用于测量中微子静止质量的静电减速谱仪的研究

本文提出一种从氘衰变β谱确定电子反中微子静止质量的新型结构β谱仪.球面栅静电减速谱仪具有后聚焦系统.预计电子能量分辨率好于5eV,最大亮度为 0.26cm².     

真空蒸发法制备放射源

在β谱学的研究中,经常需要薄而均匀的放射源。为此目的,我们设计了一套真空蒸发制源装置,并用它制出了In¹¹⁴,Au¹⁹⁸和Sm¹⁵³的放射源。为了说明问题,我们分别用液滴蒸发和真空蒸发法制备了In¹¹⁴的放射源,用双磁镜和双聚焦β谱仪测量了它们的内转换能谱,并对它们的结果进行了比较。可以看到,真空蒸发法制备源的优点是明显的。此外,也给出了双聚焦β谱仪测量的Sm¹⁵³69.67千电子伏γ射线的K,L_Ⅰ,L_Ⅱ和L_Ⅲ转换电子线以及Au¹⁹⁸411.84千电子伏γ射线的K转换电子线。     

Yb169的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅰ)

本工作用有铁双聚焦β谱仪、双磁镜β谱仪和γ闪烁谱仪测量了Yb¹⁶⁹的γ射线的内转换和外转换电子线谱、γ闪烁谱和γ-γ符合能谱。定出了Tm¹⁶⁹的14条γ射线的能量和多极性:8.8,20,21,43,63.7(E1),93.9(M1),111(M1),120(E2),131.8(E2),177.5(M1),198(M1),199(M1),240和308(E2)千电子伏。并用正比计数管测量了能量为8.8千电子伏的低能γ射线。在测量结果的基础上拟出Yb¹⁶⁹的衰变纲图。最后将Tm¹⁶⁹与Tm¹⁶⁷,Tm¹⁷¹激发能级的实验数据综合一起,来看它们之间核结构的相似性,并与综合模型所预言的结果相比较。     

Cs134的衰变

本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs¹³⁴(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16％),410(5％),652(64％)和683(15％)千电子伏;它们的相应的logft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba¹³⁴的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E     

Gd159的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅱ)

本工作使用高透射率带铁中间象式β谱仪和闪烁谱仪,测量了浓缩同位素纯Gd¹⁵⁹(半衰期为18小时)的β连续谱,γ射线谱,γ-γ和β-γ符合谱。用磁谱仪观察到3个β分支的能量和相对强度的百分比为962(60.6％),800(15.1％)和600(24.3％)千电子伏;它们相应的log ft是6.7,6.9和6.4。在β-γ符合能谱测量中,除观察到上述3个β分支外,还定出端点能量为440千电子伏的β分支。此外,还定出Tb¹⁵⁹的10条γ跃迁的能量和部份γ跃迁的多极性:27,56(M1),80(M1+E2),107,136(M1),198,225(E1+M2),362(E1)和468千电子伏。内转换系数的测量肯定了362千电子伏γ射线的幅射多极性为E1型。在测量结果的基础上拟出Gd¹⁵⁹的衰变纲图。最后并将Tb¹⁵⁵,Tb¹⁵⁷, Tb¹⁵⁹和Tb¹⁶¹的能级数据综合在一起,利用综合模型来比较它们之间核结构的相似性。     

τ轻子Michel参数测量中的电子识别方法

北京谱仪(BES)合作组通过τ→eνν衰变的电子能谱测定Michel参数,本文利用BES在质心系能量4,03GeV处获取的e⁺e^－对撞数据,通过BES给出的带电粒子dE/dx、β、E/p测定值及其适当组合,实现了电子的有效识别.     

ψ′衰变中VP和PP模式的事例产生器

在北京谱仪(BES)原有模拟程序框架下,建立了适用于J/ψ,ψ’衰变到VP和PP模式、以及ψ→π⁺π^－ J/ψ而后J/ψ衰变到VP和PP模式的事例产生器,考虑了相应的角分布,为J/ψ,ψ′物理的研究提供了方便,在ψ′→γη,γη′,ωπ⁰,π⁺π^－,K⁺,K^－等分支比的测量中,这一事例产生器可用于选择效率的确定和本底估计.     

