普瑞光电与东芝公司在8英寸硅基氮化镓LED芯片方面实现突破,获世界级性能

2012年5月10日,普瑞光电公司与东芝公司宣布,在年初两家公司达成合作协议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级的8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1mm,在电压低于3.1V、电流为350mA时发射功率达614mW。面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求,普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。     

美国普瑞光电欲进军中国LED照明市场

近日,美国普瑞光电股份有限公司宣称,将会把中国市场作为日后企业发展的重点。普瑞光电的高层表示非常看好中国的LED市场。据普瑞光电业务拓展部副总裁Yan Chai博士介绍,普瑞光电所生产的LED芯片具有高功率、低能耗、低成本等特性,用在照明技术上,更是具有传统照明所不具备的优势,如:更高的能效、更好的产品稳定性和光质,以及在系统性能及光源设计方面的新功能。     

普瑞光电硅上氮化镓基LED技术实现135 lm/W效能

美国LED照明技术研发暨生产商普瑞光电(Bridgelux)取得重大技术突破,其硅上氮化镓基LED技术已达到135lm/W的效能。普瑞表示,这是行业首个达到商用级性能的硅基LED。当大批量生产时,LED外延片大多采用蓝宝石或碳化硅衬底作为基板材料,但大尺寸的蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,加工困难,且不易获得。     

普瑞光电创新将MICROSM4LED光源产品引入市场

普瑞光电（Bridgelux）宣布推出新的MicroSM4表面贴装LED组件,该组件能够降低商业建筑的照明成本,改善照明效果。普瑞光电MicroSM4是一种多芯片贴片封装,它能够显著减少漫射灯和定向灯的组件数量、成本、复杂性和尺寸,漫射灯和定向灯是现代写字楼和零售机构很常见的天花灯。这款新产品充分利用了普瑞光电先进的设计与制造技术,扩大了公司的固态照明解决方案组合。     

BRIDGELUX发表三款新LED数组系列产品

普瑞光电（Bridgelux,Inc）发表三款新LED数组系列产品,针对蓬勃发展的固态照明市场提供高质量、节能省电、成本优化的光源方案。     

BRIDGELUX第三代LED阵列展现卓越节能效率与成本优势

普瑞光电（Bridgelux）公司,推出第三代先进LED阵列,包括LS、ES、以及RS系列产品。新世代产品在氮化镓组件磊晶层的生成科技、以及LED芯片设计与封装技术等方面,达成许多最新的技术进展。     

雪佛龙能源解决方案（ChevronEnergySolutions）与普瑞光电（Bridgelux）携手加州城市推出创新的街灯升级举措这项合作将安装创新的高效照明设施，实现为纳税人省钱和提高安全性的目的

美国加利福尼亚州利弗莫尔,2012年3月1日——雪佛龙能源解决方案公司和普瑞光电公司结成独特的联盟推广LED照明技术领域的创新成果,帮助城市大幅减少电费和维护成本。     

普瑞光电宣布推出新一代LED阵列

2011年12月6日,普瑞光电公司宣布推出新一代业界领先的LS、ES和屡获殊荣的RS产品系列,相比前几代产品,其每流明能效最高可提升30％,成本最高可减少30％。普瑞光电拥有照明行业最广的LED阵列产品组合,其产品的照明应用范围广泛,从相当于20W装饰灯的光输出到相当于300W高强度放电（HID）城市路灯的光输出。     

普瑞光电拓展业界覆盖面最广的固态光源产品组合推出针对普通照明市场的新产品——以高效节能、成本优化的产品进一步推动LED照明的普及

2010年2月3日,集成式固态照明解决方案的领先开发及制造厂商普瑞光电宣布推出三个新的LED阵列产品系列,为新兴的同态照明市场提供成本优化的高效节能优质光源。这些新产品旨在取代白炽、卤素、高强度放电（HID）和紧凑型荧光照明。普瑞光电的LED阵列光源功耗低、寿命长、质量优．是室内和室外照明的理想选择,适用于从灯泡改造到街道和大面积照明等一系列应用。     

