2MeV注入器磁场设计与计算

用数值计算方法对２ＭｅＶ注入器上的外加螺线管线圈进行了设计和计算，最后提出在阳极杆部分另加外一反向线圈，得到了较佳结果，同时也给出了整个区域的磁场分布和在磁场作用下的电子束传输的束包络轨迹及束流参数等。     

用于10MeV LIA的储能Marx发生器

描述用于１０ＭｅＶ直线感应加速器的高密度储能Ｍａｒｘ发生器的物理设计、实验调试及运行结果。该装置已达到下列技术指标：储能密度２０ｋＪ／ｍ＾３、“树立”时间不大于０．２μｓ、抖动不大于４５ｎｓ、上升前沿不大于０．２μｓ。     

10MeV LIA传输聚焦系统的元件参数选取和聚焦性能的数值计算

采用束流矩阵法对１０ＭｅＶＬＩＡ传输聚焦系统磁元件的位置布局进行了数值计算，给出了电子束在整个系统中的包络图，特别是束包络在靶附近的行为，对系统磁元件布局的优化进行了计算研究。着重计算了磁透镜参数的变化对系统聚焦性能的影响，探讨了实现电子束成功打靶的调试途径。     

2MeV直线感应加速器注入器测控系统

简要介绍了直线感应加速器２ＭｅＶ、３ｋＡ、６０ｎｓ注入器测控系统。这是一个基于局域网的分级分布式测控系统，由三个主要组成部分分别处理慢信号、快信号和对束输运场供电电源的测控。系统硬件、软件的模块化结构和严格的抗干扰措施，使系统扩展容易，运行稳定。虚拟仪器操作面板的使用，使系统人机界面友善，操作方便。     

电阻环束流探测器的标定

电阻环探测技术是一种成熟的、实用的在线测束技术,它能给出束流的大小和位置。在１０ＭｅＶ,ＬＩＡ的应用中,该技术只能作为一种定性的诊断手段。在此基础上设计了一套可以精确定位装置,并对电阻环进行精心的设计,实现了电阻环测束的定量比。模拟实验结果表明,其测量束位置精度达３ｍｍ,束流大小严谨优于２％。     

液体金属吸附促进位错发射的分子动力学研究

用第一原理算出Ｒｏｓｅ方程中的参量后,利用陈氏反演原理可以求出Ａｌ－Ｇａ和Ｃｕ－Ｇａ的对势;从而可研究Ａｌ和Ｃｉ裂纹表面吸附液体金属Ｇａ之后对裂尖发射位错的影响。结果表明,Ａｌ吸附Ｇａ后可使发射们错的临界应力强度因子从ＫＩｅ＝０．５ＭＰａｍ＾１／２,降为ＫＩｅ（Ｌ）＝０．４ＭＰａｍ＾１／２;对Ｃｕ则从ＫＩｅ＝０．５５ＭＰａｍ＾１／２降为ＫＩｅ（Ｌ）＝０．４５ＭＰａｍ＾１／２,即Ｇａ吸附后能促进位错     

科学CCD相机同步控制器

介绍了科学ＣＣＤ相机与１０ＭｅＶ ＬＩＡ触发系统的联接情况，分析了可靠触发的条件，提出了的方法不仅满足了１０ＭｅＶ ＬＩＡ触发系统的工作要求，而且使科学ＣＣＤ相机完全能够适应不同的工作速度。     

叶栅可压缩流场的数值分析

将一维ＡＵＳＭ＾＋格式与三阶精度ＭＵＳＣＬ格式融合,给出了其在任意风线坐标下的二维形式,采用有限体积法,将ＡＵＳＭ＾＋格式与Ｒｕｎｇｅ－Ｋｕｔｔａ格式结合,对叶栅可压缩流场进行了数值模拟,典型算例的计算结果与有关献结果相符很好,表明ＲＫ－ＡＵＳＭ＾＋混合格式对叶栅可压缩流场进行数值模拟是可行的。     

