Fe_2O_3彩色版的制备和正性胶复印

近几年来,我们使用Fe_2O_3彩色版和正性胶复印光刻掩模,在一定程度上提高了掩模质量,保证了掩模版的大量供应。现将我们Fe_2O_3彩色版的制备和正性胶复印的情况介绍如下。 Fe_2O_3彩色版的制备 化学气相淀积法制备Fe_2O_3版具有设备简单,成本低,效率高和操作方便等优点。 Fe_2O_3版在使用上还有如下优点: 1.它对可见光透明而阻挡紫外光通过,因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。 2.正性抗蚀剂为提高光刻精度开辟了新的途径,使用彩色掩模便可减少由于使用正性抗蚀剂而采用大部分不透明的掩模给光刻对准带来的困难。 3.Fe_2O_3版由于吸收(而不是反射掉)不需要的光,因而相当地减小了晕光效应,加强了对反射性衬底的对比度,有利于精细线条光刻。减少了掩模的强烈反射光对光刻同志眼睛的刺激。 4.复印腐蚀特性比较好,在一定程度上减少了掩模缺陷。     

片子分步机实现高反差对准的关键——双衍射光栅

以逐个芯片曝光方式工作的分步重复投影复印法,要得到良好的芯片就需要一个快速而精确的对准系统,这在其它的图象转换系统中尤为重要。目前的对准精度要求是图形特征尺寸的1/5到1/10,对于1微米的线宽来说,其对准精度应为0.2～0.1微米。为保证每小时有60到100片的高生产效率,每枚片子总的对准(X、Y向和角度)时间应小于几秒钟。这样,每个芯片或每个陈列局部的反复对准时间约为0.1秒。多次反复地对准时间与片子的畸变程度有关。如果各道光刻工序不是在同一台机器上进行,那么它还与各光刻机的一致性有关。另外重要的一点是在电路的整个制造过程中,应始终保持精度和速度的一致性。也就是说,在工艺过程中无论所涂复的厚度和层数如何度化,所涂复的片子对准标记必须保持良好的反差。本文主要描述了一个把衍射光栅制作在掩模和片子上的“同轴”对准法。该衍射光栅标记的相关就给出了一个具备下列三个条件的对准信号:1、这样的对准标记结构可以消除由于片子上散射和反射而产生的光噪声,从而给出了一个高反差信号;2、该反差与涂层的反射率无关;3、此相关信号能用一个快速光探测器来探测。     

卡诺PLA—521F/FA远紫外接近式光刻机

<正> 根据光学原理,可分辨的线宽与(λg)~(1/2)成正比。式中λ为光学系统的波长,g 为光学掩模与片子之间的间隙。假如我们使光刻机光学系统的波长缩短一半,掩模与片子的间隙保持不变,则所能分辨的线宽变成1/2~(1/2)倍,如果线宽保持不变,则掩模与片子之间的分离间隙     

每小时能处理50个片子的X射线曝光装置

<正> 日本超大规模技术研究组合共同研究所最近研制了每小时能曝光50个片子的 x 射线曝光装置。该系统可使6个片子同时曝光,大大提高了系统的生产率。具体措施是:1)在与 x射线源等距离的位置上,配置六组预先对准好的掩模一片子组,使 x 射线束有效立体角增加,弥补了低灵敏度的抗蚀剂和低效率的 x 射线源的缺点。2)位置对准与光学曝光中的方式基本相同,但使掩模-片子间的位置对准机构与曝光机构分别成为独立的部分。3)为使 x 射线源与片子的距离尽量靠近而缩短曝光时间,并尽量减少复制图象的半影和几何误差,采用共形掩模使掩模与片子附着紧密。4)六个曝光窗能独立开闭,曝光时间能     

高精度图形曝光机及其在大规模集成电路上的应用

微细图形加工技术是获得集成电路高度集成化的基本条件,其中将图形对准光刻,即所谓的直线对准器作用很大。接触曝光方法由于图形的复印精度高而且设备价廉的原因,在历来的 IC 制作上得到广泛地采用。然而,从 IC 发展到大规模集成电路,随着高度集成化和图形精度进一步的提高,就出现了许多的问题。首先是片子与掩模贴紧而产生的损伤,导致掩模的磨损及成品率下降,集成度越高,问题越大。其次的问题是对准精度不高。对准时,由于片子与掩模必须距离20微米,不能同时清楚地观察到两者,为了进行曝光贴紧时就产生横向误差。另外,由于片子凹凸不平以及灰尘的影响,要获得     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

