真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中电极间隙预击穿特性的因素，并对真空灭弧室的顶击穿特性进行了研究。     

真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中电极间隙和真空灭弧室的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中预击穿特性的因素。     

真空灭弧室并联电容老炼的试验研究

真空灭弧室在排气台上的老炼是提高真空间隙的耐压水平的重要手段。目前在生产过程中我们一般是将电流和是 老炼分两步进行,这样生产效率相对较低。基于对目前真空灭弧室的电压,电流老炼工艺参数及其晰分析研究,我们提出了在灭弧室上并联电容春进行老炼,目的是提高灭弧在电压老炼后的击穿电场强度,适当地电压老炼的工艺过程,提高生产效率及产品的质量,降低生产成本。     

真空间隙中较宽面积的圆形铜阴极预击穿辐射场的分布

用透明的阳极对圆形铜阴极上的预击穿辐射场的分布情况进行了分析研究,使用无氧铜作为阴极材料。实验表明预击穿不会总发生在场值最强的位置,也就是说不在阴极的中心,有时也能在远离阴极中心的位置观察到预击穿场,不仅在中心位置,同时在周围地区也都可以发现预击穿场。周围地区的场强度比中心的要弱得多。     

电子器件基础

1998年8月17～21日在荷兰的 Eindhoven 召开的 IEEE 第18届国际真空放电与真空电绝缘会议的会议录共分2卷。本书为第1卷,共收录93篇文章。内容主要涉及:真空预击穿现象.真空击穿和真空电弧点火,表面放电和飞弧、绝缘现象,真空电弧,伪火花放电。     

配永磁机构的真空断路器的同步关合的研究

通过真空灭弧室的预击穿和真空断路器的关合速度对同步关合的影响,以及对配永磁机构的真空断路器进行动态计算,可以得出真空间隙随时间的变化关系。     

真空间隙的直流脉冲长延时击穿

就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程，到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高，而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比，商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外，我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进     

印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

对基于印刷碳纳米管（CNT）薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究。微观分析结果表明，器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的。印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生。通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理，有效地预防了真空击穿的发生，并使薄膜的场发射均匀性得到提高，证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用。     

真空灭弧室在切断电流后的电气强度

由于真空灭弧室比其它形式的灭弧装置优越得多,因此在配电装置中得到了越来越广泛的应用。真空灭弧室所用材料的体积最小、寿命最长,在整个使用过程中,触头接触时不需要消耗能量;工作时无声、干净,在分断电流后,电气强度的恢复时间最短,因此,还可以用来通断较高频率的电流。但是,在应用真空灰弧室的时候,应当计算好真空灭弧室在切断电流并经几个周期以后,产生击穿的概率。弧光放电的增强就出现击穿现象,弧光放电时间的长短,取决于电路的各个参量。可能在数百微秒到数十毫秒范围内。击穿后,在极大多数情况下,真空灭弧室的电气强度将得到提高,并且击穿现象对真空开关所切断电路的     

非晶碳—聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射预击穿现象研究

利用脉冲激光沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最大发射电流密度为１．２ｍＡ／ｃｍ＾２。利用透明导电薄膜阳技术可观察到电子在薄膜阴极表明的发射区域。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化，并对复合薄膜的预击穿现象的场电子发射机理进行了探     

真空断路器的真空监测

真空灭弧室封离后的真空度通常用潘宁或磁控法进行测量（用电场和磁场相结合的方法）。用这种方法可以测量１０＾－１￣１０＾－４Ｐａ范围内的真空度。然而，当它用真空断路器上这些方法就无能为力。最早期在开断过程中采用一种判断高频开断性能好坏作为一种可能解决方案。但是，调查研究表明在１０＾－１￣１０＾－５Ｐａ压强范围内发现有不同数量的高频予击穿电流回数。在开断过程中５和３０Ａ之间的直流电弧的电流截止对于通过测     

真空中的电击穿

評論了真空击穿的理論及試驗情况。在极間距离为0.015时情况下进行的測量表明,在管內压强約10~(-5)～10~(-7)乇及所加电压頻率在0～6兆赫之間击穿无变化或很少变化。改变电极材料、几何形状及表面处理沒有提供显著的改进,但高压老炼或处理改善击穿特性1～2倍。阴极表面鬚形突出所增高的場致发射,致使場发射的預击穿电流的个別注流从阴极流向阳极。預击穿的电流,能使突出部分发生电阻加热及局部的电子轰击阳极加热,两者所产生的蒸发及毁坏效应能导致击穿。     

钛板电极在预击穿过程中的特性

通过对各种材料(铜、铝、锡)组成的电极间电传导的研究,已收集到一些在预击穿过程中材料转移和表面演变方面的资料。本文实验范围已扩展到钦电极对和钦与铜或不锈钢组成的电极对。本文的目的是研究预放电电流,并对电极进行光学观察和表面分析,从而弄清楚表面演变和金属转移问题。实验是在文献[1]中已描述过的真空容器里真空度为10~(-6)～10~(-7)乇的条件下进行的。电     

铜钨触头材料真空灭弧室的容性开断能力

我们对铜钨触头材料和铜铬触头材料的２４ｋＶ真空灭弧室模型进行了并联电容器开断试验。铜钨触头材料的重击穿概率低于鲷铬触头材料的重击穿概率。除了大电流开断能力，铜钨触头材料在并联电容器开断上也是性能非常优良的首选材料。     

电极表面形态对真空击穿特性的影响

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击穿的发生,其中凸缺陷将导致电场强度几十倍增加,且圆锥形凸起引起的最大电场强度和尖端角度成线性关系;并进一步模拟研究了老炼对真空击穿特性的改进,结果表明老炼可将峰值电场强度降低70%以上。     

恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性

研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性．软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定．发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大．用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系．利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系．     

恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性

研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.     

低气压毛细管放电特性研究

利用一台毛细管快放电X射线激光装置．研究了预脉冲作用下氩气和氦气在10～120Pa压强范围内对毛细管放电的击穿特性。实验结果表明只有10～15kV放电电压才能将内径为3mm．长度为90mm的毛细管中10～120Pa的氩气击穿，同时电极表面的形态对击穿电位也有较大影响。对预、主脉冲作用下毛细管放电规律及Z箍缩过程中阻抗变化规律进行了研究，发现不同长度的氩气柱在箍缩过程中的阻抗变化趋势基本相同。不同长度、不同放电电压情况下，毛细管阻抗均达到最小值5n左右．同时电流达到峰值。该结果为在相同放电电压下．对不同长度毛细管放电获得相同的电流峰值提供了可能。     

电真空器件管壳耐压特性分析

本文指出了电真空器件的高压放电和击穿类型,真空击穿和沿面闪络的物理机理、影响因素和预防措施.     

真空击穿中的表面效应

引言一般认为电极和绝缘另件的表面状况对真空击穿的引起起着主要的作用。尽管现在我们对这些作用已经有了很多的了解,但是,却依然缺乏许多基本资料,还有许多观察到的现象和实验数据不能透彻的理解。虽然Cranberg型机理能说明某些实验结果(特别是对表面上有松散的微粒和尘埃的情况),但是,引起真空击穿主要是由于阴极表面上“隆起物”的场致发射,对这一点几乎没有什