微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．     

微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究

利用低温（８Ｋ）远红外吸收技术，研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响，指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力，而微氮硅中的浅热施主和氧－氮复合体直接相关。     

直拉硅单晶中氮关新施主的研究

研究了微氮硅单晶在６００～９００℃温区的新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响．明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主ＮＮＤ，其热处理行为类似于普通新施主，但形成特性受氮杂质的较大影响．对其形成机制也作了初步探讨     

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅,研究表明,含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．     

微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态．     

硅中氮的电学行为的研究

用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．     

霍尔测试估计含氮直拉硅单晶中的氧施主

本文对含氮ＣＺ硅单晶中的氧施主进行了探讨，测试样品是６５０℃下处理的含氮ＣＺ硅单晶在７００℃的温度下继续热处理。通过变温霍尔测试发现，材料中除了热施主外，还存在一种浅施主能级。这种浅施主在６５０℃下不能完全消除，７００℃下继续处理浓度减少而引起电阻率上升。     

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.     

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

研究了p型含氮以及不含氮直拉(CZ)硅中热施主(TD)以及氮氧(N-O)复合体的电学性质.硅片在350～850℃范围进行不同时间的退火后,利用四探针和通过室温傅里叶红外光谱(FTIR)分别测量其载流子浓度和间隙氧浓度的变化.实验结果表明:p型含氮直拉硅(NCZ)中热施主的电学特性基本与n型NCZ硅相同,但N-O复合体的消除温度明显低于n型NCZ硅,这是由于p型NCZ硅中硼促进了N-O复合体的消除.     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2气氛下高温RTP的样品,650℃退火后仍有部分施主存在,经950℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致.     

直拉硅单晶中热施主的快速热退除

本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．     

氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究

利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失     

NTDCZSi中辐照施主的研究

本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的施主平台现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生～20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。     

GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态

本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外（FTIR）磁光电导谱．观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁．采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系，并与实验结果进行了比较．     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散     

双施主对受主补偿的BaTiO3系PTCR材料的影响

采用过剩施主二次掺杂法，研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响，发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进行补偿比一次掺杂效果好，在相同掺杂量的情况下，可获得更大的PTC效应和更低的室温电阻率。采用Sb、Y过剩双施主对受主进行补偿，当双施主相对比例变化时，存在PTCR材料α30℃=0．4℃^-1的极大值。采用过剩双施主对受主进行补偿，可获得升阻比〉7，温度系数α30℃〉0．30℃^-1的PTCR材料，有效地降低原料成本。     

不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能

研究了不同含氮量的类金刚石薄膜（DLC:N）的导电性能，发现随着氮含量的增加，薄膜的电导率增加较缓，当氮含量达到一定值（12.8at%)后，薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在300℃下退火30min，结果表明低参氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高，而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明，当薄膜中的氮含量达到一定值后，在薄膜中会出现非导电（a-CNx）的成分，因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明，充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象，从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。     

含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。     

CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能

本文研究了介电常数失配对ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ应变量子阱中浅施主杂质结合能的影响．在有效质量近似下，利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响，得到了介电失配使结合能减小的结论     

浅施主杂质态在n—Hg1—xCdxTe磁致金属—绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和“Ｈａｌｌｄｉｐ”的起因。