等离子体源离子渗氮1Cr18n19Ti奥氏体不锈钢磨损特性的试验研究

用等离子体源离子渗氮，即低能（１－３ｋｅＶ）、超大剂量（１０＾１９－１０＾２０ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２量级）Ｎ＾＋注入－同步扩散改性技术，在２８０℃和３８０℃下处理１ｃＲ９Ｔｉ奥氏全不锈钢，获得了最大深度分别为１．６μｍ和１０．６μｍ，固溶Ｎ的最高原子浓度均约为２５％的Ｎ过饱和面心立方相（γＮ）改性层。销－盘磨损试验表明：在２ｍ／ｓ和较宽负荷范围（等效正应力０．２－２．８ＭＰａ）条件下，高硬主（ＨＫ０．     

强流长距离加速过程中的束包络数值计算

直线感应加速器束包络的计算编码（ABC）能给出束流从注入器经加速器直到最后聚焦的包络图，可以方便地研究各种磁场位形及隙压参数对束流输运的影响。作为算例，本文给出了束流为3kA，在长达40余米直线感应加速器的多种磁场位形下的束包络。束包络的计算对调试加速器磁场位形保证束流的正常输运及抑制束流不稳定性可提供帮助。     

20MeV LIA多功能腔设计

从测束手段的选择、低横向阻抗设计和可维修性设计等三个方面对多功能腔的设计进行了较为详细的阐述,从中可以看出多功能腔集真空通道、束过渡漂移、束参数诊断与机器维修节点于一身,对２０ＭｅＶ ＬＩＡ的调试起到非常重要的作用。     

活塞发射机构的57mm一级气体炮

叙述了调试５７ｍｍ一级气体炮中所遇到的问题和解决方法，调试发射的结果为：发射管长７．９２ｍ，气室容积０．０１８ｍ＾３在９ＭＰａ空气介质时，可使２８０ｇ弹这到４６０ｍ／ｓ出口速度，注入１８ＭＰａ氢气时，可使２８０ｇ弹丸达到９００ｍ／ｓ出口速度。     

加注稀土元素铒改善轴承表面性能的研究

在Ｍｏ＾＋＋Ｎ＾＋注入模式的基础上，应用电子能谱、卢瑟福背散射谱、扫描电子显微镜和ＭＨＫ－５００型摩擦磨损试验机等研究了加注稀土元素铒正离子Ｅｒ＾＋对轴承表面摩擦学性能和耐蚀性能的影响。结果表明，在合理配置Ｍｏ＾＋、Ｎ＾＋、Ｅｒ＾＋之能量和剂量的情况下，加注Ｅｒ＾＋既能更好地改善轴承的表面性能，又能使重离子的强韧化效果提高２－４倍以上，表明ＭＯ＾＋＋Ｎ＾＋＋Ｅｒ＾＋注入模式是一种具有良好应用前景的     

Ce-TZP和Ce-TZP/Al_2O_3层状复合材料受载裂尖的相变特性

用云纹干涉法研究了带直通切口的Ｃｅ ＴＺＰ（Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ ＺｉｒｃｏｎｉａＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）和Ｃｅ ＴＺＰ／Ａｌ２Ｏ３层状复合材料三点弯曲梁的相变过程．实验发现１６００°Ｃ／３ｈ烧结１２％ｍｏｌＣｅＯ２稳定的Ｃｅ ＴＺＰ在室温下就具有强烈的自催化效应，直通切口前缘的相变区呈树枝状，Ｃｅ ＴＺＰ／Ａｌ２Ｏ３层状复合材料的自催化相变被Ａｌ２Ｏ３层抑制，切口前缘的相变区变短，且相变区的覆盖面积减小．文中最后对Ａｌ２Ｏ３层改变Ｃｅ ＴＺＰ相变区及力学性能的原因进行了讨论．     

一种不锈轴承钢离子束增强沉积表面的微观分析和摩擦学性能研究

利用离子束增强沉积技术，在将Ｔｉ用Ａｒ＾＋束溅沉积到淬火态９Ｃｒ１８Ｍｏ不锈轴承钢表面的同时，分别用Ａｒ＾＋，Ｎ＾＋和Ｃ＾＋轰击试样表面，制取了增强沉积的表面改性层     

