基于VCR智能特性的系统信息数值处理技术

智能系统信息处理功能的结构要求,具有传统处理技术继承性、现代拓展模式多样性、未来新兴科技之兼容性和综合智能特点的集成性。21世纪信息处理技术的发展趋势是智能信息系统化。变进制(VCR)是基于传统数论中用恒进制(FCR)基础上创新拓展起来的更广义概念上的计数规则,其计数特性能给传统的智能信息数值处理技术带来更多创新和更好应用,并给出了ASCII码字符信息加密与解密的数值计算技术,空间三维立体真实图形表面(Surface)的视觉可视性计算,以及抗扰动数值计算技术等实例。     

SGA、GP、GEP的研究概述

结合三种典型的遗传算法:SGA、GP、GEP。介绍了遗传算法的研究状况以及目前的研究进展,概述了它的基本算法、主要特点、理论与技术、同时介绍了三种算法的主要应用领域。     

PSD813F2在FPGA配置中的应用

可编程外围器件PSD应用于单片机系统后,简化了单片机外围电路的设计,增加了系统的可靠性;利用PSD与单片机组成的系统,通过计算机串口对FPGA进行实时在线编程、仿真和配置.     

企业CIMS与Internet/Intranet的集成接口

本文从CIMS应用的角度出发,阐述了 Internet/Intranet技术在制造业企业中的作用,结合CIMS应用集成平台的研究,介绍了集成平台Internet/Intranet接口技术的设计特点,给出了Internet/Intranet应用系统的客户服务器(Client/Server)体系结构;描述了CIMS应用集成平台 Internet/Intranet应用系统的设计与实现模型,该研究的最终目的是使企业的计算机应用系统与Internet/Intranet技术有机的结合起来.     

用CMX644A设计低功耗调制解调器

介绍采用CML公司的CMX644A芯片设计低功耗、低速MODEM的方法,可应用于公用电话网(PSTN)的通信设备或电子装置中.文中包括CMX644A特点、引脚说明、硬件设计及软件设计.     

片上系统设计与EDA

利用EDA工具和硬件描述语言(HDL),根据产品的特定要求设计性能价格比高的片上系统,是目前国际上广泛使用的方法.与传统的设计方法不同,在设计开始阶段并不一定需要具体的单片微控制器(MCU)和开发系统(仿真器)以及带有外围电路的线路板来进行调试,所需要的只是由集成电路制造厂家提供的用HDL描述的MCU核和各种外围器件的HDL模块.设计人员在EDA工具提供的虚拟环境下,不但可以编写和调试汇编程序,也可以用HDL设计、仿真和调试具有自己特色的快速算法电路和接口,并通过综合和布线工具自动转换为电路结构,与制造厂家的单元库、宏库及硬核对应起来,通过仿真验证后,即可投片制成专用的片上系统(SOC)集成电路.     

(OsB)_n(n=1-6)团簇结构与稳定性的第一性原理研究

基于第一性原理,采用密度泛函理论(DFT)中的广义梯度近似(GGA)对(OsB)_n(n=1-6)团簇各种可能的构型进行了几何结构优化,得出了各团簇的最稳定构型,并对最稳定构型的能量、结合能、二阶能量差分、能隙等性质进行了理论研究。研究结果表明:n=2、3时,体系的基态结构分别为棱形和锅盖形;n=4时,体系的基态结构是对称性为T_d的立方体形状,是本文对称性最高的构型;从n=4开始立方体构型主导着团簇基态结构的生长行为,表明团簇的稳定性不仅与团簇的尺寸大小有关,还与团簇的对称性有关。团簇(OsB)_4的能隙、结合能与能量的二阶差分比邻近的值都大,说明团簇(OsB)_4有较高的稳定性,n=4是团簇的幻数。     

基于C#.NET的Mapx开发GIS系统

在C#.NET平台上开发Mapx是个较新的课题,文中论述了C#.NET平台与Mapx结合的意义,解决了基于C#.NET的Mapx开发GIS系统中的基本问题,并对鹰眼功能的实现给出了相应的代码,为进一步研究打下基础。     

粗糙关系数据库空间结构及其粗糙集模型

粗糙关系数据库模型从本质上来说就是多值信息系统,它继承和扩展了经典的粗糙集理论,但与经典粗糙集理论又有着很大的不同。该文扩展了多值信息系统模型的定义,分析了粗糙关系数据库模型的空间结构,为粗糙数据库的不确定性进行度量提供一个依据,同时通过对粗糙关系数据库空间结构的分析,导出了基于粗糙关系数据库的上、下近似以及值约简,进一步基于粗糙关系数据库的空间结构定义了属性集之间的部分、传递依赖关系和粗糙关系数据库的规范,定义粗糙关系数据库的连接算子,并以此为基础得出了粗糙关系数据库的关系模式分解定理,为粗糙关系数据库模型的进一步研究提供了理论基础。     

一种基于FPGA的顺序迭代FFT设计

本文从顺序迭代的角度提出了一种高效的,容易实现的,占用资源少的FFT算法结构,通过合理的设计使得系统占资源少而且高效,同时亦足够简单.本文详细描述了整个设计,在精简程度、完全的流水化、控制结构方式、蝶形运算、时序配合、存储地址生成等方面均有一些特点.     

ATL快速编写COM组件

通过ATL可以方便快速地建立小型的、基于COM的组件.本文简要介绍IDL语言编写COM接口的基本概念,并通过实例展示通过ATL开发COM组件的基本过程.     

