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采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
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利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延(PE-MBE)生长的GaN,Aln和InN薄膜的微结构特性。闪匀矿和纤锌矿多晶相分别在(001)GaAs和0001)6H-SiC衬底上优先成核。沿(111)平面的层微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷,而在纤锌矿结构薄膜中,以沿(0002)平面的层错和始于衬底表达的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高. 相似文献
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用透射电镜(XTEM)和二次离子质谱(SIMS)分析了由超高真空化学气相淀积法(UHVCVD)生长的n-Si/i-p+-iSiGe/n-Si结构,发现在硅上外延生长i-p+-iSiGe时,在靠近Si的i/p+SiGe界面处存在一个很薄的层,但在i-p+-iSiGe上外延生长Si时,无此现象产生.此薄层是由在硅上外延生长i-p+-iSiGe时硼原子聚集在靠近Si的i/p+SiGe界面处形成的高掺杂薄层.高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管(HBT)的BC结的正向导通电压. 相似文献
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采用横断面的透射电子显微术,扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法,研究了GeSi沟道p-MOSFET的微结构。观察表明,器件是由Si基片/SiO2非晶层/SOISi层/GeSi沟道层/超薄SiO2非晶层/Si细晶层/SiO2非晶层/Al电极层等组成的;SOISi层工作区单晶性良好,很难找到缺陷,缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区;在SOSSi层和GeSi沟道层之间存在着一些瓣状衬底,它可能是在 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1996,16(2):114-120
根据电子能带的畸变势常数计算了生长在GexSi-x(001)衬底上的量子阱Si/GexSi1-x的电子势垒高度随合金组分x的变化情况,并用包络函数方法计算了不用合金组分x时的量子阱的子能带结构,计算结果表明(001)及(001)导带底电子量阱处在S层,而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在GexSi1-x合金层,两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分x的增加而增加。 相似文献
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对用原子层外延方法,在[001]晶向GaAs衬底上生长的[(Cdse)m(Znse)n]p-ZnSe应变量子阱结构,在10~300K温度范围内测量了喇曼散射光谱,观察到两种类ZnSeLO声子限制模.利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射,观察到高达7阶的类ZnSeLO声子模.并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别. 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
根据电子能带的畸变势常数计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的量子阱Si/GexSi1-x的电子势垒高度,讨论了电子势垒高度随合金组分x的变化情况。并用包络函数方法计算了不同合金组分x时的量子阱的子能带结构。计算结果表明[001]及[001]导带底电子量子阱处在Si层,而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在GexSi1-x合金层。两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分x的增加而增加。 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):222-227
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率,讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分X的变化关系,计算结果表明,对所有X值,fhc=0,fHC,fLC及fSC随X的变小而变小,fLc及fSc随X的变小而变大。对n型GaAs/GexSi1-x(001),应变使Xxxxx变小,对p型GaAs/GexSi1-x(001)应 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,(3)
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率,讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分x的变化关系。计算结果表明:对所有x值,及随x的变小而变小;及随x的变小而变大。对n型GaAs/GexSi1-x(001),应变使和变小;对p型GaAs/GexSi1-x(001),应变使变大,但使变小。 相似文献
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应变Si—xGex/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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给出了通过测量3条X射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法,并对(CdSe/ZnSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究.结果表明:ZnSe缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零,而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格,表明多量子阱结构有较好的结构完整性.缓冲层与衬底之间有晶向偏角,而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角.在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰.多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小20%~30%,说明生长过程中存在表面原子的逃逸,致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了X射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别. 相似文献
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采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术(HREM)观察了P+-Si0.65Ge0.35/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区是由3层P+-Si0.65Ge0.35和2层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge原子不均匀扩散造成的过渡带.这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变.在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶.层错在(1 11)面上,而微孪晶的厚度约为2~4晶面间距,其孪晶 相似文献
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采用基于LMTO-ASA的平均结合能计算方法,研究了在ZnSxSe1-x衬底上沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe的价带带阶值。研究表明,应变的结果使价带带阶随衬底组分(x)的变化呈非线性且单调的关系;与其他理论计算和实验结果比较,本文的计算结果比较理想。 相似文献