中子平面晶体谱仪的分辨宽度

本文分析了中子平面晶体谱仪的分辨宽度,给出它的近似表示式为:△θ=((α₁²α₂²+α₁²β²+α₂²β²)/(α₁²+4β²+α₂²))^1/2;同时对几种常见情况也作了简略的讨论。为了确定计算参量△θ,又给出了晶体摇动曲线半宽度的近似表示式为:△γ=1/2(α₁²+4β²+α₂²)^1/2。以上两式中的α₁,α₂是第一、第二准直器的散开角;β是晶体单色器嵌镶结构(mosaic)分布半宽度。最后,依据上述结果,计算了我们仪器的分辨宽度,另外从该仪器测量的中子共振截面估计了它的分辨宽度,并作了比较。     

Tb160的衰变—希土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅲ)

本文叙述用双磁镜β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁谱学技术来研究Tb¹⁶⁰(半衰期为72天)的衰变。定出了五个β分支,其能量、强度和logft值分别为274千电子伏(9％)7.9,464千电子伏(14％)8.5,562千电子伏(42％)8.1,868千电子伏(34％)8.9,1740千电子伏(0.4％)11.9。确定了二十七条γ射线,其中九条高能量γ射线是新观察到的。按照γ-γ级联关系和γ射线的能量定出了Dy¹⁶⁰的十四个激发能级,其能量、自旋和宇称分别为86.6(2+),283.5(4+),965.7(2+),1048(3+),1198(1—),1264(2—),1287(3—),1358(3—),1398(3—),1566,1591,1658,1696,1721千电子伏。最后就Dy¹⁶⁰核的激发能级的特性及其运动形态加以讨论。     

Al激光等离子体电子温度的时间分辨诊断

 将门控分幅相机与平面晶体谱仪耦合，构成时间分辨光谱测量系统，对Al激光等离子体的K壳层发射谱进行测量，获得了相对入射激光延迟约1ns，积累时间约200ps的光谱信号。利用稳态碰撞-辐射平衡（CRE）近似条件下的等离子体光谱辐射动力学模型，给出了Al激光等离子体Ly-β线与He-β线强度比以及Ly-γ线与He-γ线强度比与电子温度的函数关系。在此基础上，根据实验谱线强度比，得到激光强度为2.319×10¹⁴，1.937×10¹⁴和3.946×10¹⁴ W/cm²时，等离子体冕区电子温度分别为1.190(1±27%)，1.165(1±27%)和1.525(1±27%)keV。     

基于阈值光电子-光离子符合技术的分子离子光谱和解离动力学研究

对电子和离子同时采用速度聚焦电场收集的阈值光电子-光离子符合成像谱仪能够有效提高电子的收集效率和能量分辨率.利用该符合成像谱仪,开展了Xe/Ar/Ne 惰性混合气体及NO 分子的阈值光电子谱、阈值光电子-光离子符合质谱和质量选择的符合光谱等实验研究,精确测量了NO 分子的电离势,并且获得了NO⁺离子振动态分辨的X¹Σ⁺,c³Π和B^{1相似文献}   

中子与9Be和6,7Li反应的次级中子发射谱实验研究

测量了8.17MeV与10.27MeV中子与⁹Be和^6,7Li作用的次级中子双微分截面. 对于10.27MeV, 为了消除从D(d,np)破裂反应来的源破裂中子对双微分截面测量结果的影响, 采用了常规多探测器快中子飞行时间谱仪和非常规多探测器快中子飞行时间谱仪相结合的办法. 用Monte-Carlo方法对实验测量得到的飞行时间谱进行了详细的模拟, 通过测量谱与模拟谱的比较, 得到了实验测量的次级中子双微分截面. 实验测量结果以n-p(常规谱仪)和n-C(非常规谱仪)弹性散射微分截面作为归一. 测量结果与评价数据以及其他测量数据进行了比较. 用一个基于Hauser-Feshbach和激子模型的轻核核反应理论模型对^6,7Li的次级中子双微分截面进行了计算, 理论计算结果与实验结果符合得较好.     

e/π识别的dE/dx方法在北京谱仪τ重轻子质量测量中的应用

本文介绍了北京谱仪(BES)主漂移室(MDC)e/π识别的dE/dx方法在τ重轻子质量测量中的应用.该方法的应用使得对τ⁺τ^－衰变产生的“eμ”事例的标记效率,比仅用传统的电磁簇射信息标记时提高了3倍以上.效率的提高不仅减少了事例丢失,还使得为找到同样多的τ⁺τ^－事例所需要的谱仪和对撞机运行时间和数据离线处理所用的计算机CPU时间均减少了～75%.     

