓷固溶度及位占据的研究

采用固相反应法制备了(Ba_1-xPr_x)Ti_1-x/4O₃（x = 0.10-0.20）（BPT）的陶瓷。由X射线衍射（XRD）和电子顺磁共振（EPR）技术研究了BPT陶瓷的固溶度及Pr离子的位占据情况。结果表明: BPT陶瓷的固溶度为x = 0.17,且在固溶限制范围内BPT具有单相立方钙钛矿结构;Pr离子支配性地占据Ba位。     

（Ba，Eu）Ti03细晶粒陶瓷制备中的影响因素

采用冷压陶瓷技术,分别在1400℃和1300℃制备了具有四方结构的（Ba1-xEu）TiO3和（Ba1-xEu）Ti1-x／80,陶瓷．应用x射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）研究Eu含量、n空位缺陷和陶瓷化烧结温度的变化对制备（Ba,Eu）TiO,细晶粒陶瓷的影响因素．结果表明：当z=0．05时,1300＇1：制备的（Ba1-xEu）Ti,-x／80,陶瓷细化到平均晶粒尺寸小于1μm,1400℃制备的（BahEu,）Ti03陶瓷却畸变生长到5斗m．而x=0．03时,（Ba1-xEu）TiO,陶瓷仍能细化到1μm．说明较高的陶瓷化烧结温度并不是晶粒生长的主要原因,Ti空位的存在起到抑制晶粒生长的作用．x≥0．07时,（Ba1-xEu）TiO,陶瓷为大于5斗m的粗晶粒陶瓷,说明Eu含量的继续增加不能抑制晶粒生长．     

MgTi2O5对Al2TiO5的合成、分解及烧结的影响

通过固相法以MgTi2O5为稳定剂合了Al2（1-x)MgxTi1 xO5(简称AMT）（x=0,0.01,0.05,0.1,0.3)体系固溶体末。研究了该固溶 末的物相组成、以及热分解性能与x值变化的关系，采用无压烧结法研究了MgTi2O5的存在对Al2TiO5烧结致密度的影响。粉末X射线衍射结果表明随着x值的增大，固溶体AMT晶格常数线性增大，热稳定性越高。当x=0.05时，将该固溶体在1100℃保温10h，仅有9％的分解率。通过密度测试，结果显示随着MgTi2O5的增加，烧结体的致密度增大，表明MgTi2O5的存在有助于钛酸铝的烧结。     

非平衡磁控溅射TiCxN1-x薄膜微结构及性能分析

为了研究不同沉积条件下TiCxN1-x(0≤x≤1)薄膜的相结构、显微硬度及摩擦性能的影响因素,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪分析薄膜的形貌和相结构,用HXD-1000数字式显微硬度计、MCMS-1摩擦磨损仪测试薄膜的硬度和摩擦系数.研究结果表明:TiN,TiC薄膜显示出〈111〉择优取向生长趋势,Ti(C,N)有较强的〈200〉取向,Ti(C,N)衍射峰涵盖了TiN峰和TiC峰,薄膜存在TiN和TiC两相共存.与TiN,TiC相比,Ti(C,N)薄膜具有更高硬度,当C原子含量x＝0.582时,Ti(C,N)薄膜硬度达到最大值为33.6 GPa,且表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.     

(Zn,Cd)S的x射线衍射及其阴极射线发光

（Zn1-x，Cdx）S的x射线衍射分析表明，900℃锻烧的ZnS为立方闪锌矿结构，而（Zn1-x，Cdx）S（x=0．075、0．25，0．35，0．75）为六方纤锌矿结构。晶胞参数a和c均值CdS含量的增加而增加。ZnS的兰带发射光谱随CdS含量的增加而红移，形成由兰到绿到红的一系列发射谱带。     

非线性时滞微分方程解的渐近性质

考虑非线性时滞微分方程X'(t)=r(t)x(t)1-x(t-τ）／1-cx(t-τ）,t≥0,其中r(t)∈C（[0,∞）,(R^ ),0≤c≤1为常数,τ>0常数.获得了保证这个方程的全局解趋向于其平衡解X=1的充分条件,改进了[1]的结果.     

