高频丙类功率放大电路的设计

高频功率放大器是无线电发射机中的重要单元电路,也是高频电子线路教学中最基本的实验课题.为了进一步研究电源电压与集电极负载对功率放大器功率和效率的影响,我们设计出方便调整与测试的电路--高频丙类谐振功率放大电路.     

高频丙类功率放大器的仿真分析

本文利用Multisim10仿真软件,对高频丙类功率放大器进行仿真分析,通过对仿真结果和理论对比分析,加深对高频丙类功率放大器理解及了解高频丙类功放设计流程。     

高频丙类功率放大器实验项目的设计与实践

为加深学生对高频丙类功率放大器工作原理的理解,经过三年的实验教学确定了成熟的丙类功率放大器实验方案。首先,从电路原理图设计、元器件选型等方面进行具体设计,之后通过实际测试研究了激励电压、负载、电源电压变化对工作状态的影响,并结合理论分析了实验结果,最后研究和探讨了实验过程中碰到的问题。实验结果表明,该方案清晰地再现了丙类功率放大器的工作过程,教学效果良好,可为其他高校开设丙类功率放大器实验提供一定的借鉴和帮助。     

基于 Multisim 的高频功率放大器仿真分析简

利用Multisim先进的高频仿真功能构建了由甲类和丙类功率放大器级联的高频功率放大器,并进行仿真实验.采用分级测试、两级级联的形式,给出了甲类功率放大器的工作状态,丙类功率放大器的调谐特性及级联放大器的负载特性分析.所得仿真结果与理论分析一致,为高频电子线路实践教学提供了保障.     

基于Multisim的高频功率放大器仿真分析

利用Multisim先进的高频仿真功能构建了由甲类和丙类功率放大器级联的高频功率放大器,并进行仿真实验。采用分级测试、两级级联的形式,给出了甲类功率放大器的工作状态,丙类功率放大器的调谐特性及级联放大器的负载特性分析。所得仿真结果与理论分析一致,为高频电子线路实践教学提供了保障。     

基于Multisim2001的高频丙类谐振功率放大器仿真研究

介绍了EDA软件Multisim2001的功能和特点,并利用其先进的高频仿真功能对丙类谐振功率放大器进行了仿真研究,给出了其各种外部特性仿真分析结果,实现了其功能验证.该实例充分表明,Multisim2001可为高频电子电路的分析、设计和优化提供一个快捷、高效的新途径.     

基于电磁共振的无线充电器研究与设计

研究了电磁共振技术的无线电能传输原理,并基于此原理设计无线充电系统。以常用电子器件构成,主要由电源管理电路、发射电路、接收电路和充电电路4个电路组成。该电路采用采用交直流供电,利用有源晶振发出高频激励信号和丙类谐振功率放大器,传送效率高。     

基于Multisim2001丙类功率放大器的仿真研究

阐述了Multisim2001的主要功能与特点,并利用Multisim2001对丙类功率放大器电路进行了仿真,讨论了丙类功率放大器的集电极电流、输出电压、输出功率、集电极效率,晶体管高频功率放大器的高频特性.利用Multisim2001可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况.     

基于Multisim2001丙类功率放大器的仿真研究

阐述了Muhisim2001的主要功能与特点,并利用Multisim2001对丙类功率放大器电路进行了仿真,讨论了丙类功率放大器的集电极电流、输出电压、输出功率、集电极效率,晶体管高频功率放大器的高频特性．利用Muhisim2001可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况．     

基于Muhisim2001丙类功率放大器的仿真研究

阐述了Muhisim2001的主要功能与特点,并利用Multisim2001对丙类功率放大器电路进行了仿真,讨论了丙类功率放大器的集电极电流、输出电压、输出功率、集电极效率,晶体管高频功率放大器的高频特性．利用Muhisim2001可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况．     

D类音频功率放大器控制方式综述

D类放大器虽然具有很高的效率，但由于功率晶体管的开关工作方式，D类放大器引入的失真通常大于线性放大器，这也是目前D类放大器在音频放大领域并未得到广泛应用的主要原因。D类放大器的控制方式是影响其性能的关键因素之一，研究适合的控制方法以改善D类放大器的保真度，是近年来电力电子技术和音频功放放大领域研究的热点。文中对几种比较新颖的D类音频功放放大器控制方式进行了分析比较。     

高效E类射频功率放大器的设计

E类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,有广阔的发展前景.文章研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在的问题,以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.     