采用离子注入法制作高精度掩模版

日本电气公司最近研制采用离子注入法制作高精度掩模版的技术,去年12月已在华盛顿举行的国际电子器件会议上发表。在集成电路和LSI制造工艺中,用于光刻工艺的掩模版是使用银乳剂的乳胶掩模和使用金属铬、氧化铬、氧化铁等金属或金属氧化物形成暗区的所谓硬掩模。采用贴紧或者投影的方法,让这些光掩模与涂敷了光刻胶的硅片相叠合,并用紫外线曝光,经过显影,光掩模上的电路图形就复印在硅片上。由于乳胶掩模使用了卤化银,     

接近式复印机

目前集成电路光刻方式主要利用接触法。如人们所知那样,接触法是掩模和片子紧紧挨着,瞄准光从上边曝光,这种光刻机造价低,而且可以得到分辨率高、反差好的像。与此相反,定位时两者必须接触,因片子的凸起和毛刺及灰尘等原因,掩模和片子子双方都会在不同程度上被划伤,这是最大的缺点。     

NEC研制出新的曝光技术

<正>据外刊报道,日本电气公司(NEC)最近研制成一种用于X射线光刻的辐射源——SOR(同步辐射储存环),并以此光源成功地刻出了0.2微米线宽的图形。这一技术的成功,将意味着256M位DRAM时代的到来。 该同步辐射储存环的辐射强度比普通X射线源提高了100倍。来自SOR的X射线(波长为10),经过振荡反射镜,由铍窗(25×40微米)进入氦气室,再从氮化硅窗口射出,通过掩模后到达置于大气中的晶片。氮化硅窗口到片子间隙10毫米,掩模与片子间隙50微米。曝光视场25×25毫米。 该公司采用直流电机和压电传动装置驱动掩模和片子,并用菲涅耳带片法检测定位     

6000系列DSW

<正> 据美国GCA公司集成电路系统分公司报道,他们生产的6000系列DSW片子步进系统能把中间版的电路图形缩小五或十倍后,以多阵列的形式直接复印在片子上。6000系列中,6100型DSW系统生产效率较高,能加工2μm或2μm以上线条的片子。用该系统每小时能曝光直径125mm的片子60枚;100mm的片子96枚。6200型DSW系统能刻作常精细的几何线条     

国外光刻制版设备发展动态

主要述评了近两年来国外光刻制版设备的最新发展动态.新颖的扫描激光掩模制作设备正在迅速地向64M DRAM器件的制版领域渗透,i线片子步进机与移相掩模技术的结合将在0.35微米的64M DRAM时代占据优势,潜力巨大的准分子激光步进机与移相掩模的结合将使传统的光学光刻技术于1996年进入0.15微米图形线宽的1GDRAM时代     

凸版光掩模将提高上海合资厂的产能和技术能力

2011年11月18日,凸版(Toppan)印刷集团旗下子公司上海凸版光掩模宣布,将在上海扩大其生产经营规模。上海凸版光掩模有限公司是由凸版光掩模集团与上海微系统信息技术研究所共同组建的一家中外合资公司。本次投资2000万美元的项目将极大地扩大公司用以制造半导体器件的光掩模版     

0.3微米移相掩模光刻

用移相掩模提高i线步进曝光的分辨率,这是本文讨论的问题。文中研究了重复线条,也研究了孤立线和孔状图形。为在光刻孤立窗口时,得到窄细亮线,在掩模主体狭缝的两侧附加辅助狭缝。辅助狭缝的宽度小于镜头的临界值。主体狭缝与辅助狭缝的光相位相反。辅助狭缝的作用在于减小亮线的宽度,使其小于镜头的线扩展函数值。主体狭缝及周围的四个辅助狭缝,也同样适用于小孔图形光刻。文中对移相掩模和普通掩模在片子上的光强分布进行了计算对比,并用额定分辨率为0.55μm的i线步进曝光机,将图形制作在片子上。用移相掩模光刻,0.3μm线条/间隔、0.3μm孤立窗口及0.4μm孔图形都可以分辨。而用普通掩模光刻,其图形不能分辨。对辅助狭缝光相位的变化作用,本文也进行了讨论。光强计算及实验结果表明,改变狭缝的光相位,能够控制最佳聚焦位置。     