X3D:新一代WEB交互式三维图形规范

随着网络的发展,虚拟现实造型语言(VRML)的缺点逐渐暴露出来,阻碍了面向WEB的交互式三维图形技术的深入发展.因此,出现了下·代面向WEB的交互式三维图形规范X3D,它具有小型化、可扩展、与WEB上的多种标准交互操作和媒体紧密集成的特性.本文主要介绍从VRML发展到X3D的必然性,X3D的新的结构以及新的设计目标,并详细分析了X3D的关键技术:组件化思想及XML在X3D中的运用.     

TiO2光催化传感器的制备及其在化学需氧量测定中的应用研究

该文采用溶胶凝胶法制备了TiO2薄膜电极,并首次提出了一种基于TiO2膜电极/溶液界面电荷传递的化学需氧量(COD)的测定方法.以葡萄糖为响应底物,考察了TiO2薄膜电极的光催化行为,结果发现该传感器的光电流信号与COD值在0.5～235 mg/L范围内有很好的线性响应,相关系数为0.9998.该方法具有测试速度快,不需有毒、昂贵试剂,以及便于实现自动化等优点,有着广阔的应用前景.     

数据挖掘在客户关系管理系统中的应用

本文讨论了CRM与数据挖掘相关技术的关系及其在销售、零售领域企业中的应用。运用数据挖掘的基本手段 ,结合销售行业的市场经营分析及CRM系统开发 ,提出了适合该行业的简单客户关系管理系统———客户服务的解决方案 ,并进行了部分实现。     

3S在输电线路勘察设计中的应用

本文简要介绍了利用纸质地形图采集地形数据生成DTM,将遥感影像经过辐射和几何纠正制作正射影像.以DTM和正射影像为依据设计输电线路生成断面图,利用三维数据和GPS野外实测.最后将GPS野外数据加入到影像数据中进行修正排定杆位.     

嵌入式数据库典型技术SQLite和Berkeley DB的研究

与常见的数据库相比,嵌入式数据库具有体积小、功能齐备、可移植性、健壮性等特点,本文分析和比较了典型的嵌入式数据库SQLite和BerkeleyDB。首先从体系结构、子系统间调用关系、任务执行过程等角度对SQLite和BerkeleyDB进行了详细分析,然后重点从数据类型、存储方式、模式、数据库引擎和错误处理及加密功能等方面讨论了SQLite和BerkeleyDB的异同点,最后列举了一个基于ARM—Linux的SQLite应用实例。     

基于双处理器的磁记忆/漏磁检测系统

为了弥补磁记忆和漏磁无损检测机理的局限性,提出漏磁辅助磁记忆检测的构想,设计了一种基于DSP和PC104双处理器架构的新型检测系统。硬件设计主要分析了传感器、信号调理、AD采样和双处理器架构;软件设计以上位机操作系统和下位机信号通信传输模块开发为主。通过硬件设计与软件开发,将磁记忆与漏磁检测技术基于同一操作平台组合在一起,从而实现了金属磁记忆和漏磁检测技术在管道检测工程中的完整应用。实验结果表明,相对单一检测技术,新型检测系统具有更强的缺陷识别能力和识别有效性。     

管道腐蚀缺陷超声导波检测数值模拟

超声导波在检测存在多个缺陷的管道时,由于其自身的多模态、频散、遇到缺陷易发生模态转换以及缺陷回波间的相互干扰等特性常常引起缺陷信息的误判,论文采用ANSYS软件建立了L(0,2)、T(0,1)模态激发的管道腐蚀超声检测仿真模型以及相关的数值模拟算法,研究了两种模态的导波与管道上不同类型缺陷之间的相互作用,提出了双向激发超声导波管道腐蚀缺陷检测方法,将正反两个方向激发的导波检测数据叠加,减少了缺陷回波的相互影响,准确地识别缺陷位置和大小,提高信噪比。与仿真结果对比分析,实验结果表明,该模拟算法实现了对超声导波管道腐蚀缺陷检测的精确数值模拟,所提的双向激发超声导波检测方法,不仅提高了缺陷定位的精度,也提高了缺陷大小的识别率。     

一种改进的全数字锁相环设计

本文在介绍了经典全数字锁相环(all digital PLL,ADPLL)的基础上,提出了具有捕获锁定未知输入信号频率功能的ADPLL,使用方便,应用广泛.本文详尽的描述了系统的工作原理和关键部件的设计,通过计算机进行了仿真验证,并在可编程逻辑器件(FPGA)中予以实现.     

HF在Cu(100)和SiO2(100)晶面吸附的蒙特卡罗模拟

HF 同固体表面的相互作用,在腐蚀、催化和电化学等领域都有重要的意义.为了研究在低温低压条件下,HF 在 Cu 和 SiO2晶体表面的吸附情况,本文采用巨正则蒙特卡罗(GCMC)模拟法,计算模拟 HF 在 Cu(100)和SiO2(100)晶体表面的吸附行为.结果表明:本文所模拟的属于物理吸附.在 150 K、46.62 Pa 以上时,HF 可以在 Cu 晶体表面上发生吸附,如压力降低,则吸附大大降低,在 100 K 以下、1 Pa 以上时,均能发生吸附.在相同条件下,HF 与SiO2 比与 Cu 晶面的吸附能力强,且更易发生物理吸附,在 150 K 以下,1 Pa 以上时,HF均可与SiO2晶面发生吸附.本文的结果为在低温低压下 HF 与 Cu 和SiO2 晶体表面的吸附实验提供一定的理论指导.