电阻性甲类放大器效率和负载最大功率的分析计算

基本共射放大器是典型的电阻性甲类放大器.基于放大器调整到临界状态、满幅度输出和负载匹配的充分必要条件,分析了基本共射放大器效率和负载最大功率.结果表明,电阻性甲类放大器理论最高效率为8.6%,负载最大功率为0.0625U2cc/Rc,而且负载功率达到最大时放大器效率基本上也达到最高.     

E类调谐功率放大器的计算机辅助分析

本文给出一种分析开关调谐功率放大器的有效方法。文中利用傅立叶分析与状态方程相结合的技术，推导出Ｅ类调谐功率放大器响应的傅立叶级数表达式，并在此基础上完成了放大器的各项性能参数分析，为Ｅ类调谐功率放大器的分析和设计提供了有效的支持。整个方法已由程序实现。实际工作表明，本文提出的方法是快速和可靠的。     

基于E类放大器的新型无线电能传输控制策略

E类放大器是磁共振无线电能传输(wireless power transmission,WPT)系统中常用的高频电源,其开关效率是评价WPT系统整体性能的关键指标.针对E类放大器中开关器件的效率和电压应力与负载的紧耦合关系导致其输出效率的不稳定,根据锂离子电池的充电特性和E类放大器的输出效率特性,选用合理的谐振补偿网络结构,提出了一种通过电容和电感阵列实现E类放大器零电压开关状态的主动控制策略.结果表明:在20 cm气隙条件下实现了功率输出为1.1 kW、逆变部分效率高于95％以上的WPT系统实验,大大提高了采用E类放大器的WPT系统的稳定性,验证了所提出控制策略的有效性.     

一种平衡AB类功率放大器的设计

设计优化了一种平衡AB类功率放大器。利用ADS软件和Freescale公司提供的芯片模型,进行了功放的偏置电路和匹配电路的设计仿真。对放大器进行了优化仿真,在仿真中分析了平衡AB类放大器线性度、效率、增益、1 dB压缩点、邻信道功率比ACPR等参量结果。并将其与单管AB类放大器作比较,分析了平衡AB类放大器的优势。     

基于PT的小型化振动主动控制系统的研究

本文利用压电变压器（PT）替代电磁变压器、开关功放替代线性功放设计一种小型化的振动主动控制系统。此系统中,直流低电压通过DC—DC转换模块转换为直流高电压。此电压作为驱动系统的母线电压,参考信号经过信号调理电路后进入DSP控制器,经过相关算法的处理输出PWM信号,开关功放将该信号放大,最后低通滤波器将此信号解调,解调后的高压交流信号作用于压电驱动器,从而达到振动主动控制的目的。     

集电极电流下降时间对E类放大器的影响

E类调谐功率放大器的理想模型是集电极电流下降时间为零,笔者在集电极电流下降时间不为零的情况下对E类放大器进行了分析;在最佳工作状态下,确定了放大器的集电极电流和集电极-发射极电压波形、晶体管的瞬间能量损失、集电极效率和负载网络参数.     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

A novel portable transmitter with 8dBm output power for wireless communication equipments

In this paper,a portable 2.42 GHz transmitter for wireless communication systems,with 8dBm output power and small size is proposed.Several novel features exist in this transmitter.First,power consumption and output are balanced by introducing a differential oscillator with input signal controlled biasing,which acts as both a carrier generator and an OOK modulator.Then,power consumption of the transmitter is reduced by the OOK modulated signal via switching the oscillator and the power amplifier at the same time.Furthermore,the area size is also reduced by a class-AB power amplifier,which uses the PCB antenna as the resonance inductance.With these features,the total chip area is reduced to 670μm×740μm(In a 0.18μm CMOS process).