101Mo衰变的研究

采用γ–γ–t三参数快慢符合谱仪研究了¹⁰¹Mo¹⁰¹Tc的衰变,利用符合测量结果构造了一个新的¹⁰¹Mo¹⁰¹Tc衰变纲图.首次确定了104.70,105.95,774.15keV γ射线的位置.首次观测到1508.01keV的γ射线并确认了其跃迁位置.     

用云母弯晶谱仪探测Z箍缩等离子体X射线光谱

 为了研究Z箍缩等离子体辐射的X射线光谱,研制了可用于“阳”加速器上探测宽频谱范围的X射线椭圆弯曲晶体谱仪。该谱仪晶体分析器采用云母材料,椭圆焦距为1 350 mm,离心率为0.948 5,覆盖布拉格范围为30°~60°,可探测X射线波长范围为0.10~1.73 nm(0.86~1.00 nm除外),用X射线胶片接收光谱信号。探测实验在中国工程物理研究院“阳”加速器上进行,实验结果表明:谱仪获取了氩的类氢共振线L_ya及其伴线、类氦共振线(1s2p¹P₁-1s2¹S₀)w线及磁四级M₂2跃迁(1s2p³P₂-1s²¹S₀)x线、互组合跃迁(1s2p³P₁-1s²¹S­₀)y线、禁戒谱线(1s2p³S₁-1s²¹S₀)z线和K­_-a线,谱线分辨率达到564。实验证明弯晶谱仪适合于Z箍缩等离子体X射线光谱学诊断。     

简易180°聚焦β谱仪

本文描述一台简易的180°聚焦β谱仪。谱仪的电子运动轨道平均半径是100mm,谱仪的均匀磁场是由单轭磁铁所产生的。D形真空室高70mm,利用磁极面作为底盖,用橡皮垫圈密封,谱仪的磁场测量采用“零点测磁仪”,测磁仪的心脏部分是一个偏心地安装在张紧的钨丝上的小的测量线圈,要使线圈在磁场中保持某一特定方向,就得使通过线圈的电流随着磁场的变化而作相应的改变,使得电磁作用所产生的力短和作用于线圈的机械力矩相平衡。因为重力矩固定不变,通过线圈电流的大小将和磁场强度成反比,测量所得电流读数可以作为磁场强度的度量,包括磁场测量在内谱仪测量总的线性和重复性都在0.1％左右。经过调整和改进以后,谱仪目前的最好的分辨率是0.7％,那是利用源宽0.8mm的Hg¹⁹⁸K内转换谱线测得的。对于源宽2mm的Ba¹³⁷K内转换谱线我们测得的谱仪分辨率是0.9％。谱仪的主要优点在于它的简易。     

Skyrme–Hartree–Fock方法对Ca同位素基态性质的研究(Ⅰ)结合能、壳结构、半径与密度分布

用Skyrme Hartree Fock模型系统地研究了⁴⁰Ca到⁷⁰Ca到Ca同位素偶偶核的基态性质及其同位旋依赖性.讨论了结合能、均方根半径、密度分布随同位旋的变化,研究了壳效应对结合能、双中子分离能S2n及和表面弥散厚度的影响.结果表明壳效应在S2n、表面弥散厚度中表现得非常明显.质子均方根半径R_rms随相对中子数I=(N-Z)/A的变化满足R_rms=3/5(1+αI+βI²)r_pZ^1/3.离心位垒对核表面以外的密度分布有很大影响.     

12C+159Tb,12C+165Ho熔合截面的测量

我们测量了库仑位垒附近¹²C+¹⁵⁹Tb、¹²C+¹⁶⁵Ho反应的熔合截面.实验中用Si(Li)X射线谱仪离线测量了蒸发余核的特征K-X射线能谱,从而得到了蒸发余核的半寿命及其蒸发余核生成分支比.最后获得了熔合截面,并与理论计算值进行了比较.     

BES上J/ψ→γπ0π0的实验研究

基于北京谱仪收集的7.0×10⁶有中性触发的J/ψ事例,分析了J/ψ→γπ⁰π⁰衰变道.除了在π⁰π⁰不变质量谱中看到了众所周知的f₂(1270)外,还证实了f_J(1710)和ξ(2230)的存在,同时给出了它们的质量以及相应的衰变分支比.     

在J/ψ衰变中寻找新物理

北京谱仪(BES)已收集了2.5×10⁷个J/ψ事例,并计划增加到10⁸—10⁹个.本文综述近年来在BES上寻找新物理的研究,包括在J/ψ衰变过程中探测新的味改变中性流,CP破坏和轻子味破坏.