克服差转机本振辐射干扰的一种方法

我区在采用7频道50瓦差转机进行转播后,对11频道图象产生网纹干扰,使转播台附近用户的电视图象干扰更为严重。经分析干扰是由于差转机本振辐射所引起的。11频道频率范围为207兆赫～215兆赫,而7频道的本振频率为213.25兆赫,正好落入11频道频率范围中。本振辐射进入电视接收机后与机内有用的本振频率混频产生一个不需要的中频信号,经放大在图象检波处分别与图象中频,色度中频和伴音中频差拍,检波出干扰视频,因此在电视屏幕上呈现出随本振频率漂移而移动的网纹。     

一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计

采用0.5μm GaAs工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器.电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块.混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4～7 GHz,中频(IF)带宽为DC～2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,本振到中频隔离度大于27 dB.1 dB压缩点输入功率大于11 dBm,输入三阶交调点大于20 dBm.该混频器单片集成一款驱动放大器,解决了无源混频器要求大本振功率的问题,变频功能由串联二极管环实现,巴伦采用螺旋式结构,在实现超低变频损耗和良好隔离度的同时,保持了较小的芯片面积.整体芯片面积为1.1 mm×1.2 mm.     

一种高增益低噪声CMOS混频器设计

设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.     

一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器

设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4～252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5～7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5～26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.     

一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器

设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4～252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5～7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5～26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.     

基于LTCC技术的C频段星载接收机混频器

利用低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术,设计制作了一种可应用于C频段星载接收机的双平衡混频器。该混频器将射频和本振巴伦等无源器件集成在多层LTCC基板内,实现了电路的小型化、高集成度和高可靠性。测试表明,当射频输入为5.925～6.425GHz、本振频率为2.225GHz、中频输出频率为3.7～4.2GHz时,混频器的变频损耗≤9.3dB,P1dB为5.7dBm,本振到射频和本振到中频的隔离度分别为39.44dB和35.58dB。混频器的尺寸为40×22×1.92mm3。     

有线电视系统输出电平标准、频谱配置及故障检修

有线电视系统输出电平的调整非常重要，既要与电视机的入口电平相匹配，又要符合广播电视标准，即输出电平最小值为60dB，最大值为75dB，而网络常见故障有交互调干扰、重影干扰、交流滚道干扰、本振干扰和雪花干扰等，掌握这些干扰故障的检修技术是有线电视维护人员必备的知识。     

太赫兹−16 dB本振信号耦合器设计与实现

针对太赫兹频段边带分离接收机的应用需求,综合考虑本振信号弱耦合度、射频信号高方向性及现阶段铣削工艺精确度等要求,研制了一款400~500 GHz频段-16 dB 本振信号波导耦合器。主要包括分支型定向耦合器的耦合度特性分析、-16 dB弱耦合度波导耦合器设计、基于数控机械加工(CNC)技术的器件制备与结果讨论。2件样品实测结果均表明：该耦合器在400~500 GHz频段(相对带宽为22.5%)获得本振信号耦合度在-16~-17 dB,射频信号方向性为-1.2 dB,隔离度优于-20 dB,所有端口回波损耗优于-15 dB。上述性能均与仿真结果保持高度一致,表明当前CNC技术能够满足该高频段波导耦合器制备的高精确度需求。     

宽带混频器的优化设计

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器.该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度.本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计.该混频器电路采用0.25 μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5mm×1.1 mm.测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点ⅡP3大于22 dBm.本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB.     

Ka波段单平衡混频器的集成设计

结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于8dB,噪声系数小于11.5dB,最终给出芯片照片及尺寸:2665μm×1770μm×100μm。     

基于肖特基二极管的四次谐波混频器（英文）

针对冰云探测设备的预研,详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器,为了提升混频效率,采用两级紧凑微带共振单元(CMRC)本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一,大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明,在640-700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7～22.1 dB,在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.     

