低电阻率高居里点PTCR材料的研究

为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7?.cm、升阻比lg(ρmax/ρmin)为3.3的PTC材料。通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理。     

元素价态的电子探针分析及其应用

Fe和Mn氧化物价态的电子探针分析已见文献报导。本文研究Cu,Ni,Co,Fe,Mn,Cr及其氧化物的I_(Lα)/I_(Kα,I_(Lα)/I_(Lβ)强度比和Mo,Nb,Zr及其氧化物的I_((Lβ)_2)/I_((Lα)_1),I_((Lγ)_1)/I_((Lα)_1)强度比的价态效应,观察到强度比按一定规律随价态而变化,并利用此效应分析催化剂的价态。通过分析可以了解催化剂反应前后以及不同制备条件下价态的变化,这对了解催化过程有着重要的意义。     

低温烧结锶系PTC材料的研制

为了降低(Ba,Sr)TiO3的烧结温度,以PbO、BN为矿化剂,采用固相反应法制备了样品。研究了ζ(PbO:BN)在低温烧结状态下对锶系PTC材料性能的影响。结果表明:当ζ(PbO:BN)为4:3时,样品在1182℃能半导化,且获得了特性较好的PTC材料:tC为64.9℃,R25为125Ω,ρmax/ρmin为2.553×105,温度系数α10/25为12.54%℃–1,耐电压Vb为696.7V。     

Ni/BaTiO3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料。对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复。其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1?·cm)。     

液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响

采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,居里点tC为74℃,阻温系数α为13.9%℃–1,升阻比lg(ρmax/ρmin)为7.2,耐压强度Vb≥260V/mm的PTC材料。     

BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻材料的制备与研究

利用传统陶瓷工艺制备了掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT),CaCO3和Mn(NO3)2的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(Bi0.5Na0.5)xBa1–xTiO3-yCaCO3-0.000 2Mn(NO3)2(x=0.005,0.020,0.040,0.080;y=0,0.02,0.04,0.06,0.08),研究了BNT和CaCO3的掺杂量对所制陶瓷微观结构和导电特性的影响。结果表明:试样的晶格常数比c/a、居里温度tC以及室温电阻率ρ25均随着BNT掺杂量的增加而增大;CaCO3的加入能有效降低样品的室温电阻率。当x=0.080,y=0.06时所制得材料的性能最好,其室温电阻率为7×102.cm,居里温度高于150℃,升阻比(ρmax/ρmin)达到103。     

钙在PTC材料中的作用

本文阐述了掺钙对BaTiO_3半导瓷的性能,特别是电阻稳定性的影响。当Ca对Ba的置换量为(0.2～5)mol％时,例行试验前后的电阻变化率从原来的15％左右降到5％以下;而其它电性能,如电阻率ρ、电阻温度系数α_T及最大、最小电阻率之比ρ_(max)/ρ_(min)等则未受影响。     

金属Ni/Mn/BaTiO3基复合PTC材料的研究

为了降低 BaTiO3基 PTC 材料的ρ25,将金属 Ni、Mn 加入其中,并研究了金属 Ni 和金属 Mn 的加入量以及氧化处理等工艺条件对金属 Ni/Mn/BaTiO3基复合 PTC 材料性能的影响,且优化了该材料的组成和工艺条件。实验结果表明:其中含 Ni 的质量分数为 15%,Mn 的摩尔分数为 0.04%的 PTC 复合材料室温电阻率达到 18 O·cm,升阻比为 50.6。     

Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。     

YIG铁氧体小球用自控恒温加热器的研制

<正> 为了探讨PTC器件的自控发热效应的应用,我们对研制出的掺Sb、Mn钛酸钡系材料作了这方面的应用研究,选择具有适当PTC特性的材料研制了YIG铁氧体小球用自控恒温加热器(原型),并在YIG电调谐振     

NTC热敏陶瓷用Mn_(0.43)Ni_(0.9)CuFe_(0.67)O_4的Pechini法合成及性能研究

采用Pechini法,成功制备了Mn0.43Ni0.9CuFe0.67O4纳米粉体。聚合前驱体在400~700℃下煅烧,采用热重-差热分析(TG-DTA)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、粒度分布和扫描电镜(SEM)对产物进行了表征。煅烧后,在900~1200℃烧结,测试了烧结陶瓷的电学性能参数:电阻率ρ和材料常数B。结果表明,粉体的分解温度为300℃,由无定形相开始结晶;晶体结构不同于传统NTC材料的单一尖晶体结构,而是尖晶石相和单斜CuO相组成的固溶体;单斜CuO相对陶瓷的电学性能有较大影响。烧结性质表明,最佳烧结温度为1100℃,致密度为96%,2ρ5℃为600Ω.cm,材料常数B25℃/50℃为2000。     

