担载Na,W,Mn的（001）SiO2单晶模型催化剂的SEM研究

用浸渍法制备了担载多组分Ｎａ、Ｗ、Ｍｎ的（００１）ＳｉＯ２单晶模型催化剂,并进行了ＸＰＳ和ＳＥＭ表征。研究结果表明,Ｎａ、Ｗ、Ｍｎ的多元组合使ＳｉＯ２转变为ｓｉＯ３＾２－能力的大小顺序依次为Ｗ－Ｍｎ〉Ｎａ－Ｗ－Ｍｎ〉Ｎａ－Ｍｎ〉Ｎａ－Ｗ,它们在ＳｉＯ２表面的形态各不相同,并且在ＳｉＯ２基体中的扩散程度比单组分强,表明它们之间可能在存着某种相互促进向ＳｉＯ基体中扩散的协同效应。     

单晶SiO2(001)担载Na,W,Mn模型催化剂的SEM研究--单组分Na,W,Mn的形貌及其向SiO2基体中的扩散行为

甲烷是最稳定的低碳烷烃,其催化活化和高选择性催化转化具有重要的理论和实践意义,现已成为国内外催化界竞相研究的热点.在这方面,李树本领导的研究小组[1]近年来研制出的、被认为是甲烷氧化偶联制乙烯性能最好的催化剂之一[2]的Na2WO4/SiO2催化剂体系,可以说向前迈进了一大步.     

SiO(b~3П)与Na近共振传能实验研究

SiO(b3П)与Na的近共振传能过程是钠原子化学激光的关键步骤.为了对这一过程进行初步的实验研究,建立了一个包括SiO(b3П)合成系统和Na蒸气生成供给系统在内的近共振传能实验装置.通过SiH4热解产物与N2O反应合成了一定浓度的亚稳态储能粒子——SiO(b3П);在此基础上进行了SiO(b3П)与Na混合传能的实验研究.测到了SiO(b3П)和Na(4d2D)的自发辐射光谱,并且验证了SiO(b3П)与Na近共振传能及Na(4d2D)粒子的存在.进一步研究发现,在SiH4流量为0.09 mmol/s,SiH4载气流量为14.88 mmol/s,N2O流量为0.744 mmol/s,SiH4热解炉温度为1350 K实验条件下,当Na蒸气载气流量(7.44 mmol/s)保持不变时,Na(4d2D)粒子数密度与Na池温度成递增关系;而当Na池温度(分别在673 K和723 K)固定时,Na(4d2D)粒子数密度与Na蒸气载气流量基本成线性递增关系.     

SiO(b3Π)与Na近共振传能实验研究

SiO(b3Π)与Na的近共振传能过程是钠原子化学激光的关键步骤.为了对这一过程进行初步的实验研究,建立了一个包括SiO(b3Π)合成系统和Na蒸气生成供给系统在内的近共振传能实验装置.通过SiH4热解产物与N2O反应合成了一定浓度的亚稳态储能粒子--SiO(b3Π);在此基础上进行了SiO(b3Π)与Na混合传能的实验研究.测到了SiO(b3Π)和Na(4d2D)的自发辐射光谱,并且验证了SiO(b3Π)与Na近共振传能及Na(4d2D)粒子的存在.进一步研究发现,在SiH4流量为0.09 mmol/s,SiH4载气流量为14.88 mmol/s,N2O流量为0.744 mmol/s,SiH4热解炉温度为1350 K实验条件下,当Na蒸气载气流量(7.44 mmol/s)保持不变时,Na(4d2D)粒子数密度与Na池温度成递增关系;而当Na池温度(分别在673 K和723 K)固定时,Na(4d2D)粒子数密度与Na蒸气载气流量基本成线性递增关系.     

磁控共溅射GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5～3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.     

磁控共溅射GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5～3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.     

1.06μm连续激光辐照TiO2/SiO2薄膜元件的损伤效应研究

用1.06μm连续激光辐照TiO2/SiO2薄膜元件,在不同强度下测量了激光辐照TiO2/SiO2薄膜元件引起反射信号幅度随时间的变化,并观察到薄膜从基体材料表面起泡、膜层脱落的现象.研究结果表明,TiO2/SiO2薄膜的反射光信号变化是连续激光辐照薄膜元件产生的热效应引起的;在激光辐照过程中,薄膜元件基体材料产生的热变形差别是基体起泡、脱落的主要原因.     

链式氧化制备SiO2膜的研究

研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法(QSSPC)在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明:在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为600、800、800、800、800、800、850和900℃时,链式氧化后硅片少子寿命达到42.5μs,SiO2膜的厚度适合,结构致密;在不影响减反效果的情况下,获得了良好的钝化效果。     

ULSI/GLSI低Na CMP浆料的纯化效率

采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+.介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状.实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除.在交换动态平衡时,动态交换1h较静态交换24 h生产效率提...     