(Ba_(1-3x/2)Ce_xCa_(x/2))Ti_(1-x/4)O_3陶瓷的结构及介电性能研究

采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RS)、电子顺磁共振(EPR)、扫描电子显微镜(SEM)和介电测试技术研究(Ba1-3x/2CexCax/2)Ti1-x/4O3陶瓷的结构及介电性能.结果表明:随掺杂量x增加,发生四方-立方结构转变,以45°附近两个分立的(002)/(200)衍射峰演变为单一对称的(200)衍射峰为标志;(Ba1-3x/2CexCax/2)Ti1-x/4O3陶瓷显示一级相变(FPT)的介电行为,具有较高的介电常数和低介电损耗(tanδ0.04).     

La1-x Cex Ni3．54 CO0．78 Mn0．35 A10．32贮氢合金相结构和电化学性能的研究

采用真空电弧熔炼和热处理方法制备了La1-x Cex Ni3．54 CO0．78 Mn0．35 A10．32（x=0．1,0．2,0．3,0．4,0．5,0．6）贮氢合金．x射线衍射（XRD）分析表明,合金含有单-CaCu5型六方结构相．电化学性能测试表明,随着x的增加,合金的最大放电容量从348．1mAh／g（x=0．1）单调地减小到310．1mAh／g（x=0．6）;HRD1200先从28．6％（x=0．1）增加到65．4％（x=0．5）然后降低到60．1％（x=0．6）,归因于合金表面的电催化活性和合金体内氢原子扩散速率均随z的增大先增大后减小．     

高阶边值问题周期解的存在性

用变分方法研究高阶边值问题{（-1）^n＋1u（2n＋2）＋∑k=1^n（-1）^kcku^（2k）-α（x）u＋f（x,u）=0,0〈x〈L, u^（i）（0）=u^（i）（L）=0,i=0,2,…,2n. 在X=H^n＋1（0,L）∩H0^n（0,L）中的非平凡周期解的存在性．     

金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的结构及基微观机制研究

利用X射线衍射，金相显微镜，能谱分析以及差示扫描量热（DSC）等手段对金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01，0．03，0．05，0．08，0．1）的结构及其微观机制进行了研究．结果表明，金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01，0．03，0．05，0．08，0．1）的结构均为3：29型结构。并且随V含量增加，金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势．当x〉0．05时，金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29中的杂质相明显呈现出来．随着V含量的增加，居里温度（R）星单调上升趋势．     

Ho/Er在BaTiO_3陶瓷中的固溶度和缺陷化学

采用混合氧化物方法制备(Ba_(1-x)Ho_x)(Ti_(1-x)Er_x)O_3(简称BHTE)陶瓷.通过X射线衍射(XRD)、电子顺磁共振(EPR)和光致发光技术研究了BHTE陶瓷的晶体结构、固溶度和缺陷化学.结果表明:Ho~(3+)/Er~(3+)离子在BaTiO_3晶格中的固溶度仅为x=0.01,陶瓷为四方钙钛矿结构.x≥0.02时,有少量的Er_2O_3析出,并形成Ba_4Ho_2Ti_4O_(17)杂相.讨论了BHTE陶瓷的位占据、固溶形成和缺陷化学.     

