我国研制成功304.8mm锗单晶

近日,我国第一根直径304.8 mm红外光学锗单晶于北京国晶辉红外光学科技有限公司研制成功,这是自1979年研制成功254 mm锗单晶20多年以来我国锗单晶生产技术的新突破。它标志着我国锗单晶的研制水平又迈上了一个新台阶。我国研制成功304.8mm锗单晶     

锗窗口密封工艺研究

锗窗口密封是红外探测器应用研究中重要的工艺课题之一，一般所采用的粘接和单纯铟焊的方法，其密封结果不能令人十分满意。研究发现，在锗窗口外侧涂敷一层金膜，可以极大地改善红外探测器锗窗口的铟焊封接效果。文中着重介绍解决锗、金在常温下浸润能力差，以及铟焊中“铟吃金”、“起球”等问题的工艺方建。采用这种方法，可相应减小锗片面积，有利于实现窗口的小型化。     

红外材料Ge的刻蚀研究

采用反应离子刻蚀技术，制作二元光学元件锗透镜阵列，对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析．并给出了研究结果。     

掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。     

Si1—xGex薄膜Ge表面偏聚的Monto Carlo模型

目前已经有许多学者研究了用UHV／CVD方法生长Si-1xGex薄膜时Ge在表面，次表面的偏聚，一种对这种实验结果的解释是由于化学原因（例如氧化）造成铸原子的化势差，这种化学势差成为锗原子迁称匀生锗偏聚的动力，本文通过应用一个简单的统计热力学模型，对在这种机芈 产生的锗偏聚进行了研究，这种用Motnte Carlo方法建立了模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。     

锗纳米线的性能与应用

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。     

掺入杂质级等价元素锗的CZSi晶体性能研究

直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况。研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。     

锗纳米线的性能与应用

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。     

掺猪直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究

运用高温－低温－高温三步退火的本征吸除工艺研究了锗的存在对硅片清洁区形成的影响。发现直拉硅中杂质锗的存在可促进氧的外扩散，抑制氧沉淀的发生并可形成较宽的清洁区。     

辐射探测器用高纯锗单晶技术研究

高纯锗单晶可以用作制备X射线辐射探测器。介绍了锗辐射探测器的研究现状与结构,论述了辐射探测器对高纯锗单晶的净杂质浓度、位错方面的要求。介绍了目前高纯锗生长主要的提纯方法和单晶生长方法,论述了以上这两种方法的主要技术特点。     

杰尔系统以硅锗技术推出首个前置放大器IC

杰尔系统宣布利用0.25微米硅锗(SiGe)技术，推出行业首个前置放大器集成电路 ?电脑硬盘驱动器(HDD)存储部份的核心组件。杰尔系统的硅锗半导体物料设计能处理高带_、低电耗前置放大器，其电阻能够以市面上现有的前置放大器的四倍速度运行。结合硅锗前置放大器IC及业界信噪比表现最佳的读通道产品，杰尔能够为HDD生产商提供业界可靠的数据路径，继续开发高性能表现、高容量的磁盘驱动器。硅锗方案提供三大好处：首先，通过硅锗处理能将功耗降低一半，这对移用应用和消费产品非常重要。其次，硅锗前置放大器以超过2.5 Gbits/s操作，明显…     

清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响

锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。     

硅－锗集成电路研究新动向

硅－锗集成电路研究新动向加拿大多伦多大学、贝尔北方研究公司和美国ＩＢＭ公司联合研制了一组硅一锗集成电路，以证明硅一锗技术用于射频电路的实用性和用于高速ＥＣＬ数字电路的可行性。这一组电路包括：１）工作在２·９～５·９ＧＨＺ时钟频率的四输出分频器，２）２...     

多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究

在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。     

超精密车削单晶锗表面性能分析

单晶锗是典型的红外光学晶体材料,其加工表面的评价方法大都局限于面形精度,而加工过程所产生的位错及晶面间距变化也会影响单晶锗的使用性能。为了全面地评价单晶锗加工后的表面性能,通过表面粗糙度轮廓仪、X射线衍射仪等设备,对超精密车削的单晶锗平面及曲面进行了表面粗糙度和X射线检测,获得了针对单晶锗平面的表面粗糙度与位错密度相结合的性能评价方法,及针对单晶锗曲面的表面粗糙度与晶面间距变化程度相结合的性能评价方法。相关研究对单晶锗在红外光学及其它领域的加工应用有重要意义。     

半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究

半导体芯光纤因其特殊的光电特性而受到广泛关注。由于纤芯和包层材料之间的性质差异,制备高质量的半导体芯光纤比传统掺杂石英玻璃光纤更为困难。以锗芯光纤为研究对象,通过有限元法,模拟仿真了激光拉制锗芯光纤的动态过程,研究了拉制过程中芯层锗和包层石英玻璃材料的流速差异,以及不同拉丝速度对其流速差异的影响。仿真结果表明:在预制棒颈缩区,芯层锗和包层石英玻璃材料的流速差异最大,且不同拉丝速度对预制棒芯层锗和包层石英玻璃材料的流速影响不同。     

离子束溅射技术制备Ge—SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的微结构和光学性质研究

采用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｇｅ－ＳｉＯ２纳米颗粒镶嵌薄膜样品的形和结构进行了观察研究。测量了不同直径纳米锗颗粒镶嵌薄吸收光谱，并砂同激光光能量下对样品进行了室温荧光光谱研究，发现在中心波长为４２０ｎｍ处有一个较强的光致荧光峰。研究结果表明纳米锗粒子的相结构和电子能级结构同常规的大块锗晶体相比均发生显著的改变。     

半导体锗纳米团簇和纳米层的生成与结构研究

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDoM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构，我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好。     

Si_(1-x)Ge_x薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型

目前已经有许多学者研究了用 UHV/CVD方法生长 Si1-x Gex 薄膜时 Ge在表面、次表面的偏聚。一种对这种实验结果的解释是由于化学原因 (例如氧化 )造成锗原子的化学势差 ,这种化学势差成为锗原子迁移产生锗偏聚的动力。本文通过应用一个简单的统计热力学模型 ,对在这种机理下产生的锗偏聚进行了研究。这种用 Monte Carlo方法建立的模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。     

空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术

由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3].在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理.通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求.