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。     

元素价态的电子探针分析及其应用

Fe和Mn氧化物价态的电子探针分析已见文献报导。本文研究Cu,Ni,Co,Fe,Mn,Cr,及其氧化物的I_(Lα)/I_(Kα),I_(Lα)/I_(kβ)强度比和M_0,Nb,Zr及其氧化物的I_(Lβ2)/I_(Lα1),I_(Lγ1)/I_(Lα1),强度比的价态效应,观察到强度比按一定规律随价态而变化,并利用此效应分析催化剂的价态。一、分析原理:元素价态的电子探针分析是基于原子的外壳层价电子状态的改变引起谱线强度相应的变化。Cu,Ni,Co,Fe,Mn,Cr的M电子和Mo,Nb,Zr的N电子是价电子。K_(α1,2)和6条L谱经分别产于K-L_(2,3)和L-M或L-N跃迁.原子处于不同的价态,价电子成键于不同的分子轨道,其电子的跃迁几率会有所不同,因而使不同谱线的强度产生相的变化。因此可预见上述元素有关谱线强度比的价态效应。     

PTC陶瓷欧姆接触银电极的研究

影响银电极欧姆接触的主要因素是:电极浆料的组成和形成过程。通过实验,获得了接触电阻小,表面光洁,附着力和焊接能力均好的欧姆接触银电极。探讨了PTC陶瓷欧姆接触电极材料的评价方法,认为采用接触电阻比ρ_c/ρ_0作为比较参数较为合适。     

NTC热敏陶瓷Ni_(0.66)Mn_(2.34-x)Co_xO_4的电性能研究

采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Ni0.66Mn2.34-xCoxO4(0相似文献   

高性能ZnV Sb系压敏电阻陶瓷的制备

在传统工艺基础上,对V2O5/Sb2O3混合粉体先进行热处理,然后以热处理产物为主要掺杂剂,在950℃合成了显微结构均匀、相对密度98%以上、α大于50的ZnVSb系多元压敏电阻陶瓷材料。并研究了V2O5/Sb2O3预合成粉含量对材料显微结构和性能的影响。结果表明:V2O5/Sb2O3预合成粉含量升高,增大了晶界受主态密度,提高了材料的晶界势垒,使材料在压敏电压升高的同时,非线性系数得到改善。     

铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷

采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1 220℃已半导化,在1 250℃烧结的x(Nb)为0.18%的BT陶瓷,其ρ25为4.3?.cm,β为1.7。通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β)。1 260℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5Ω.cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9。     

高稳定单纵模的1.55μm DFB激光器

采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48％.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10％,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输.     

PTC材料的制备与性质

为了PTC材料的稳定生产,对该材料的制备和性质进行了综述,对原料、掺入物、第二相等对PTC效应的影响进行了描述.为了控制阻值的重现性,讨论了烧结及晶界重氧化.最后从应用角度强调说明了显微结构均匀性和晶界热点的关系.     

Ni掺杂量对BaBiO_3基热敏陶瓷电性能的影响

通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻温特性测试仪,研究了不同NiO、Ni_2O_3掺杂量对BaNi~Ⅱ_xBi_(1-x)O_3和BaNi~Ⅱ_(x/3)Ni~Ⅲ_(2x/3)Bi_(1-x)O_3(摩尔比x=0.02~0.08)热敏陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明,BaNi~Ⅱ_xBi_(1-x)O_3与BaNi~Ⅱ_(x/3)Ni~Ⅲ_(2x/3)Bi_(1-x)O_3热敏陶瓷的室温电阻率ρ25及热敏常数B25~85值均随着NiO/Ni_2O_3掺杂量的增加呈现先减小后变大的趋势;试样BaNi~Ⅱ_(0.04)Bi_(0.96)O_3取得了良好的热敏性能,ρ25=2 743Ω·cm,B25~85=3 239K;BaNi~Ⅱ_(0.02)Ni~Ⅲ_(0.04)Bi_(0.94)O_3陶瓷的ρ25和B25~85的最优值分别为65Ω·cm和2 673K。