一种新的晶体定向切割方法

发展了一种新的晶体定向切割方法，此法利用Ｘ光定向仪，在只须知道晶体某一晶面的情况下，借助于该晶体的标准极图，即可定向切割出该晶体的任意所需晶面（或晶向）。理论分析表明，此法对立方晶系、六方（含三方）晶系、四方晶系、正交晶系均正确、可靠，定向切割操作快速、准确、简捷，具有很高的实用性。     

从不同的方向检测NaCl单晶体结构的研究

利用X衍射仪,研究(100),(110),(111)晶面的NaCl单晶,对其特征谱线做了分析,得出各个晶体的晶面间距.发现(100)晶面很好的切割了NaCl离子晶体,并对各个晶面的NaCl单晶特征峰的进行了比较,分析了衍射峰不同的原因.     

XRD单晶定向新装置的应用

介绍了一种对"单晶"类样品进行鉴定评价和定向切割的新方法、新装置。以往解决此类问题需要专用仪器,资源紧缺。现在从衍射基本原理出发提出了一条新的测试路线,通过XRD自转条件下的θ扫描蝴蝶图能对"单晶"类型进行鉴定。它直接测出的就是晶向偏离角,再慢速点动捕捉到它的方位,从而指导定向切割,能三维定向,还能进一步作出XRD摇摆曲线,对单晶品质进行评价。新装置为定向切割和各向异性研究提供了简便手段,任何X衍射仪都可安装。     

定向凝固技术制取高温合金单晶铸件的思考

回顾了单晶高温合金的发展历史，结合晶体学知识系统总结与分析了制取高温合金单晶的两种定向凝固技术的原理与晶体竞争生长机制．对两种方法现有工艺的优缺点进行了深入思考与比较，提出了两种制取任何所希望取向理想单晶的新方法，旨在为完善单晶高温合金的制取工艺提供新思路．     

等规聚苯乙烯单链单晶的结构和耐辐照性能

利用电子衍射（ED）和高分辨电子显微（HREM）技术，研究等规聚苯乙烯（i－PS）单链单晶的结构．纳米级的单链单晶具有很强的耐电子辐照性能．按照i－PS的晶胞能对ED图中的衍射环和HREM像中的晶格条纹进行晶面指标化，但发现低指数衍射缺失．由于单链单晶的尺寸很小，电子辐照所产生的次级电子可以逸出晶体，使辐照损伤大大减小．另外，单链单晶存在着较少的低指数晶面，未能产生足够的衍射强度，使低指数晶面的衍射缺失．单链单晶对电子辐照稳定，在室温下，可得到高分辨晶格条纹象，这为研究高分子晶体的结构开辟了新的实验方法．     

2,4一二硝基苯丙氨酸甲酯及其盐类的单晶生长和倍频效应的探讨

本文提出一种培养具有优良倍频效应的２，４－二硝基苯丙氨酸甲酯（ＭＡＰ）晶体的方法，并研制出综合性能良好的两种２，４－二硝基苯丙氨酸盐类（钠盐和吡啶氢盐）单晶．同时，运用ＥＨＭＯ法计算了ＭＡＰ分子及２，４－二硝基苯丙氨酸根离子（ＩＡＰ）的电荷分布和偶极矩，对这些晶体的倍频效应规律作了初步的探讨。     

关于Carine在晶体学方面的应用

介绍了晶体学软件carine在晶体可视化分析的相关应用,并对传统的单晶电子衍射花样指标化提出了新的方法.实践表明对晶体学软件的有效应用可大大提高晶体分析能力,简化了传统计算步骤.     

三羟甲基氨基甲烷硫酸盐单晶的研究

报道一种三羟甲基氨基甲烷硫酸盐(THAMS)有机单晶。该晶体比较容易从水溶液中用降温法获得。用四圆衍射仪测定了晶体结构。发现在室温下该晶体属于三方晶系,空间群为 P3,其晶胞参数为α=7.5713,c=0.76099nm(7.6099),γ=120°。还给出了该晶体在可见光范围内的折射率。     

铜单晶铸过程中固液界面位置和形状的数值分析

为了准确地控制工艺参数,获得表面光洁、高质量的连铸铜单晶,采用数值分析方法研究铜单晶连铸时固液界面的位置和形状.发现铸型温度(TM)、连铸速度(v)、冷却位置(L)和熔体温度(TL)影响固液界面的位置和形状,并且铜单晶连铸时固液界面向熔体呈凸出形状.当固液界面位于铸型内距出口端2～3mm时,可获得表面光洁、晶体取向度小于10°的连铸铜单晶.为了获得高质量的单晶,固-液界面面必须平滑,甚至是平界面.计算结果与实验结果吻合很好,可用数值分析方法确定连铸铜单晶的工艺参数,为铜单晶连铸提供理论依据.     