改进的 Morse 势和冲击压缩

用分子动力学方法模拟凝聚介质中一维分子链上的激波传播，以得到与冲击压缩实验相一致的结果。通过比较分子链上的孤立波解与激波的实验结果，提出对分子间Ｍｏｒｓｅ作用势进行与考虑量子效应相一致的修正，从而使分子动力学模拟得到的激波Ｕｓ－Ｕｐ关系与实验结果在波后粒子速度达到声速的范围内一致。     

Al2O3SiO2/ZL109 金属基复合材料的强度性能研究

介绍了硅酸铝短纤维增强ＺＬ１０９铸铝合金（Ａｌ２Ｏ３ＳｉＯ２／ＺＬ１０９ＭＭＣ）的静态实验和冲击实验结果。给出了这种复合材料的静态强度、动态屈服强度和层裂强度并对实验结果进行了分析讨论。     

LY12复合型断裂的实验研究

应用有限元方法和断裂实验对铝合金ＬＹ１２在Ｉ＋Ⅱ型复合载荷作用下的弹塑性断裂行为进行了研究，给出了复合型弹塑性断裂的Ｊ积分准则，结果表明：（１）不同复合型下启裂Ｊ积分值满足ＪＩｉ／ＪＩｃ＋ＪⅡｉ／ＪⅡｃ＝１，ＪＭＣ＝ＪＩｉ＋ＪⅡｉ的关系，随Ⅱ型分量增加，启裂的Ｊ积分值ＪＭＣ增加ＪＩＣ为ＪＩＣ的两部；（２）ＪＭＣ值与复合比满足ＪＭＣ＝Ｋ＾２Ｉ．ＪＩＣ／（Ｋ＾２１＋αＫ＾２ＩＩ）＋αＫ＾２Ｉ．ＪＩＣ／     

稀土铈对镍－铜－磷／二硫化钼电刷镀层摩擦学特性的影响

ＭｏＳ２是性能优良的常用固体润滑剂，但其在大气特别是在潮湿大气中容易受到氧化而使性能变差．通过对添加和未添加稀土元素Ｃｅ的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２电刷镀层的对比试验研究，就这种元素改善镀层的摩擦学性能及其提高ＭｏＳ２抗潮湿大气腐蚀的作用进行了考察，并且用扫描电子显微镜、Ｘ射线光电子能谱仪和俄歇电子能谱仪等，对镀层的显微组织和ＭｏＳ２的元素价态等进行了分析．结果表明，未添加稀土元素Ｃｅ的镀层中的ＭｏＳ２容易氧化，Ｍｏ４＋和Ｓ２－分别被氧化成Ｍｏ６＋和Ｓ６＋，而添加稀土的镀层中的ＭｏＳ２仍以其原有的形式存在，而且镀层的显微组织明显比无稀土镀层的细而致密，同时稀土Ｃｅ４＋在电刷镀过程中通过还原反应产生电沉积，这有助于它在ＭｏＳ２表面优先沉积而起改性作用．因此，含稀土Ｃｅ４＋的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ２镀层的摩擦学性能比无稀土镀层的好，前者的耐磨寿命比后者的约高５倍     

二硫化钼表面氧化行为的研究（Ⅱ）—二硫化钼摩擦表面氧化与电子转…

利用电子自旋共振谱和Ｘ射线光电子能谱研究了二硫化钼ＭｏＳ２摩擦表面的氧化和电子转，发现ＭｏＳ２在摩擦过程中是以Ｍｏ＾４＋经由Ｍｏ＾５＋过渡态继而与氧作用生成稳定的Ｍｏ＾６＋，并且是以ＭｏＯ３的形式存在，证明ＭｏＳ２的摩擦表面除有一般认为的Ｍｏ＾４＋和Ｍｏ＾６＋这两种化学状态以外，还有Ｍｏ＾５＋自由基离子这种从未发现的中间态。Ｍｏ＾５＋是４ｄ＾１电子构型，其在室温下于空气或氧气中是稳定的，然而在摩擦