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Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAs HBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。 相似文献
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利用脉冲激光沉积方法在Al/Si衬底上生长出了高质量的n型ZnO单晶薄膜。研究并总结了以金属Al材料制备ZnO薄膜器件欧姆电极的方法。选择功函数合适的金属作为电极材料,比如In、Ti和Al等,可以在n型ZnO薄膜上制作良好的欧姆电极。研究发现,在金属Al和n型ZnO膜之间生长一层高掺杂的AZO层,可得到比Al与n型ZnO直接接触更优良的欧姆性能。并且,通过高温退火可以有效提高金属Al电极的结晶质量和电导率,降低电极与n型ZnO界面处的接触势垒,从而实现优良的欧姆接触性能。 相似文献
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光电子集成是当前光电技术和信息工程领域的新趋势和研究热点,其中光源集成化和工艺相容性已成为制约其进一步发展和应用的关键问题。报道了一种设计简单的、可直接集成在硅衬底上面的激子型激光二极管器件和工艺。基于岛状多晶氧化锌薄膜构建了一个金属/绝缘体/半导体(Au/MgO/ZnO MIS)异质结器件。利用Si衬底与ZnO外延层之间天然的大晶格失配,诱导ZnO薄膜表面形成了高度无序的多晶岛状纳米结构,从而在异质结激活层(ZnO/MgO界面区域)形成了高度无序的折射率随空间变化的散射介质。这极大增强了光学散射,有利于获得低阈值的随机激射。文中这种简单的光源器件结构设计和制备工艺提供了一种自下而上的实现氧化锌基集成光电子器件的新思路。 相似文献
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作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展. 相似文献
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本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。 相似文献
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讨论了两类C60薄膜作为畔导体材料制备的光电器件:C60电致发光二级管和半导体聚合物/C60导质结二极管、分析了器件的工作原理、指出了C60作为半导体光电材料潜在的应用领域。 相似文献
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平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题.光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.自70年代中期,人们就开始研制平面图III-V族化合物半导体材料的光弹效应波导器件.然而由于不易控制引入半导体内的应力场分布,尤其是引入应力场分布的热稳定性差,因而这种平面型波导器件的制作技术没有得到广泛地使用.最近发现利用金属与半导体间的界面反应,或者样品在直流负偏压作用下射频溅射倔强系数大的金属薄膜于III-V族化合物半导体表面,使金属薄膜下的半导体内形成稳定的应力… 相似文献
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金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
薛舫时 《固体电子学研究与进展》2004,24(2):147-158
金属 /氮化物肖特基势垒和欧姆接触是蓝紫光光学器件及高温大功率电子器件中的关键工艺。氮化物半导体是一种极性材料 ,表面态密度较低 ,费米能级钉扎效应较弱 ,表面处理能显著影响接触特性。样品表面的沾污和氧化层也会使接触特性显著退化。宽禁带材料的杂质离化能高 ,重掺杂比较困难。深能级陷阱对载流子的俘获效应很强。这些因素都增加了接触的制作难度 ,促使人们寻求新的方案来改进接触特性。文中从金属 /半导体接触的物理模型出发来综述肖特基势垒和欧姆接触的研究进展 ,希望能给器件研究者提供新的思路。 相似文献
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表面氢化对SiC/金属接触的作用机理 总被引:3,自引:0,他引:3
提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0~ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5~ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5~ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。 相似文献
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用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能 总被引:3,自引:0,他引:3
在平面型器件和备种新型微电子器件中,金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能.本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能.由电势叠加原理导出了理论公式.此法样品制备简单,无需台面绝缘,由于接触结构的特点,自然免除了侧向电流聚集效应,从而提高了精度.若将接触结构稍加发展,则更为简捷实用.实验结大果与文献报道的其它方法符合得很好. 相似文献
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SiC器件工艺的发展状况 总被引:2,自引:0,他引:2
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可工作在从直流到微波频率范围。文章阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。 相似文献
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引言在集成电路发展的整个历程中,金属与半导体的接触(简称金/半接触)技术自始至终就是集成电路生产中一道十分关键的工序。金/半接触的成败,直接关系到集成电路的成品率和可靠性。在集成电路发展的初期,器件的纵向尺寸(如结深)和横向尺寸(如接触窗口)都比较大,因此一般采用金属铝就能十分满意地达到要求。然而,随着集成电路的飞速发展,尤其是近几年来引入了按比例缩小规则的大规模、超大规模集成电路的出现,使得对金/半接触技术的要求愈来愈高。这些要求主要表现在两方面:第一,在器件的横向尺寸方面,按比例缩小规则要求器件的接触孔愈来愈小,这势必使金/半接触电阻愈来愈大,而接触电阻的变大则直接影响到电路的速度和功耗。因此,必须研究新的具有更低接触电阻的金/半接触系统。第二,在器件的纵向尺寸方面,按比例缩小规则要求器件的结深变浅(比如说0.1~0.3μ)这就要求金属/半导体接触的界面十分平整。否则,将使结的电性能很 相似文献
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报道了采用CuTCNQ有机分子薄膜制作器件的尝试。在厚度为100nm的铜膜上,利用液相自蚀生长法制备得到CuTCNQ有机薄膜。不同生长温度及时间下,生长薄膜的形态结构不同,这表明时间和温度是影响CuTCNQ生长的重要因素。采用半导体器件平面制作工艺,制备出了金属—CuTCNQ—金属结构的二端器件,并进行了器件电学特性的测量,发现这种结构的CuTCNQ器件存在明显的整流特性。 相似文献