有机非线性材料DAST单晶微片的生长及研究

研发了一种有机非线性光学晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)单晶微片的生长方法。首先使用表面支持快速蒸发结晶法制备出了DAST微晶,再通过在甲醇的饱和蒸气压下自组装培养生长成DAST单晶微片。此方法获得的DAST单晶微片不仅厚度均一,而且具有极好的晶体表面质量。另外,还对DAST单晶微片的紫外可见吸收和荧光光谱以及二阶非线性进行了分析和研究。     

(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3单晶的生长及光学性能研究

采用顶部风冷籽晶助熔剂法成功生长出了(Na0.5Bi0.5)0.945Ba0.055TiO3(简称NBBT5.5)晶体,晶体尺寸达到了Φ35mm×12mm;研究了粉料的热学性质、晶体的结构、光学性能及压电性能.实验结果表明,晶体具有三方相四方相共存的钙钛矿结构.通过研究粉料的DSC-TG曲线,得到了制备单晶材料的预烧结的温度以及烧结温度,优化了NBBT单晶材料的制备工艺,降低了Bi2O3和Na2O的挥发.晶体具有优良的光学性能,在369nm处晶体处于全吸收,390nm以上晶体是透明的,1 000nm处透过率达到72%.NBBT5.5晶体的压电常数d33为438pC/N,是一种极具应用潜力的无铅压电材料.     

基于晶体取向的镍基单晶叶片可靠性研究

研究了晶体取向的概率描述模型,收集叶片晶体取向随机数据,分析并给出其分布函数。通过晶体塑性理论对冷却叶片进行有限元强度分析,确定危险区域。在确定性蠕变寿命分析计算的基础上,进一步对单晶叶片蠕变寿命进行可靠性研究。利用Monte Carlo法计算冷却叶片蠕变寿命的随机响应,研究了在晶体取向随机因素影响下叶片蠕变寿命的分布。     

大功率暖白光LED用Dy:BGSO单晶的生长及其发光性能

采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy~(3+)和Ge~(4+)的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy~(3+)和Ge~(4+)的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54 cm(1 in),长度达8 cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy~(3+)和Ge~(4+)能够有效改善BSO晶体的偏析现象;双摇摆曲线半峰全宽为24″表明晶体具有较高的结晶质量.Dy:BGSO晶体的荧光光谱包含Bi~(3+)和Dy~(3+)的特征峰,Bi~(3+)吸收的能量能够传递给Dy~(3+).色坐标和色谱计算结果表明,其在多种波长的紫外光激发下均可以发射暖白光.该晶体在365 nm紫外光灯辐照下的实际发光效果说明,其能够高效率、360°全方位立体发射肉眼可见的明亮暖白光.故Dy:BGSO单晶是一种可用于大功率LED器件的候选荧光单晶材料.     

Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体

碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长?25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从?56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达10~8Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1～20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。     

有外来扩散源条件下DD402单晶合金中的γ’相筏形化

研究了热等静压(HIP)连接DD402单晶合金与FGH95粉末合金的扩散偶中,DD402单晶合金的γ’相筏形化过程.提出了一种新的γ’相筏形化的机理,分析了γ’相筏形化的驱动力问题,建立了γ’相筏形化过程的物理模型.讨论了筏形γ’片层厚度与原始γ’相的尺寸、体积分数以及γ’相形成元素的扩散流量之间的关系.结果表明,单晶合金的γ’筏形化是由于其形成元素的扩散使γ’定向长大.筏形化的过程包括两个阶段:一是γ’粒子的定向连接阶段;二是筏形γ’片层的平坦化.筏形化γ’的初始片层厚度及筏形化方向主要由γ’原始尺寸及晶体取向决定.     

芦笋原液中苹果酸单晶的提取与表征

以脱蛋白质后的芦笋浓缩液为原料,采用单晶培养的方法,从不同溶剂中获得颗粒均匀,晶习相似的单晶晶体,并利用X-射线粉末衍射(PXRD)、X-射线单晶衍射(SXRD)以及扫描电镜(SEM)等对其进行表征.通过相关计算,可得该单晶为L-苹果酸一水合物,每个晶胞中含有4个分子,属于正交晶系,P212121空间群.利用Mater...     

单晶铜的电学及磨损性能研究

对热型连续定向凝固工艺生产的单晶铜,进行干滑动摩擦磨损实验。分析讨论载荷、滑动速度等因素对该材料磨损率及磨损表面的影响。实验结果表明:滑动距离、滑动速度对金属的磨损有较大的影响,而且单晶铜具有较好的导电性。因此,通过热型连续定向凝固技术生产的单晶铜是一种高导电、耐磨性新材料。     

LiNbO_3单晶蚀象、光象、形态、结构之间的关系

研究了 LiNbO_3单晶的蚀象、光象。观察到与晶体方向有关的蚀象和光象之间有对应关系,且各晶面上蚀象及光象的对称性均与晶体的对称性相一致。认为晶体的微观结构决定了它的表面形态,蚀象是该形态的一种表现形式,而光象则是蚀象的一种光学效应。     

碳化硅单晶微管道缺陷测试研究

本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速准确的测量。     

砷化镓材料技术发展及需求

介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。