Zn掺杂对GdMnO体系的晶体结构影响

系统研究了Gd（1-x）ZnxMnO3（x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0）体系的结构。结果表明,实验样品具有正交对称性结构。当Zn掺杂浓度x≤0.4时,随着Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c减小,而晶格常数a增大,晶胞体积逐渐减小;当掺杂浓度x≥0.6时,Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c增大,而晶格常数a减小,晶胞体积逐渐增大。计算表明Gd（1-x）ZnxMnO3系列化合物的容忍因子在0.76~0.92范围,可以形成稳定的钙钛矿结构。     

卤代乙烯与氟化氢二聚体g-C2H2X2-HF（X=F，C1）的结构和氢键性质的理论研究

本文作者使用了Counterpoise（CP）校正方法，在MP2／aug-cc-pVDZ水平，计算得到了实频的C2H4-HF和g-C2H2X2-HF（X=F，C1）的优化结构。由于X原子的作用，二聚体g-C2H2X2-HF（X=F，C1）的π-H键被延长，并且在结构中发生了倾斜和弯曲。X原子的作用降低了π-H键相互作用能，而电子相关效应增加了π-H键相互作用能。g-C2H2X2-HF（X=F，C1）结构中存在着π-type H-bond。     

不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响

采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT）,研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内,铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453．     

ZnS和MgS的高压相变和弹性性质

为了进一步研究ZnS和MgS晶体在高压下的B1和B3结构的晶体结构和弹性性质,利用第一性原理平面波赝势密度泛函理论并通过GGA近似,计算得到了高压下ZnS和MgS晶体B3到B1结构相变的相变压强和高压下的弹性系数（C11,C12,C44,B）,结果发现两者相变压强是11.87和0.78GPa,两者在不同结构的弹性系数（C11,C12,C44）与压强变化具有相同的趋势：C11>C12>C44;同时计算得到了两种物质在基态的结构常数,并将其与其他实验和理论计算的结果对比,发现符合得甚好.     

Al_2O_3·TiO_2-MgO·2TiO_2复合物系陶瓷的结构与性能

作者用 X 射线衍射仪法定量分析了 Al_2O_3-MgO·2T1O_2复合物系在烧结过程中的物相变化及烧结体的物相组成和晶格参数。探讨了(Al_(2(1-x))Mg_xTi_(1+x)O_5型固溶体的形成机制。通过扫描电镜和偏光显微镜观测烧结体的微观组织,结合弯曲强度及热膨胀、收缩性能,讨论了烧结体组成、结构与性能之间的相互关系。     

一类中立型积分微分方程解的渐近行为

考虑中立型积分微分方程（x（t）-x（t-τ））’=Ax（t）＋∫t,0C（t，s）x（s）ds＋F（t），通过构造一个Lyapunov泛函，证明了此方程解的一致稳定性和吸引性的条件。     

一类有理差分方程的全局渐近稳定性

研究差分方程xn＋1=fgh＋f＋g＋h＋a/fg＋gh＋hf＋1＋a（n=0,1,…）的全局渐近稳定性,其中a∈（1,＋∞）,f=f（x-r1,…,x-rk）∈C（（0,＋∞）^k,（0,＋∞））,g=g（xn-m1,…,xn-ml）∈C（（0,＋∞）^l,（0,＋∞））,h=h（xn-s1,…,xn-sσ）∈C（（0,＋∞）^σ,（0,＋∞））,k,lσ∈{1,2,…},0≤r1〈…〈rk,0≤m1〈…〈ml,0≤s1〈…〈sσ,并且初值为正实数．给出了该方程关于唯一正平衡点=↑x=1的全局稳定的充分条件,推广了参考文献[5]-[7]中的一些结果．     

基于S3C44B0X的μCLinux内核移植

阐述了μCLinux嵌入式操作系统和S3C44B0X处理器的特点,介绍了引导转载程序的操作模式,详细论述了μCLinux内核移植到基于S3C44B0X处理器的硬件平台的方法.该方法对其他类型的系统内核移植具有很好的借鉴作用.     

TiCx固溶体的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论，对TiCx固溶体不同X值的价电子结构进行了分析，通过键距差（BLD）方法，计算了TiCx固溶体中各键上的共价电子数，结果表明：固溶体中最强键Ti-C键上的共价n∧随X的减小而减小，从而解释了固溶体的硬度、熔点、稳定性、烧结特性随X变化的原因。