共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上. 相似文献
2.
3.
<正> AAT31 03是 ANALOGIC TECH 公司新推出的一款新型白光 LED 驱动器。它以电荷泵电路为基础,能驱动3个白光LED,每个 LED 最大驱动电流可达30mA。电荷泵电路内部有自动控制升压1信道或2信道的电路,以满足高的效率、电流精度及各 LED 的电流匹配要求。它特别 相似文献
4.
ZXLD1352是Diodes公司推出的由降压式DC/DC转换器组成的大功率LED驱动器,它设计用来驱动单个或多个串联的大功率LED。输出恒流电流可调节,最大电流可达350mA,并可调节LED亮度。 相似文献
5.
本文基于0.5μm 5V DPTM CMOS工艺设计了一款用于LED驱动芯片的衬底电位选择电路。该电路采用峰值电流镜作为偏置,使其在低电压下能够正常工作,并运用源端输入带正反馈的比较器,使得电路具有一定的迟滞和高的转换速率,最后巧妙的设计了输出级,使输出结果尽可能的与芯片中的最高电压相等。仿真结果显示,比较器的转换速率为55.7V/μs,并且具有0.2V的迟滞,满足设计要求。 相似文献
6.
7.
8.
9.
近年来,白光LED的发光强度及发光效率有很大的提高,小功率φ5的白光LED在20mA电流时的发光强度可达6000-8000mcd,一些视角小的白光LED可达15000~18000mcd,发光效率一般为30~40lm/W,高的可达90lm/W以上。另外,还开发出大功率1-10W的白光LED。在这种条件下,给开发新型LED灯创造良好的机会,相应地开发出各种用于LED照明灯的驱动器。本文介绍Supertex公司生产的HV992X系列开关型LED照明灯驱动器IC。 相似文献
10.
《电子产品世界》2005,(17)
专注电源管理、串行接口以及光存储器件领域的Sipex公司最近推出业界最小的降压/升压白光LED闪光灯驱动器。Sipex电源管理产品技术市场部经理李子俊表示:集成拍照功能已经是手机产品发展的主流,支持闪光灯的白光LED驱动也就成了手机设计的必需配置。Sipex的SP6685可提供700mA的最大电流,效率达到94%,可为闪光及持续照明模式分别提供可调及可选择的输出电流。该器件工作在2.4MHz下,仅需要3个外接电容,整体尺寸减至了最小的16.2mm2,相较其他方案节省了近1/3的占位面积。Sipex公司已锁定相机闪光灯驱动器、白光LED驱动器、升/降压调节… 相似文献
11.
12.
13.
白光LED能量转换效率的研究 总被引:4,自引:2,他引:2
推导出了根据发光效能和光谱功率分布函数,计算了白光LED能量转换效率的公式,研究了1W白光LED能量转换效率与工作电流、环境温度和发光效能之间关系,并对荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率的变化进行了分析.研究结果表明,φ5、1W白光LED能量转换效率分别为22.67%和14.87%,1W白光LED的能量转换效率,随着工作电流、环境温度的增加而下降,能量转换效率与发光效能比值基本恒定,荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率从21.2%下降到15.11%,荧光粉能量转换效率约为93%. 相似文献
14.
设计了一种高精度,高效率LED驱动电路,芯片输入电压6 V~40 V,可调恒定电流从350 mA到1 A以上。采用脉冲电平调制以及低边采样结构,与传统的峰值电流控制相比,脉冲电平调制法真正实现了对LED平均电流的控制,效率更高,电流更加精确。设计基于CSMC 0.5 m BCD工艺,并进行了一系列仿真验证。仿真结果表明,当输入电压不同或驱动LED个数不同时,输出电流精度能够被控制在±0.5%和±1%以内。芯片的整体转换效率最高可以达到96.9%,最多可驱动10个LED。 相似文献
15.
设计了一种负电荷泵低压差电流源白光LED驱动芯片.基于负电荷泵原理,消除了传统正电荷泵结构中电流调整晶体管和地焊盘的寄生电阻,电流调节模块中电流源的压降可以达到80 mV的超低压状态,降低了损耗.采用脉冲信号和使能端设计控制LED驱动电流,可在2.8~5 V工作电压内提供1.25~ 20 mA范围内16个不同的恒定驱动电流,实现LED灯的16级不同亮度的调光功能.电荷泵的输出纹波几乎不会影响LED的亮度与色差.采用CSMC 0.5 μmCMOS工艺完成了芯片的设计.流片测试结果显示,在芯片工作电压范围内,LED电流变化的最大差值为0.4 mA,测试效率达到89.3%,满足高效和稳定的应用要求. 相似文献
16.
17.
滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计 总被引:4,自引:1,他引:3
设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5~9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。 相似文献
18.
设计了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的低功耗、微功率、低输入、高输出、高效率、高可调性PFM升压型DC/DC转换芯片.分别采用高低压结合、预充电和抗饱和、固定关闭时间电流模式控制结构以达到低工作电压、高效率、高可调性和稳定的电压输出.本芯片采用XFAB公司的XB06工艺流片成功.测试结果表明,芯片的工作电压可低至1 V,无负载时静态电流仅为20μA,在输入电压/负载电流分别为1.5 V/15 mA、6 V/500μA的情况下能稳定地输出3.3、35 V,最高转换效率可达85%. 相似文献
19.
根据白光LED(Light Emitting Diode)的特性及其对驱动电路的要求,提出了一种高可靠、高效率的LED高压驱动芯片,具有线性调光和数字调光两种调光功能。芯片采用简化的脉冲宽度调制(PWM,Pulse Width Modulation)峰值电流控制模式控制通过LED的电流,系统稳定性好,抗干扰能力强。振荡器中新型抖频电路模块的加入,提高了系统的电磁干扰(EMI,Electro Magnetic Interference)性能,使系统可靠性进一步增强。驱动芯片的输入电压范围为8.5 V~40V,输出的驱动电压达7.5V,可有效降低NMOS功率开关管的导通损耗。电路设计采用低静态电流、低反馈电压等低功耗设计技术,提高了系统的电能转换效率。芯片采用CSMC公司1μm 40V高压CMOS工艺模型设计,并完成流片。测试结果验证了抖频电路的作用,系统的最高转换效率达到了95.3%。 相似文献