集成电路工艺仿真系统TSUPREM-Ⅳ

SUPREM系列集成电路工艺模拟系统是当今国际上用户群最大的集成电路工艺计算机辅助设计系统。本文介绍该系列系统的最新版本 TSUPREM-Ⅳ。     

如何使用半导体器件分析程序——SEDAN输入格式介绍

SEDAN是Semiconductor Device Analysis的简称,是美国斯坦福大学集成电路实验室开发的一个半导体器件分析程序.这个程序已由复旦大学大规模集成电路研究室修改、移植成功. SEDAN执行半导体器件的一维分析,从杂质分布出发解出半导体器件的电特性.若杂质分布的输入直接用集成电路工艺模拟程序SUPREM-2的输出,即SUPREM-2同SEDAN联用,则可直接由已知工艺条件参数算出器件的电特性. 本文介绍如何使用半导体器件分析程序SEDAN,即介绍SEDAN输入文件的书写格式.     

离子注入中硼在Rp缺陷的析出模型

建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的R.缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义.     

1000V高压P沟扩散自对准MOS集成电路

本项工作的目的是研制一种用于显示驱动的高压p沟MOS集成电路。高压PMOS器件用于等离子显示或真空荧光显示中的电流源驱动器。我们把低压电路和高压PMOS器件集成在同一芯片上。高压PMOS晶体管由横向轻掺杂漂移区(p~-)和在低掺杂浓度衬底(v)上的自对准扩散区(DSA)构成,此外,还加了多层场板以确器件体的高可靠性。我们运用了工艺模拟程序SUPREMⅡ使器件的结构和工艺参数达到最佳。这种高压p沟MOS器件具有1000V漏击穿电压,工作在800V漏源电压时,在0.14mm~2的有源区范围内能提供35mA电流,导通电阻低达1.5KΩ。     

集成电路工艺模拟技术及新发展

TCAD(Technology Computer-Aided Design)是先进的集成电路工艺开发中重要的辅助设计手段,其中的工艺模拟(Process Simulation)则是TCAD仿真流程中的关键首要环节。本文概述了集成电路工艺模拟中的常用的氧化、离子注入、扩散、光刻和刻蚀等工艺模型及其功能,并对随着深亚微米技术发展,工艺仿真在离子注入、应力仿真和三维仿真方面的进展进行了介绍。     

集成电路工艺的计算机辅助设计

一、集成电路 TCAD 系统的提出以缩短集成电路工艺、集成电路器件和集成电路电路的设计周期以及为提高设计精度和节省设计成本为目标而发展起来的集成电路工艺模拟、集成电路器件模拟、集成电路电路模拟用器件模型参数提取等方面的集成电路计算机辅助设计软件的研制和应用,如从美国 Scanford 大学推出一维硅器件全工序工艺模拟器 SUPREM-2(1978年)算起,已有十余年的历史了。在这十余年中.随着集成电路的飞速发展,集成电路工艺的 CAD 这个领域也有了较大的进展。在集成电路工艺模拟方面,已有了较成熟的一维硅集成电路全工序工艺模拟软件,二维硅集成电路全工序工艺模     

IC工艺条件萃取程序的结构设计

介绍一个用于集成电路工艺条件自动萃取的程序结构。通过这个算法结构，半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ和计算机的作用被充分发挥，在这篇论文里，介绍了程序的组成和每个程序模块的功能。讨论了工艺条件调整的内容，最后介绍了程序的运行过程。     

离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型

本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双极器件、电路的工艺设计有实际参考价值.也能用来改进 SUPREM工艺模拟中所采用的模型.     

BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用SPC获得影响BiCMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用SUPREM3工艺模拟得到影响β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其β值。最后建议采用广义的SPC使β值受控达到设计规范。     

BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 β值受控达到设计规范     

微电子CAD系统PC－SUPREM和PC－SEDAN及其应用研究

较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的ＰＣ实用系统和有关应用方面的研究，特别是ＳＵＰＲＥＭ（微电子集成电路工艺模拟系统）同ＳＥＤＡＮ（半导体器件特性模拟系统）的接口联机模拟，极大地增强了模拟信息量，最大限度地实施了以上两系统的模拟功能。     

形貌模拟在光刻、腐蚀工艺中的应用

<正> 一、引言 随着集成电路向更大规模、更高性能方向发展,器件的特征尺寸变得越来越小。传统的实验方法由于周期长、成本高已难以满足工艺开发和优化的要求;计算机技术的发展,改变了研究工艺的方法。借助模拟程序分析工艺过程,并寻找最佳的工艺条件将成为一种趋势。 模拟器件在刻蚀过程中的形貌特征,可以获得各种工艺条件变化时对器件条宽等因素的影响规律,并为优化工艺条件提供依据。由伯克利分校的A.R.Neureuther和W.G.Oldham领导的小组开发的形貌模拟程序SAMPLE(Simulation And Modelling of Profile for Lithography and Etching)经过不断的完善和扩充后,已成为二维形貌模拟中最为完整的工艺模拟程序。该程序能模拟接触式、投影式曝光;X射线和电子束曝光、显影、湿法和干法腐蚀,以及淀积等工艺过程。     

微电子CAD系统PC—SUPREM和PC—SEDAN及其应用研究

较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体模拟的ＰＣ实用系统和有关应用方面的研究，特别是ＳＵＰＲＥＭ（微电子集成电路工艺模拟系统）同ＳＥＤＡＮ（半导体器件特性模拟系统）的接口联机模拟，极大地增强了模拟信息量，最大限度地实施了以上两系统的模拟功能。     

工艺模型参数的优化提取和MICPOS工艺模拟程序

本文介绍了一个新的工艺模拟程序MICPOS,该程序采用了一套精度较高的解析的和半经验的工艺模型,并采用快速统计试验法成功地优化提取出实际工艺的模型参数.MICPOS用这些模型参数进行工艺模拟,其结果接近实际工艺的测试结果.     

部分耗尽0.25μm SOI射频nMOSFET

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能.     

部分耗尽0.25μm SOI射频nMOSFET

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能.     

一种基于工艺模拟的MEMS断裂可靠度预测方法

提出了基于工艺模拟的断裂失效概率计算方法,充分考虑了非理想形貌对失效概率的影响,使得预测结果更加准确.并利用APDL语言对ANSYS进行二次封装,采用VC++开发了可靠度计算程序,使得整个计算过程简便、高效.     

微机环境下的集成电路CAD工具

集成电路计算机辅助设计技术是当今集成电路设计的重要技术手段。本文主要介绍在微同上运行的集成电路ＣＡＤ软件：电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ，电路设计软件包ＶＩＥＷＬｏｇｉｃ中的逻辑模拟软件ＶＩＥＷＳｉｍ；半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ；集成电路版图编辑软件Ｌ－ＥＤＩＴ。     

集成电路工艺和器件一体化模拟的实用化研究

<正> 一、引言 在工艺和器件模拟方面,已出现许多优秀的模拟器,如:SUPREM,SEDAN,MINIMOS,PISCES等,可用于指导IC的设计和生产。国内集成电路工厂迫切需要用计算机来实现工艺、器件的一体化模拟,以加快集成电路工业的发展。 本文将一些工艺与器件模拟器联为一体,对国内几种典型电路产品进行了全过程模拟,模拟结果确证了产品参数,对工艺流程提出了合理建议。     

华东师范大学微电子电路与系统研究所简介

华东师范大学微电子电路与系统研究所成立于2000年11月。研究所下设四个研究室．包括：专用集成电路设计、集成微机电系统（MEMS）、超深亚微米器件与工艺模拟、SoC系统集成及应用系统开发。主要进行专用集成电路设计、IP核设计、新型微电子器件、专用电路与系统集成（模块）设计与开发，大力承接市场急需的电子信息类（如：无线通信和网络通信、信息家电、FPGA、DSP、嵌入式系统等）新型产品的研发工作。