Sr2SiO4:Eu2 荧光粉的发光性质及在白光二极管中的应用

用高温固相反应法制成了Sr2SiO4:xEu2 荧光粉.随着Eu2 掺杂浓度的增加,Sr2SiO4晶体结构从β相转换为α'相.Eu2 掺杂浓度小于等于0.5 mol%时,Sr2SiO4:Eu2 为β相,大于等于2 mol%时是α'相.β-Sr2SiO4:Eu2 的发光颜色为黄绿色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于470 nm,535 nm处.α'-Sr2SiO4:Eu2 发光颜色为黄色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于490 nm,570 nm处.这两个谱带具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上Eu2 的发射.用近紫外芯片和这两种荧光粉制成了白光二极管.正向驱动电流为20mA时,用β-Sr2SiO4:0.0035 E2 抖制成的白光LED色温为5562 K;色坐标为x=0.32,y=0.40;显色指数为61;流明效率为15.7 lm/W.用α'-Sr2SiO4:0.02 Eu2 制成的白光LED色温为4 707 K;色坐标为x=0.36,y=0.37;最色指数为73;流明效率为6.7 lm/W.     

Electrical switching effects in Na2O/SiO2glasses

A range of specimens in the form of thin blown films is shown to exhibit memory switching at an applied voltage of 8-10 V.     

基于Zn2SiO4：Mn的紫外探测薄膜的研制

由于紫外光对硅层的透射深度小于2nm,所以传统的光电探测器件并不响应紫外光。为了增强传统的光电探测器件在紫外波段的探测能力,实用的方法是在传感器光敏面镀上“紫外一可见”变频薄膜,将紫外光转化为可见光。实验用“旋涂法”在石英基底上生成ZnzSiO4：Mn紫外探测薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行测量分析。实验测得薄膜在300nm以下透过率极低,在300nhm以上透过率很高且平稳;对300nm以下的光具有很强的吸收,对300nm以上的光吸收很弱且很平稳;激发峰在265nm,发射峰在525nm,即能将紫外光转化为可见光。实验结果表明薄膜不仅能将紫外光转化为可见光,实现传统光电探测器件的紫外探测。而且在增强紫外响应的同时不削减其他波段的响应,是一种适用于增强光电图像传感器紫外响应的紫外增强薄膜。     

Study of the Photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS Structure at Cryogenic Temperatures

Semiconductors - Lateral photovoltaic effect in metal/insulator/semiconductor hybrid structures is a significant phenomenon for spintronics, as it establishes the interplay between the optical...     

Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜的室温光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心.建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级.     

Colossal negative magnetoresistance in spin glass Na(Zn,Mn)Sb

We report the study of magnetic and transport properties of polycrystalline and single crystal Na(Zn,Mn)Sb,a new member of "111" type of diluted magnetic materials.The material crystallizes into Cu₂Sb-type structure which is isostructural to "111" type Fe-based superconductors.With suitable carrier and spin doping,the Na(Zn,Mn)Sb establishes spin-glass ordering with freezing temperature(T_f) below 15 K.Despite lack of long-range ferromagnetic ordering,Na(Zn,Mn)Sb single crys...     

不同退火过程对紫外HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜性能的影响

采用直升式和阶梯式加热法对电子束热蒸发镀制出的HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜进行了400℃的退火处理,发现采用阶梯式加热法退火后多层膜在190～300 nm范围内的峰值反射率均得到提高,说明此种后处理方法可能会改善膜层在紫外波段的光学性能.再对HfO2,Y2O3的单层膜进行相应的退火处理,发现退火后HfO2膜层的物理厚度减小从而发生监移现象;直升式退火使Y2O3膜层的折射率变小引起蓝移.阶梯式退火使得Y2O3膜层的物理厚度减小引起蓝移.对退火前后样品的微结构进行X射线衍射(XRD)法测量发现,退火可以使材料进行品化,并且采用直升式加热法后材料的结晶度更大,从而膜内散射变大,会引起膜层反射率的轻微降低.     

高折射率材料吸收特性对193 nm HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2,Al2O3/SiO2多层膜反射特性的影响

由单层HfO2，SiO2，Y2O3，Al2O3膜求出其折射率和消光系数色散曲线，据此计算出HfO2／SiO2，Y2O3／SiO2，Al2O3／SiO2的193nm多层膜反射膜曲线，并用电子束热蒸发的方法进行镀制。由分光光度计测量样品的透射率和绝对反射率，求出了各种膜层的吸收曲线。结果发现HfO2／SiO2，Al2O3／SiO2反射率实验结果与理论结果吻合得很好，而Y2O3／SiO2的理论曲线偏高。通过模拟Y2O3／SiO2的反射率曲线发现Y2O3的消光系数远大于由单层膜实验得出的结果。这说明Y2O3膜层的吸收特性与薄膜的制备工艺密切相关。     

Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷的合成与性能研究

利用醇盐溶胶-凝胶法合成（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4陶瓷（x=0.1-0.9）。差热分析结合XRD分析表明（1-x）Zn2SiO4-xMg2SiO4的成相温度在800℃附近,1 150℃预烧粉体后,获得粒径为40-50 nm的Zn2SiO4-Mg2SiO4复相陶瓷粉末。复相陶瓷的最佳烧结温度在1 250℃-1 300℃,烧结过程中,部分组分产生了MgSiO3杂相。当x=0.6时,在1 250℃烧结后陶瓷的介电性能最优如下：εr=6.66,Q×f=174 800 GHz,τf=-38.7 ppm/℃,是一种有望应用于毫米波频段的新型介质陶瓷材料。     

硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光

将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的