X射线曝光

近年来,随着技术的发展,在半导体大规模集成电路、磁泡、光集成电路及表面波器件等多种器件领域,亚微米加工技术已成为提高器件特性的有效手段。作为最适用的装置是由扫描型电子显微镜发展起来的电子束扫描装置。现在,国内外对电子束扫描装置都在着力研究,其成果将陆续有报导。但是,由于扫描很费时间(≥数十小时/片),目前还不能用电子扫描装置直接扫描大量的片子,它的作用还只限于制备掩模图形。对于由电子束扫描装置制备出的高精度掩模图形,为使其能在较短时间内在片子上曝光而不致降低精度,这就需要一种新的     

基于空间光调制器的灰度掩模制作系统

提出了基于空间光调制器的灰度掩模制作新方法。分析了该方法的基本原理，构造了相应的实验系统。同时制作了闪耀光栅、菲涅耳透镜以及Dammann光栅等二元光学器件的灰度掩模。该方法采用逐个图形曝光的方式使其具有内在的并行特性，可大大提高灰度掩模的制作速度和精度，并降低生产成本。     

集成电路投影曝光设备中的对准装置

集成电路投影曝光设备中的对准装置包括观察硅片和掩模表面参考标记用的投影透镜系统。硅片上的标记是一组一个方向具有预定周期的周期图形结构;掩模上的标记可以相对于硅片参考标记调整定位。投影系统能通过掩模在硅片表面形成可见光图象。该装置还包括用作探测从硅片表面穿过投影透镜系统的反射光的观察光学系统。该装置还能选择硅片上参考标记图形形成的衍射光的特殊分量,并把这些特殊分量引入观察光学系统。在该套装置的观察光学系统的光瞳附近设置了遮光元件。它是一带状传光孔,在与硅片表面上的周期性参考标记垂直的方向延伸分布。     

国外光刻制版设备发展动态（续）

8.1 移相掩模技术最初的移相掩模研究是由IBM公司Marc-levenson首先于1982年的IEEE会议上提出的.它是指在普通的电路图形透明掩模层上覆盖一层用作移相器的透明膜层而成.穿过这一双层图形透明膜的辐照光到达片子表面时,透过掩模图形孔与透过移相膜的两波相位相差180°的光重叠,产生了相消干涉作用,抵消了一些衍射效应而提高了转印图形的空间分     

经济的光刻设备——一次片子曝光系统

据美刊《电子封装与生产》1977年第九期报导,一套新型的直接分步重复片子系统(缩写DSW)有希望使光刻工艺作为经济的集成电路生产方法而至少延续五年以上。这套由GCA/Burlington子公司制造的Mann直接分步重复片子系统填补了目前1:1照相投影复印和电子束直接在片子上作图这两者之间的空白。在片子生产中,这套新系统每小时的产量比用于相同目的电子束系统几乎高一倍,由于使用了     

光学光刻新设备与技术介绍

1　瑞士推出一种新颖的高分辨率光刻技术　　瑞士苏黎世ＩＢＭ实验室的研究人员已研制出一种十分简单的光学光刻技术 ,它可以印制比所用光波长 1 / 2还要小的特征尺寸。无需复杂而又昂贵的聚焦光学系统。含有图形的“光图章”直接置于晶片上 ,不同于传统的接触式光刻技术要采用玻璃上铬掩模 ;ＩＢＭ实验室开发的新方法采用橡胶式掩模 ,与晶片均匀地接触。当光透过这种掩模时 ,将图像传入衬底 ,并在凹进区域被封锁或反射。通过起推进作用的聚焦效应和“光图章”与抗蚀剂间的紧密接触来减小光散射 ,使其与折射率匹配。工作人员采用 2 48ｎｍＫ…     

用硬接触法复印大型化铬掩模

随着生产集成电路芯片的大型化,生产光刻用的大型化铬掩模显得尤为重要了.本文介绍了用硬接触法复印大型化格掩模的设备和工艺条件,并对复印中的问题进行了分析.对所生产的4吋和5吋的铬掩模复印精度测量,其图形尺寸容差是±0.2微米.