雪佛龙能源解决方案(Chevron Energy Solutions)与普瑞光电(Bridgelux)携手加州城市推出创新的街灯升级举措

这项合作将安装创新的高效照明设施,实现为纳税人省钱和提高安全性的目的美国加利福尼亚州利弗莫尔,2012年3月1日——雪佛龙能源解决方案公司和普瑞光电公司结成独特的联盟推广LED照明技术领域的创新成果,帮助城市大幅减少电费和维护成本。     

亚威朗光电杭州湾LED芯片项目正式投产

位于浙江杭州湾LED产业园的亚威朗光电（中国）有限公司LED外延片生产一期项目的4条LED芯片生产线正式投入生产,预计投产后外延片日产量将达400片,芯片将达500万支。亚威朗光电（中国）有限公司前身为美国AXT公司,杭州湾LED外延片项目投资约8,784万美元,于2009年6月正式开工建设。     

欧司朗成功在硅衬底上制程GaN LED芯片

正欧司朗光电半导体公司的研究人员经过研究,现已成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED芯片,取代了目前普遍使用的较为昂贵的蓝宝石衬底。这种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。硅是一种标准半导体材料,作为LED衬底具有尺寸大、成本低、易加工、导电好等优异性能。但技术难点在于硅与氮化镓的热膨胀系数不同,在制造过程     

达进精电与东方光电筹组生产及推广LED路灯

国内及香港十大印刷电路板(PCB)生产商之一达进精电控股有限公司(达进精电)日前宣布与LED照明技术专利生产商和营运商深圳市东方光电股份有限公司(东方光电)合作。通过合同能源管理经营LED路灯等节能项目,同时设计及生产LED照明及封装产品。     

基于.NET平台的LED光电参数测量系统设计与实现

提高LED的光学和电学参数的测量精度与效率对于确保LED的产品质量、满足市场需求具有重要的意义.根据企业中LED的实际生产情况,给出了一种基于.NET平台的LED/板上芯片(COB)光电参数快速测量系统的软硬件设计方案.该系统通过可替换结构实现LED/COB多规格测量;通过与上层生产过程执行系统(MES)系统或企业资源规划(ERP)系统数据交互实现在线测量;通过设备各个独立运动部件的协同配合实现快速测量;通过光谱仪中线性电荷耦合元件(CCD)各个像素与LED波长的对应关系,实现了全光谱同时测量;通过对测量数据的处理,实现了基于LED光电和色度参数的自动分选.实验验证结果表明,系统能够有效提高LED光电参数测量的精度与效率.     

具有反射电极的高亮度LED芯片设计

根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。     

欧司朗在亚洲的第一间LED芯片厂开幕

瞄准平板电视及LED照明市场可观的商机，华上光电近期在中国大陆积极展开LED布局，华上表示，近期加紧进行与山西长治市合资案，由“长治高科产业投资公司”投资6成、华上公司投资4成，资本额为3亿元人民币共同筹设全新LED？外延及芯片厂，第一期规划以1年供应10亿支超高亮度LED芯片为产能目标。     

功率型LED芯片的热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上.结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术.     

蓝光GaN基Micro-LED芯片制备及激光剥离工艺研究

基于半导体制造工艺,制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基MicroLED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右;测试了10颗LED芯片在1mA注入电流下的电压值,得到的最大值和最小值分别为3.24和3.12V,波动幅度在4%以内。在1mA的测试电流下,测试芯片的EL光谱峰值波长和半高宽分别为453和14.4nm,芯片的外量子效率可达12.38%,芯片发光均匀且亮度很大。测试结果表明,所制备的Micro-LED芯片具有优异的光电性能。此外,通过激光剥离技术,实现了Micro-LED芯片的转移。研究了激光剥离工艺对MicroLED芯片光电性能的影响,发现在优化的工艺条件下,激光剥离对芯片的光电性能几乎无影响。这些结果有助于小间距微尺寸LED芯片阵列及显示技术的研究。     

IC封装

晶能光电硅衬底LED技术实现产业化位于南昌高新开发区的晶能光电(江西)有限公司(Lattice Power),在GaN基半导体发光材料     

快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响.结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33 Ω/口和93.1％,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3％;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70 Ω/口和95.9％,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8％;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58 Ω/口和95.4％,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9％.