强度调制非线性外差检测光通信系统及其性能

本文提出一种采用光强度调制非线性外差检测的传输方案。分析表明,采用非线性外差检测,用谱线宽度为几十兆赫的单纵模DFB或DBR半导体激光器作为发射和接收本振光源,PSK和DPSK系统的误码性能比通常的外差PSK和DPSK光通信系统的理想(零谱线宽度)散弹噪声性能(极限)约差6dB。这种系统不需采用其它谱线窄化措施,性能比直接检测系统在码速100Mbit/s时改善约7～13dB,在1Gbit/s时改善约10～21dB。     

一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器

设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功率的要求,引入比较器和本振驱动器,并采用双平衡无源混频器提供良好的线性度.采用0.18μm的SiGe双极兼容互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,同时支持上变频和下变频功能.实测结果表明,射频端口可覆盖6～18 GHz频段的信号,中频端口可覆盖0～6 GHz频段的信号;下变频时和上变频时的变频损耗典型值分别为-10.0 dB和-9.8 dB;IIP3在工作频段内的最大值分别为23.0 dBm和23.4 dBm;功耗为500 mW.在实现高线性度混频器的基础上,减小了输入本振功率的需求,提高了高线性混频器的实用性.     

2.5G和3G蜂窝基站用全集成上、下变频混频器

Maxim Integrated Products公司开发出一种用于2.5G和3G蜂窝基站的含片上本振(LO)开关和缓冲级的全集成上、下变频无源SiGe混频器(型号MAX2031)。该器件的输入三阶截取点(IIP3)为36dBm,1dB交调产物(IP1dB)27dBm,噪声系数(NF)7dB,变频损耗仅7dB。此外,上述MAX2031的二阶和三阶乱真抑制优良。该器件所提供的中频范围特宽,为dc—250MHz,LO注频范围为960MHz—1180MHz。上述片上集成SPDT LO(单刀双掷本振)开关确保频率跳动,该开关的开关速度小于50ns,LO1—LO2隔离为49dB。电路板的驱动功率为0dBm,LO缓冲级提供±3dB的驱动变…     

基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器

为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗,然后考虑二极管的封装、匹配电路,仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB,所需本振功率为4mW.测试表明,本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB,433~451GHz之间的损耗小于17.0dB,3dB带宽为18GHz,所需的本振功率为5mW.     

基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器

设计了一种改进型电流注入混频器.通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益.混频器电路的设计采用SMIC 0.35 μm CMOS 工艺库,本振功率为-3 dBm.仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB.     

K波段单片接收机设计

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19～26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。     

X波段集成镜像抑制混频器

文章利用CAD技术研制了X波段集成镜像抑制混频器.混频器工作频率10-11GH_z,中频频率60MH_z,噪声系数≤7.5dB(包括前中1.5dB噪声),镜频抑制度≥20dB,信号与本振隔离度≥20dB,所需本振功率2-8MW.混频管采用南京55所生产的WH334,介质基片为聚四氟乙烯玻璃纤维板(h=0.6mm),混频器本振与信号接口为波导连接,其体积为75×48×42mm~3;本振与信号接口为同轴连接,其体积为48×68×30mm~3.由于本文章采用了CAD技术,所以电路无需调试,便可得到满意结果,且一致性好,适合批量生产.     

1.3μm波长高带宽多模光纤通过鉴定

1987年6月16日,由杭州无线电材料厂和电子部第23研究所共同研制的1.3μm高带宽多模光纤在杭州通过鉴定。在0.21～0.23g/min的较高沉积速率下,由同一工艺方案研制的全部11根多模光纤1.3μn处平均损耗0.88dB/km,最低为0.54dB/km;0.85μm处平均损耗为2.47dB/km,最低为2.25dB/km;拉丝附加损耗>0.1dB/km;1.3μm处平均带宽达1659MHz·km;光纤其它参数均满足国际电报电话咨询委员会(CCJTT)     

顶部平坦化32通道AWG的设计与研制

根据优化输入端多模干涉器(MMI)结构设计,研制出32通道50 GHz通道间隔、顶部平坦化的阵列波导光栅(AWG)器件。该器件的采用6μm×6μm折射率差为0.75%的Si基SiO2埋型波导结构,阵列波导数为130,罗兰圆半径为9 419.72μm,相邻阵列波导长度差为128.42μm。测试结果表明:AWG器件插入损耗(IS)为-5~-8.5 dB,串扰>-25 dB,3 dB带宽>0.25 nm。