ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

Ce掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其性能表征

采用水热法制备了稀土铈（Ce）掺杂的ZnO纳米棒,并利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和光致发光谱（PL）对样品进行表征．结果表明：Ce成功的掺入到ZnO中,掺杂的ZnO纳米棒有较好的结晶质量,直径约为8nm．另外,随着Ce的掺入,紫外峰峰位发生红移,这是因为掺杂后带隙变窄,从而导致了紫外峰的红移．     

ZnS:Mn~(2+)纳米棒的结构及光学性能研究

利用一步溶剂热的方法合成六角结构的ZnS以及ZnS：Mn^2＋纳米棒．通过XRD,SEM,PL,UV-VIS等测试手段对样品结构和光学性能进行表征．结果表明所合成的纳米棒尺寸在10-15nm．锰的发射峰（4T1-6A1跃迁）位在589nm．     

ZnO纳米棒的CBD法制备及表征

在低温条件下,采用化学溶液沉积法(CBD)生长出ZnO纳米棒.探讨了反应的最佳温度,并在最佳实验条件下成功在光滑的玻璃衬底上制备了近一维ZnO纳米棒阵列.利用差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行结构、形貌和光学性能表征.结果表明:反应的最佳温度为92 ℃,产物为结晶良好的六角结构晶体.PL测试显示紫外发射峰较强,这说明产物的结晶状况很好,另外通过计算紫外峰和缺陷峰的比值,可知其比值可以达到2.21,这说明产物有较好的光致发光性能.     

退火温度对ZnO纳米棒结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.     

Mg掺杂ZnO微纳米棒与球的制备及生长机制

采用化学气相沉积法（CVD）在导电玻璃衬底上制备了Mg掺杂的ZnO微纳米棒、微纳米球,实验过程不需要催化剂．X射线衍射仪（XRD）分析结果表明制备的Mg掺杂ZnO微纳米棒仍具有六方铅锌矿结构．利用扫描电子显微镜（SEM）观测,750 ℃恒温、载入氩气流速为100 mL/min的样品,有微纳米棒、微纳米球的生成．能谱图（EDS）和光致发光谱测试表明微纳米棒中有Mg的掺入．     

氧化锌纳米棒白光发光二极管

本文主要介绍ZnO纳米棒的生长及其优异的发光性能.分别采用低温(<100℃)和高温(-900℃)在p型衬底上生长ZnO纳米棒.ZaO纳米棒/p型衬底构成p-n结,从而制成发光二极管(LEO).利用光致发光(PL),点致发光(EL),以及电学性能测试仪等仪器设备测试LED的性能.结果表明,ZnO发射光的谱带很宽,可见光部分来源于深能级发射,预示ZnO在白光LED科技领域具有潜在的应用价值.     

反应温度对水热法制备Eu掺杂ZnO纳米片结构和性能的影响

采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料（ZnO：1％Eu），在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响，得出材料最佳生长温度，并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能．实验结果表明，稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中．在反应温度为155℃时，材料的结晶质量最好．该反应温度下PL谱图显示出Eu3＋的特征发射峰，分别位于579．6，587．8和614nm处，它们是V—V的跃迁，分别来源于Eu3＋的5D0-7Fo，^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁．     

ZnO纳米材料结构与性能的关系

通过对液相法合成的各种形貌的一维ZnO纳米结构的XRD和PL进行分析,结果发现通过控制择优生长（002）晶面,能够增强近带边发射;通过控制生长（110）晶面,增加晶格缺陷,能够增强PL的可见光发射.     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.     

纳米ZnO梳状结构的生长机制及表征

通过简单的化学气相沉积的方法获得了氧化锌梳状结构,并且通过X -射线衍射仪和扫描电镜以及透射电镜对它的外部及微观结构进行了分析和研究．纳米梳主干的厚度只有20 nm左右,长度达几百微米。梳齿部分的宽度仅20～30 nm,整齐均匀地排列在梳干的一侧,是由于自催化作用沿[0001]方向生长出来的．氧化锌梳状结构有强的紫外发光峰和弱的可见峰,显示出了好的成晶质量．     

纳米ZnO的可控合成及其光催化性能

发展了一种相分离的化学沉淀-溶剂热合成纳米ZnO的方法,以硝酸锌为原料,实现了纳米ZnO的可控合成,并通过XRD、SEM、PL光谱等方法对样品进行了表征.重点研究了氨水、聚乙二醇( PEG)的引入等对ZnO的生长及形貌的影响.结果表明:氨水的引入能够促进ZnO的产生,并且对其粒径尺寸和取向生长有一定的调控作用.PEG的...     

沉淀法合成（Ce,Tb）MgAl_（11）O_（19）绿色荧光粉及其发光性能研究

探索沉淀法合成（Ce0.67,Tb0.33）MgAl11O19绿色荧光粉工艺条件,研究了滴定方式,pH值以及Mg含量变化对合成荧光粉性能的影响.利用X-射线衍射,SEM和荧光光谱对粉体的物相、颗粒粒径、表面形貌以及发光性能进行表征.结果表明：沉淀法的合成温度比固相法低250℃,且粉体在254nm光源激发下,样品在主峰544nm处的发光强度与固相法合成的样品相当.     

以木质素磺酸钠为结构导向剂直接沉淀法制备纳米氧化锌的研究

利用制浆造纸废料木质素磺酸钠为结构导向剂,采用直接沉淀法制备了纳米氧化锌材料。使用XRD、SEM和氮气吸附-脱附实验对所合成的氧化锌进行了表征。XRD分析结果揭示产物为高结晶度的多晶六方纤维锌矿氧化锌;SEM和氮气吸附-脱附实验分析表明使用的木质素磺酸钠的量不同,制备的氧化锌形貌和比表面积不同,在一定范围内增加木质素磺酸钠用量可以增加ZnO的比表面积。     

锌基底上超疏水表面的制备

采用硝酸为刻蚀剂、CS2与液体石蜡的混合溶液为疏水剂,经简单处理在锌基底上构建了微纳米结构,通过SEM,XRD等进行了结构表征和疏水性能测试．结果表明锌表面经过硝酸溶液刻蚀处理后具有了树立的不规则排列的片状结构,形成了一个阶层,表面上的阶层结构对超疏水性起到了一个关键的作用．     

硒化锌微米晶的制备、形貌及光致发光性能研究

本文利用硝酸锌作为锌源、硒粉作为硒源,采用水热法在不添加任何表面活性剂的情况下制备了ZnSe微米晶.利用差热(TG-DTA)分析仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行热稳定性、结构、形貌和光学性能表征.差热结果表明ZnSe微米晶在常温下具有一定的稳定性,在500至600℃之间存在一个很强的放热峰.XRD和SEM研究结果表明,ZnSe微米晶具有闪锌矿结构并且其尺寸大约为4.5μm.从ZnSe微米晶的光致发光谱图中可以看出样品在467 nm处存在一个较强的近带边发射峰,同时存在一个从540 nm至630 nm的很弱的与缺陷相关的发射带,这说明产物的结晶状况良好且具有良好的光致发光性能.